choix IGBT/MOSFET

[invite1fba2f5e]

Bonjour,

Voilà le contexte : j'ai une source de courant continu de 50 A qui alimente une inductance. En parallèle de la source, je dois placer un interrupteur dans lequel la source débitera en cas de défaut (ie d'ouverture du circuit).
Le problème est que je ne sais pas quel composant choisir entre un MOSFET et un IGBT. Je voulais regarder les catalogues des constructeurs mais évidemment j'ai du mal à les comprendre.

Si je me trompe pas, le MOSFET a un temps de commutation plus rapide. Sur ce critère, ce serait donc le MOSFET qui l'emporte.

J'ai vu qu'en général c'est l'IGBT qui a une résistance à l'état passant plus faible mais les mosfet sont utilisés pour de faibles tensions (ce qui serait mon cas non?) car dans ce cas, la résistance à l'état passant est plus faible que pour l'IGBT (parce que RDSon dépend de la tension que supporte le MOSFET en conduction me semble t-il). Mais comment appliquer ces conclusions étant donné que moi je travaille avec une source de courant?

Un autre critère qui me semble important est celui de la tenue en tension : mais à partir de quelle tension dois-je dimmensionner mon interrupteur? La surtension qui va apparaître aux bornes de la bobine lors de la commutation ou la tension de la source d'alimentation?

En gros, je suis perdue dans tout ça! Donc si quelqu'un pouvez m'éclairez un peu ou me donner des pistes sur ce qui pourrait me permettre dans le cas que j'étudie de choisir un des deux composants, ce serait génial...

Merci
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[inviteede7e2b6]

hello ,

but de la manip ?

schéma du circuit ?

( ça aide...)

[Antoane]

Bonsoir,

Si je me trompe pas, le MOSFET a un temps de commutation plus rapide.

Oui.

J'ai vu qu'en général c'est l'IGBT qui a une résistance à l'état passant plus faible mais les mosfet sont utilisés pour de faibles tensions (ce qui serait mon cas non?) car dans ce cas, la résistance à l'état passant est plus faible que pour l'IGBT (parce que RDSon dépend de la tension que supporte le MOSFET en conduction me semble t-il). Mais comment appliquer ces conclusions étant donné que moi je travaille avec une source de courant?

En première approximation, un mosfet à l'état passant se comporte comme une résistance Rds_on, tandis qu'un IGBT engendre une chute de tension quasi-constante Vce_sat.
Vce_sat et Rds_on sont données dans les datasheets des composants.
En général, MOSFET 1.2kV - 100A au silicium présentera plus de pertes qu'un IGBT du même calibre.
Mais tu es, a priori, loin de ces besoins (surtout en terme de tension).

Un autre critère qui me semble important est celui de la tenue en tension : mais à partir de quelle tension dois-je dimmensionner mon interrupteur? La surtension qui va apparaître aux bornes de la bobine lors de la commutation ou la tension de la source d'alimentation?

La tension présente aux bornes du composant est la seule qui importe.

En gros, je suis perdue dans tout ça! Donc si quelqu'un pouvez m'éclairez un peu ou me donner des pistes sur ce qui pourrait me permettre dans le cas que j'étudie de choisir un des deux composants, ce serait génial...

La première chose à avoir pour choisir, c'est un cahier des charges précis :
- temps de commutations max acceptables ;
- tension continue et transitoire max à tenir ;
- forme et provenance de l'impulsion de surtension éventuelle : fournie par une inductance (de quelle valeur, parcourue par quel courant...) ou autre ? ;
- Une description générale du problème serait également bonne à prendre.