tension de réflexion transformateur flyback

[inviteb5a95b47]

Bonjour,

je sais qu'un mauvais bobinage de transformateur SPMS engendre une inductance de fuite plus grande qui ajoute un Vspike au Vds de mon MOSFET.

Maintenant est ce qu'un mauvais bobinage peut engendrer une hausse au niveau de la tension de réflexion ?
Je me pose cette question car par la théorie j'obtiens 292V (sachant quand sortie j'ai 12V et que mon ratio est 73/3) et en pratique j'atteins 440V.

Autre petite question : J'ai un enroulement secondaire sur mon transformateur qui me permet d'alimenter mon module PWM faut il que je l'ajoute à mon ratio et peut être a ma tension de reflexion? (73/(3+3)=12.16)

Voila j'attend vos réponses.
Si vous désirez le schéma dites le moi.

Merci
-----

[inviteede7e2b6]

comment mesures-tu les tensions ?

[inviteb21379d3]

Maintenant est ce qu'un mauvais bobinage peut engendrer une hausse au niveau de la tension de réflexion ?
Je me pose cette question car par la théorie j'obtiens 292V (sachant quand sortie j'ai 12V et que mon ratio est 73/3) et en pratique j'atteins 440V.

Qu'est-ce exactement que vous définissez comme un mauvais bobinage ?
Avec le rapport de spires et puissance mal calculée ?

[inviteb5a95b47]

par mauvais bobinage, je veux dire mauvais cablage (je m'en suis occupé à la main)

[A voir en vidéo sur Futura]

[inviteb5a95b47]

PIXEL, le probleme est le suivant :

j'essaye de comprendre et savoir comment j'obtiens 840V sur le drain de mon mosfet (Vin + Vreflexion + Vspike).
J'en suis arrivé la car la résistance de mon snubber chauffe énormément (les calculs ne sont pas correct mais je ne peux pas les refaire tant que je ne connais pas le Vsn pratique) et il me semble que le Vsn théorique n'ai pas du tout pareil.

Le Vsn (tension du snubber) utilise la formule suivante : 2*n*Vo (clairement la tension de reflexion n*Vo) et la vient l'autre probleme.

Dois je intégrer mon enroulement auxiliaire au ratio du transformateur? (n=73/(3+3)=12.166) ou dois je ne pas en tenir compte?(n=73/3=24.33)
car au final le résultat n'est pas le meme 292V pour l'un et 584V pour l'autre.
Si j'ai 292V c'est bien par contre si j'ai 584V en parallèle de la résistance de mon snubber, je comprend pourquoi elle chauffe.

L'allure de mon signal me laisse également perplexe (IMAG1122) par rapport au allure que l'on retrouve dans les notes d'applcations (courbe VDS).
Sur mon signal l'état haut correspond a l'état haut (bien plus mince) présent sur "courbe VDS" par contre plus rien apres :/

[inviteb21379d3]

Je ne vois pas de circuit d'amortissement (Snubber) parallèlement à la bornes de drain/source du MOSFET.
Cela pourrait réduire quelque peu les pointes de Spikes observées.

[Montd'est]

Hors sujet:

Je te rappel que ton C9 à 2.2 nF est probablement très insuffisant et si c'est le cas, il est possible que la tension qui alimente le CI de commande ne soit pas continue. Je sais bien que C3 peut venir à la rescousse mais avec 10µF, je garantie pas...

Si jamais l'alim du CI tombe trop bas et que ça entraîne un ULVO puis reboot et ainsi de suite ya comme un souci...

[invitee6c3c18d]

Bsr. J'ai pas ce genre de connaissance mais en cherchant je trouve des infos, tu pourrais tenter d'en pécho sur cette app-note : https://www.maximintegrated.com/en/a...dex.mvp/id/848
Au paragraphe "RCD Clamp" ça étudie en détail de ton snubber avec des équations et tout puis il donne des idées d'amélioration en cas de pic de tension horribeul :

- The capacitor, CCLAMP, should have a low ESR and low inductance to handle the high peak currents during turn-off.

- The RC time constant of the clamp should be chosen much larger than the switching period of the MOSFET.

- The series diode used in the clamp should be able handle the peak currents and must be a fast turn-on type.

- The RC network may be replaced by a zener diode that can handle the voltage rating and the power dissipation.
( However, since the zener is not a fast switching device a capacitor may still be needed in parallel with the zener to handle the high frequency currents)

- Note that this snubber is not used in topologies with a clamped inductive load since it does not reduce ringing. "

[Montd'est]

Dans ton truc, R6 qui participe à la fixation de la fréquence n'est pas "alimentée" en positif par la référence de tension disponible borne 8 mais par une tension assez instable et peut-être même pas continue (à cause de C9 trop faible) vu que tu t'es repiqué en plus sur l'anode de D9 ( ce qui fait que tu profites pas du lissage de C3, mais tt façon, quand bien même, c'est pas régulé...)

Et la partie opto, pareil, elle exploite cette tension instable provenant du "AUX"... au lieu du 5 V régulé...

[inviteb5a95b47]

Bonjour,

Montd'est : j'ai mis l'ancien schéma depuis j'ai bien mis la résistance qui définie la fréquence sur le Vref, pour la boucle de retour je reste comme ca en augmentant ma capa de 2.2nF (Le problème venait de la quand ma sortie dépassé le seuil de la boucle et n'était plus stable du tout). Il n'y avait pas de soucis avec l'alimentation du CI.

ranarama : merci pour ce lien

[Antoane]

Bonjour,

j'essaye de comprendre et savoir comment j'obtiens 840V sur le drain de mon mosfet (Vin + Vreflexion + Vspike).
J'en suis arrivé la car la résistance de mon snubber chauffe énormément (les calculs ne sont pas correct mais je ne peux pas les refaire tant que je ne connais pas le Vsn pratique) et il me semble que le Vsn théorique n'ai pas du tout pareil.

