simulation gm.ID f VA
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simulation gm.ID f VA



  1. 30/05/2013, 22h33 #1
    invite18665cef

    simulation gm.ID f VA


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    Bonjour à tous,

    Afin de designer un Ampli Op, je cherche à déterminer la caractéristique de mes MOS, notamment son efficacité de transconductance en fonction de la tension d'Early (gm/ID vs VA). J'arrive a sortir gm/ID, aisni que VA, mais je n'ai aucune idée de comment trouver direcftemetn gm/ID f VA?

    Merci de votre aide

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  2. 31/05/2013, 10h21 #2
    invite18665cef

    Re : simulation gm.ID f VA

    Il suffit de trouver le gm qui va bien (2ID/Veff) en simulant uniquement une variation de Vds avec un Vgs fixe...
    A partir du VA = ID x dVds/dID - Vds on peut tracer gm/ID f VA ...
« Problème avec l'instruction if(UART1_Data_Ready()) | Batterie LIfepo4, AML9112 »

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