Utilisation d'un mosfet en sortie de microcontrolleur

[invite2313209787891133]

Bonjour

Je m'initie peu à peu aux microcontrolleurs, et pour un petit projet pédagogique je voudrais commander une résistance chauffante (12V/12W).
Mon microcontrolleur me sort 3.3V sur une broche pour effectuer la commande.
J'envoie ce 3.3V sur le gate d'un IRFZ24N par l’intermédiaire d'une résistance de 330 ohms, la source est branchée à la masse (commune entre mon alim 12V et la masse du µc), la résistance de chauffe est entre le drain et le 12V.
Mais ça ne marche pas... J'ai regardé avec un potentiomètre en pont diviseur de tension, le mos commence à devenir passant vers 3.6V, pourtant la datasheet spécifie 2V min (à moins que je la comprenne mal).

Est ce que je me trompe quelque part ? Peut être existerai il un composant plus adapté pour relayer mon µc ?

Merci d'avance pour votre aide.
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[Gérard]

Un NPN devrait faire l'affaire.

[Gérard]

Regarde ici : http://www.irf.com/product-info/data...ta/irfz24n.pdf

Les courbes de la page 3 et tu me dis où il est question de 2V.
La 1re courbe concerne VGS = 4,5V.

[invite2313209787891133]

C'est surtout que je n'y comprenais rien à ces courbes, mais je pense que je commence à y voir plus clair avec ta réponse.
Un NPN je veux bien, mais quand je vais essayer de piloter des intensités plus grandes ça deviendra plus difficile. Est ce que je peux utiliser un petit transistor (genre 2222) pour piloter le mos ?

[A voir en vidéo sur Futura]

[Gérard]

Je dirais oui. VGS à 10V, et le MOS fonctionnera mieux.

[DAUDET78]

pourtant la datasheet spécifie 2V min (à moins que je la comprenne mal).

2V, c'est la tension de Treshold. C'est la tension en dessous de la quelle on est sûr que le MOS est non conducteur
Comme dit Gérard, un p'tit NPN en émetteur commun qui te fais du 0/12V pour bien piloter ton NMOS

[invite2313209787891133]

Merci pour vos réponses à tous les 2.

[Tropique]

Les petits MOS bon marché fonctionnant à moins de 1.8V de Vgs sont légion à l'heure actuelle, un exemple:
FDG410NZ.pdf
Celui là a 87mΩ à 1.8V, mais il y en a beaucoup d'autres, certains bien plus perfomants:
http://www.fairchildsemi.com/search/...e&&infoN=10618
J'ai pris Fairchild en exemple, mais ç'aurait pu être Vishay, ou d'autres

[invite2313209787891133]

Ah oui en effet, je vais voir ce que je peux trouver chez mes fournisseurs habituels.
Par contre je n'ai jamais vraiment compris comment on choisi la résistance de gate; j'utilise systématiquement 330 pour les petites tensions de commande et 1k pour les plus grandes, mais ce n'est pas très "scientifique". Est ce qu'il y a une règle à respecter ?

[Tropique]

En fait, pour la résistance de gate, il n'y a pas de règle vraiment objective, pour la bonne raison que dans la plupart des cas, elle n'est pas objectivement nécessaire. D'aillleurs, dans plus de 90% des cas, je m'en dispense. Evidemment, je sais ce que je fais, mais on ne peut pas dire la même chose de la plupart des gens qui seront amenés à employer un MOS de puissance, et qui vont confier leur layout aux mains expertes d'un routeur automatique de PCB....
Dans ces cas là, il est indispensable de prévoir des garde-fous, parce que la bande et la transconductance des MOS modernes ne pardonne pas des tracés fantaisistes. Donc, pour éliminer le gros des risques, on conseille des "gate-stoppers", qui ont la plupart du temps des valeurs non-intrusives: c'est d'ailleurs comme ça qu'on les estime: à quelle valeur de résistance de gate peut-on monter sans trop esquinter les performances?
Dans les notes d'applications et les réalisations sérieuses, c'est de cette manière qu'est vu le problème: on cherche plus à limiter au maximum les dégats potentiels qu'à fournir une valeur vraiment raisonnable et réaliste.

Donc, pour des commandes de relais, ou toute autre commutation lente, on peut généralement aller à plusieurs kiloohms sans inconvénients.

Les difficultés commencent quand il faut être à la fois stable et rapide.

[invite2313209787891133]

Merci pour ces éclaircissements.