Bonjour les amis,
Pour les raisons éducatives j'aimerais savoir comment peut on mesurer/simuler l'impédance d'un transistor (coté base,collecteur,emetteur). Ce qui m'intéresse c'est l'impédance AC. On sais que c'est juste un rapport. La question est , quelle est la procédure juste pour la retrouver dans sa forme complexe de chaque côté du transistor; comment et où injecter le signal AC; garder ou pas la polarisation ?
Ben, si il y a a quelqu’un qui pige ce charabia scientifique .... je me fais curé !
J'aime pas le Grec
+1, c'est incompréhensible.Envoyé par DAUDET78
Pourrais tu reformuler ta question d'une manière moins ésotérique ?
Ca me paraissait assez claire+1, c'est incompréhensible.
Pourrais tu reformuler ta question d'une manière moins ésotérique ?Je clarifie. Il y a un transistor , admettons , un NPN qui fonctionne en mode linéaire afin d'amplifier un signal. Il est polarisé et fonctionne autour d'un point Q (droite de charge). Il existe donc une superposition du signal variable (AC) avec la polarisation (DC). La question est très simple:comment mesurer l'impédance du circuit en entrée et en sortie du point de vu la composante alternative
Dernière modification par eak ; 20/11/2014 à 22h55.
Un schéma , Un schéma , Un schéma , Un schéma , Un schéma , Un schéma ,
J'aime pas le Grec
Voila, j'ai trouvé la réponse à ma question! D'après ce schéma il faut garder la polarisation et injecter le signal de chaque côté du transistor pour déterminer les paramètres S (S11,S22) est donc les impédances complexes. Sujet clos, merci à tous
Bonjour
Les paramètres S c'est pour de la HF voire de l'hyperfréquence il me semble. Etait ce ce que vous vouliez ?
Si vous travaillez plus bas en fréquence, partez des paramètres H11, ... établissez le schéma théorique , calculez le gain par exemple en faisant intervenir les paramètres H du transistor.
Ensuite faite un essai et relevez les fréquences de coupure. Pour l'impédance , normalement si elle est réelle et pas imaginaire donc pas complexe, en faisant varier la résistance de votre source de signal vous en déduirez celle de votre transistor par calcul en fonction de la tension de sortie relevée. Après il me semble que l'on peut faire la même chose avec une impédance de source complexe conjugée à celle que l'on veut évaluer.
cdlt luc_1049
ça sent l'auto-proclamé formateur , qui ne maitrise pas son sujet...
Oui, c'est ce que je voulais. Pour les paramètres S, ils sont applicables à partir de f>0 hz, du moment qu'il y a une composante alternative et donc une réflexion potentielle. Les VNA aujourd'hui descendent jusqu'à 1kHz sans problèmes. Le mien descend à 1Mhz, ca me suffira. C'est juste que je pensais à une mesure à l'aide d'un oscilloscope et un géné au départ (comme on le faisait avant)
Pouvez vous détailler un peu plus la méthode avec les paramètres h (schéma de mesure?) ? A ma connaissance ils ne sont pas mesurables directement (contrairement aux S).
Dernière modification par eak ; 21/11/2014 à 13h49.
Bonjour
Dans l'idée ce que je vous proposais de mémoire c'est de partir du schéma équivalent du transistor en émetteur commun par exemple, de faire le calcul du gain avec les paramètres h du transistor.
Ensuite par des mesures vous interprétez les résultats et retrouverez les inconnues.
cdlt
Bonjour
En fait il vous faut choisir quel modèle de transistor vous désirez plutot BF paramètre H avec éventuellement des simplifications et approximations que vous savez être justifiées.
Si vous choisissez un modèle avec les paramètres S, la mesure n'est pas la même puisque qu'il est question de puissance et de réflexion dans des conditions bien définies par exemple à Z0 = 50 ohms. Pour accéder à l'impédance d'entrée complexe il vous faut il me semble dans ce cas les retrouver par une transformation de votre matrice S pour en définir les impédances telles que vous pourriez les retrouvez dans une matrice quadripole Z. Il faut donc que recherchiez comment remonter aux paramètres Z à partir d'une matrice S.
cdlt luc_1049
En BF, une carte son de PC est très bien pour ce genre de truc.
En HF, on injecte le continu d'un côté et le signal de l'autre avec un T de polarisation (bias tee).
Bonsoir,
Je confirme que la matrice hybride H est plutôt destinée à l'étude en BF et que la matrice S, qui tient compte des phénomènes de propagation, s'applique plutôt à la HF. L'impédance d'entrée d'un BJT, c'est h11. L'impédance de sortie, c'est h22.
Et c'est pas plus compliqué... h11 = ∂ Vbe/∂ Ib, h22 = ∂ Ic/∂ Vce.
Sauf qu'on s'en fiche, parce que généralement, ce qui compte, ce sont les impédances d'entrée/sortie du montage! Et là, ben... Ca dépend de ce qu'on va mettre autour.
Choisis un travail que tu aimes, et tu n'auras pas à travailler un seul jour de ta vie
