Bonjour à tous,
Dans les specs du MC34063A, à la page 9, on me demande de sécifier V sat (Saturation Voltage of the output switch) afin de calculer les autres paramètres.
Je désire utiliser le IFR520 pour mon design. Est-ce que le V sat demandé plus haut est le Vgs (Gate to Voltage threshold) du MOSFET ?
Merci de votre aide et précision,
Yex2
À la différence d’un transistor bipolaire qui a une tension C-E de saturation, un MOSFET bien saturé présente entre Drain er Source une résistance morte. Le tien est donné pour 0,27 Ω = rdson.
À toi de savoir, selon ton application, si cette résistance est négligeable ou pas pour ton switching; si un MOSFET à plus fort courant serait préférable, s’il va chauffer…
Slt,Envoyé par Yex2
Peux-tu être plus précis ?
Tu veux commander un mosfet avec un circuit de contrôle qui n'est pas prévu pour: faudrait peut-être envisager d'intercaler un petit driver entre le MC34063A et le mosfet pour être sur de le commander correctement ou un étage push-pull à transistors.
Vsat c'est valable pour un transistor bipolaire: c'est la chute de tension mesurable entre C et E pour un courant donné.
Dans le cas d'un mosfet, l'équivalent vaudra le (courant * le Rdson du mosfet ).
Et vu que tu cherche à faire une adaptation: attention à la tension Vgs appliquée au mosfet, comme je sais pas avec combien tu alimentes le MC34063A ?
Dernière modification par Montd'est ; 04/12/2012 à 04h23.
Difficile d'être plus précis que ça. Peut-être me suis-je mal exprimé. Je demandais simplement si le VDS d'un MOSFET est plus ou moins l'équivalent du VCE pour faire les calcules des autres composantes (figure 14, page 9 des spec) du chip que je veux utiliser. Ce que je comprends de ton intervention et celle de louloute, c'est que je calcule le V(sat) en fonction du IPK * RDS du MOSFET. Donc si je fabrique un convertisseur donnant 4 A, je calcule 4 * 0.27 = 1.08 V pour le Vce. C'est bien ça ?
Dois-je ajouter cette valeur obtenue au VCE intégré au chip selon les graphiques données aux figures 3 et 4 de la page 4 ?
Dois-je absolument utiliser un driver de MOSFET ? Je préfère nettement la simplicité... Faut faire simple comme certains disent ici
Je n'ai pas donnée de détails sur le projet parce que j'ai plusieurs petits projets en tête. J’essaye plutôt de comprendre les formules afin de pouvoir les appliquer à toutes les sauces plus tard. Mais voici quelques projets pour cet hiver :
1- Faire un Step-Down pour utiliser une batterie d'outils électrique variant de 18V à 24V afin d'alimenter une pompe à eau de 12V, 2.5 A ainsi que les feux de position d'une chaloupe.
2- Fabriquer un ou plusieurs chargeurs à batteries Li-Ca de voltage variée, à partir d'une source 12VCC. Si possible, je veux me faire un chargeur Universel pouvant charger des batteries de 1.2 V à 6V simplement en ajustant un pot pour remplacer R1 et R2. De ce que je comprends dans les formules, ces deux résistances n’interviennent pas dans le calcule des condensateurs et de l’inductance. Donc ça devrait fonctionner.
3- Faire une alimentation de 4.5 V, toujours à partir de 12 Vcc pour des DEL qui bouffent mes batteries AAA à la vitesse de la lumière
4- Je projette aussi de faire un PWM pour un futur panneau solaire qui sera ajouter à celui déjà existant mais dont le voltage d’entrée est différent de celui que j’ai déjà.
Bon voilà, il y en aura sûrement d'autres projets qui vont germés, de là l'utilité de bien comprendre comment utiliser les formules des specs du CI en question.
Déjà j'ai constaté un bug. Hier, j'ai tout retranscrit les formules du Step-down dans un chiffrier et entré les paramètres du circuit donnée à la figure 9 page 6. Les résultats pour les condensateurs et l'inductance diffèrent grandement de ceux qui sont proposés à la figure 9 !?!?! Il était tard, j’ai peut-être tordu certaines formules. Je vais revérifier le tout ce soir...
Par contre, il y a quelque chose que je n'ai pas tellement bien compris. C’est le choix de la fréquence d'oscillation. Dans la figure 14 (le tableau des formules) on dit que (tON + tOFF) = 1 / f. Dans les notes sous le tableau ils disent : fmin – Minimum desired output switching frequency at the selected values of Vin and IO.
Comment on choisi ça on juste ? C,est quoi la relation entre Vin, Io et f ? C’est probablement pour ça que mes formules ne me donne pas les mêmes résultats que la figure 9. Je n’ai pas la moindre idée de la fréquence qu’ils ont employé. Tout ce que je sais c’est que le CI est limité à 100 kHz.
j'apprécierais vos lumières là-dessus.
