[Exercice N°2] Le transistor bipolaire en commutation
Deuxième exercice présent dans mes révisions
Voici mes réponses :
a) Si Ven = 0v, le transistor est alors en blocage. Vce est quelconque positif (Inférieur à Vce_max tout de même, sinon le transistor grille)
b) IC(sat) = Vcc / Rc = 10v / 10000 Ohm = 0.01 A
Ib(sat) = Ic(sat) / β = 0.01 A / 200 = 0.05 mA
c) RB(max) = (Ven - 0.7) / Ib(sat) = (5v - 0.7v) / 0.05 mA = 86 kOhm
Merci de votre aide,
Gaëtan,
Sans voir ta pièce jointe ...
IC(sat) = Vcc / Rc .... tu ne tiens pas compte du Vcesat
Un β = 200 me semble largement optimiste ! Faudra me montrer ce phénomène ...
Bonjour,
a) si Ven=0, le transistor est bloqué, donc Ic = 0, donc la tension est VCC, non?
Une fois l'image validée tu verras que Vcesat est saturé et que le gain est bien de 200.
On n'est pas le 1er avril !Envoyé par Rouchesta
Et un transistor avec un gain en saturation de 200 , c'est du domaine de la quatrième dimension !
Soit tu ne sais pas lire, soit ton exo a été écrit par quelqu'un qui n'a jamais vu un transistor de ses yeux vu !
PS : c'est classique pour un prof !
Connaissant mon prof ... no comment
C'est un screenshot de l'exercice du cours donc ça vient du prof, c'est ça le pire =D
Peu-être que c'est fait exprès pour voir la différence, je sais pas.
Bonjour,
Oui c'est bon, (sauf que RC c'est 1000 ohms non pas 10000 mais le résultat est bon)
Tu es d'accord avec la réponse a) ????
La réponse a) poserai problème ?
Oui, la réponse a été donnée par Lulu731
Ok. Merci à vous tous
