FET. Polarisation en pont
Bonjour les amis,
Après une lecture des cours sur la polarisation des FET, il me reste une question à laquelle je n'ai pas eu de réponse.
Comment déterminer les résistances R1 et R2 ? C.a.d qu'une infinité de couples existent, mais comment choisir le bon ? Sur quel paramètres elles jouent ? (Impédance d’entrée, mais encore (?)... )
Si tu prends le couple R1 et R2 trop faible (100 et 100 Ohm par exemple), tu consommes beaucoup de courant Vdd et tu as une impédance d'entrée très faible ( 50 Ohm)
Si tu prends le couple R1 et R2 trop grand (100M et 100MOhm par exemple) , tu as une impédance d'entrée très grande ( 50MOhm) . Mais le courant de fuite de C1 peut changer le point de polarisation . Et plus les résistances sont grandes, plus le bruit est grand.
Donc il faut un faire un compromis et c'est là que le pifomètre de l'expérience intervient.
Par contre, ce genre de montage n'est plus trop utilisé ..... merci les ampliOPs !
Merci , ca explique pourquoi je n'ai pu rien trouver dans les bouquins
J'ai remarqué aussi que le rapport R1/R2 fait changer le gain en tension alors qu'il ne devrait pas. C.a.d que lorsque je m'écarte de R1=R2 mon ampli se transforme en atténuateur. Comment cela s'explique ?
Le titre de ta question est polarisation . Donc il faut vérifier que ton transistor est ni bloqué (Vdrain=Vdd) , ni saturé (Vdrain=Vsource)Envoyé par eak
PS : tu utilises quel transistor, quelles valeurs de composants , quel matériel de mesure ?
+1.... si ce montage est utilisé pour des bipos ,
il est anecdotique avec des FET , où on préférera la polar par résistance de source
(comme du temps des triodes)
Le transistor est un 2N7002. Voici le point de fonctionnement choisi (les courbes ont été simulée avec un modèle spice du 2n7002):
2n7002.png
le montage:
montage.png
p.s. La tension 3.86962 est la tension Vgs
résultat:
res.png
L'amplification en tension n'est que de 2.2 (en module), comment la retrouver ?ne semble pas donner un bon coefficient
D'accord, mais pourquoi ? Je suis tombé sur plusieurs livres où on dit qu'il permet une bonne stabilité du point de fonctionnement (exemple: Principles of Electronics - V. K. Mehta, p. 524).
y date de quand ce bouquin ?
car CONCRÈTEMENT en 2014 , si on monte un ampli a FETs en compos discrets,
il sera à structure symétrique , qui n'utilise pas cette polar .
Sans voir encore les pièces jointesCa va pas y aller .... je me moque de la tension Vgs avec 5 décimales ! .... si je n'ai pas les autres tensions .....
Je poses une questionDonc j’attends de toi une réponse COMPLETE
Tu me donnes un calcul de gain : mesure à quelle fréquence ?
C'est un livre de 2006. Symétrique? Mais.. mais tout dépend de ce qu'on veut en faire! En 2014 ou en 1966, ai-je annoncé l'application concrète de ce montage ? = non.
Vous avez vu les pièces jointes ? La réponse est dans la pièce jointe de mon message précédent. Vous avez toutes les tensions, valeurs et la fréquence de fonctionnement
à question généraliste.... réponse généraliste
NON ... pas encore visible par le peuple
D'accord, dans ce cas je vous les réécrit, alors:
Rd=15 ohms
Rs=3 ohms
R1=R2=1000 ohms
Id=285mA
Vds=3.9 V
Vgs=3.87 V
Vdd=9 V
f= 1kHz
Amplitude signal d'entrée = 0.1 V
Capas de liaison en entrée/sortie = 10uF
Pour info, dans la vraie vie, ton transistor est mourru !
Puissance dissipée 0,285*3,9=1,115W . Donc la puce est à 25°+1,115/0,001.6= 719° !!!!!!!!!
http://pdf.datasheetcatalog.com/data...r/DS011378.PDF
Un calcul rapide en négligeant la résistance de source (pas de contreréaction, donc max du montage)donne un gain de
G=-Rd*ms
Or ms est de 80 min et 320 typique
Donc le gain min est de -15*0,080=-1,2 , le gain typ est de -15*0,320=-4,8
Donc le gain de -2 (environ) donné par le simulateur est parfaitement correct
Oui merci, cela restera un modèle théorique. Effectivement le gain semble correcte vu comme ca, cependant je n'arrive pas a retrouver cette transconductance de 80-320 l'aide de la formule suivante:
Ta formule, elle sort d'où ? Si c'est d'un bouquin, il y a une définition de chaque termeCa, c'est dans la spec du MOStransconductance de 80-320
Elle vient toujours du même livre, mais elle est aussi dispo sur wiki : http://en.wikipedia.org/wiki/Transconductance
IDSS est donné par le datasheet = 1uA
VP est la tension de pincement ~ 1.5V d'après les courbes (PJ)
Je m'attendais a retrouver quelque chose entre 80 et 320 mS données par le datasheet à partir de cette formule
J'ai utilisé des milliers de MOS et je ne la connaissais même pas. Tu as la valeur de la transmittance dans la datasheet
PS :non !IDSS est donné par le datasheet = 1uALaisse tomber ta formule.IDSS is the maximum drain current.
Bonjour à tous,
A ma connaissance, IDSS est le courant de fuite du transistor, celui qui circule dans le drain quand Vgs=0... En effet, ça montre le sérieux du machin
Oui, comme a dit Zenertransil, c'est un courant max, mais pour Vgs=0, donc de fuite, d'après ce que j'ai compris
J'ai un doute, maintenant! Donc je voulais éditer en attendant d'avoir matière à en juger, mais j'ai de gros soucis avec le forum en ce moment! Impossible d'éditer (la page s'ouvre, parfois avec mon message incomplet, mais aucun bouton "envoyer"), de poster des images ; mes messages n'apparaissent pas quand je les poste (je dois actualiser), etc...
Suis-je le seul?
Pour moi tout est ok concernant le forum
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