Merci,
Yves
C'est pas aussi simple: le courant qui circule dans la charge passe soit par le transistor soit par la diode: on ne peut donc pas dire: 4 A en charge implique 4 A dans le transistor.
Le courant qui circule dans le transistor est croissant à donc il n'a pas une valeur fixe, la figure 6 devrait répondre à ta question du Vds, mais ça manquera de précision je pense.
Je dirais que c'est mieux pour limiter les pertes de commutation: dans une des applis tu prévois une entrée entre 18 et 24 V pour en obtenir 12 en sortie:Dois-je absolument utiliser un driver de MOSFET ? Je préfère nettement la simplicité... Faut faire simple comme certains disent ici
Au delà e 20 V entre Vgs le mosfet va griller: il faudra donc ajouter quelque chose pour avoir la bonne tension de commande...
Dernière modification par Montd'est ; 04/12/2012 à 16h59.
J'ai quelques doute avec ta figure 6. Il s'agit du Standby current. Moi je ne pense pas que tu puisses prendre ce courant (qui est minime) pour calculer le Vce. J'ai pris le courant I peak maximum pour avoir le pire cas...
Oui c'est sûr qu'il faut limiter les pertes mais pour le moment je désire surtout comprendre comment fonctionne le CI. Je le peaufinerai plus tard...
Je ne suis pas certain qu'on obtienne 20 V au VGS même avec une alimentation de 24 V. Pas quand il conduit en tout cas et lorsqu'il ne conduit pas, est-ce si grave ? Ce MOSFET est censé prendre 100 V au Vds. Il devrait être capable de prendre 24 Vgs. D'ailleurs c'est écrit ± 20V. N'est-ce pas là un écart de 40 V ?
Merci de vos lumières,
Yex2
Dernière modification par Yex2 ; 04/12/2012 à 19h36.
Les valeurs de courant sur la figure 6 sont en ampère, ce n'est pas un courant de fuite, c'est bien le courant qui circule entre D et S quand le composant est à l'état "on".
Je ne sais pas exactement comment tu as prévu de raccorder ensemble le IRF et le 34063 , il serait intéressant d'avoir un schéma.
Tout dépend du schéma de raccordement...
C'est incompatible de dire "quand il ne conduit pas" , si il ne conduit pas il n'est pas commandé donc Vgs = 0 V idéalement.
Ces 2 paramètres Vgs et Vds maxi n'ont rien à voir l'un avec l'autre:
Il est clairement écris dans le "Absolute Maximum Ratings"
Gate to Source Voltage VGS ±20 V ; donc avec 24 V >> il meurt surement ; le ± c'est pour indiquer qu'il résiste entre - 20 V et + 20V, pas 40 V.
Dernière modification par Montd'est ; 04/12/2012 à 20h24.
On doit pas regarder la même figure 6. Moi je vois des mA vs V. Pour 24 V je lis approximativement 3.3 mA. C'est pas du courant d'opération mais vraiment du courant de fuite...
Voir la figue 10a (External PNP Switch). Il me semble que je devrais pourvoir substitué le PNP pour un N MOSFET directement.
Si je remplce le NPN par un N MOSFET de la même manière qu'à la figure 10a, le voltage VGS ne sera jamais très élévé (en conduction ou pas) grace à la résistance entre le GND et la Gate.
Yex2
Dernière modification par Yex2 ; 05/12/2012 à 00h26.
Effectivement on ne regarde pas la même: je parle de la figure 6 de la dodumentation du mosfet pour la question du Vds.
Ce que tu regarde toi c'est la conso du 34063 en veille.
A la 10a c'est un NPN externe. Je ne pense pas qu'on puisse faire un remplacement aussi simplement: Le transistor externe est ici commandé comme un darlington. Alors que pour un mosfet on founit 0 ou 10 V ( ou plus ) avec des grandes pointes de courant. C'est différent.
Si on pouvait faire un remplacement simplement, je pense que le fabricant aurait mi un schéma d'exemple avec un mosfet, mais là, le circuit interne de commande ne le prévoit pas.
Une résistance entre GND et GATE ne limite pas VGS sauf si il ya une autre (assez grande) résistance entre Gate et le signal de commande ce qui risque de dégrader la qualité du signal de commande ( comme il faut pouvoir avoir de grand courant de charge et de décharge de la grille ).
Dernière modification par Montd'est ; 05/12/2012 à 00h53.
Finalement j'avais raison avec mon calcule du post #4 : "...4 A, je calcule 4 * 0.27 = 1.08 V ". Selon la figure 6 du MOSFET 520, 4.5A donne entre 1V et 1.25 V pour le Vds pour différente valeur de Vgs...
Yex2