Le Vsn (tension du snubber) utilise la formule suivante : 2*n*Vo (clairement la tension de reflexion n*Vo) et la vient l'autre probleme.

Dois je intégrer mon enroulement auxiliaire au ratio du transformateur? (n=73/(3+3)=12.166) ou dois je ne pas en tenir compte?(n=73/3=24.33)
car au final le résultat n'est pas le meme 292V pour l'un et 584V pour l'autre.
Si j'ai 292V c'est bien par contre si j'ai 584V en parallèle de la résistance de mon snubber, je comprend pourquoi elle chauffe.

L'allure de mon signal me laisse également perplexe (IMAG1122) par rapport au allure que l'on retrouve dans les notes d'applcations (courbe VDS).
Sur mon signal l'état haut correspond a l'état haut (bien plus mince) présent sur "courbe VDS" par contre plus rien apres :/

Il faut séparer :
- l'état transitoire à la commutation : la tension due au spike peut atteindre une valeur "très grande", c'est à ton snubber de l'absorber. Cette tension "très grande" est généralement assez difficile à déterminer a priori : elle est fonction de l'inductance de fuite du transfo, des caractéristiques du snubber...
- la surtension appliquée au Vds pendant le temps off. elle devrait valoir dans ton cas environ 677V : la tension d'alim (~385V) + la tension réfléchie (73/3*12~292V).

On observe sur ton oscillogramme que tu n'as pas de spike, tu pourrais augmenter la résistance du snubber. Ton mos tient 1kV et accepte de travailler en avalanche : http://www.st.com/web/en/resource/te...CD00159991.pdf, tu as de la marge.

Les autres enroulements n'ajoutent pas à la tension réfléchie.

Observes-tu à l'oscillo la tension de sortie de ton convertisseur ? Obtiens-tu une tension bien lissée ? Quid de la tension sur les enroulements de sortie : est-elle conforme aux attentes ?

[inviteb5a95b47]

Bonjour Antoane,

ci joint l'allure du signal de sortie qui est plutôt lisse. Par contre le niveau est beaucoup trop bas (~10V) et n'atteint pas le seuil de ma boucle de retour (12.2V). Si celle ci atteint les 12V elle sera conforme aux attentes car j'aurais ~1A (Rcharge=12Ohm).

Mon montage RCD chauffe beaucoup (surtout la résistance) et ceci est principalement du à l'inductance de fuite qui est trop grande et qui m'oblige à dissiper beaucoup plus. Elle peut également être du à la tension au borne de mon R (Vds mesurée à ~900V avec l'alim à ~325V mesurée j'obtiens ~575V au borne de R et C.

Le but du snubber est bien de réduire ce niveau au alentour de 900V? c'est bien ca ?

[Antoane]

Mon montage RCD chauffe beaucoup (surtout la résistance) et ceci est principalement du à l'inductance de fuite qui est trop grande et qui m'oblige à dissiper beaucoup plus. Elle peut également être du à la tension au borne de mon R (Vds mesurée à ~900V avec l'alim à ~325V mesurée j'obtiens ~575V au borne de R et C.

La résistance ne dissipe pas que l'énergie stockée dans l'inductance de fuite. Même quand cette inductance est nulle, la capa est chargée à la tension réfléchie lorsque le MOSFET est bloqué.

Le but du snubber est bien de réduire ce niveau au alentour de 900V? c'est bien ca ?

Le snubber a pour but de dissiper l'énergie stockée dans l'inductance de fuite. S'il était suffisamment efficace, la tension Vds serait égale à Vin~325V + la tension réfléchie Vrf~243V.
Je n'explique pas le fait que tu trouves Vds~900V.

[Montd'est]

en augmentant ma capa de 2.2nF (Le problème venait de la quand ma sortie dépassé le seuil de la boucle et n'était plus stable du tout). Il n'y avait pas de soucis avec l'alimentation du CI.

Ca n'a aucune cohérence à mon sens... et je pense que ça peut être le signe d'un défaut de conception...

[inviteb5a95b47]

Bonjour,

j'aimerais faire un comparatif avec l'écreteur zener.

Connaissez vous une note d'appli me permettant de dimensionner cet écreteur ?

Je n'arrive pas à en trouver comme je pourrais en trouver avec l'écreteur RCD.

Par exemple je sais que plus j'écrete bas, plus je dissipe. Ce passe t'il d'autre chose ?
Il me faudrait les formules.

[invitee6c3c18d]

bjr trouvé un truc mais il manque une page sur 3 ...
https://books.google.fr/books?id=-Vo...rmulas&f=false
Cependant avec un peu d'espièglerie le pdf est dans la poche

[Antoane]

Bonsoir,

j'aimerais faire un comparatif avec l'écreteur zener.

Connaissez vous une note d'appli me permettant de dimensionner cet écreteur ?

Je n'arrive pas à en trouver comme je pourrais en trouver avec l'écreteur RCD.

Par exemple je sais que plus j'écrete bas, plus je dissipe. Ce passe t'il d'autre chose ?
Il me faudrait les formules.

Il faut un écrêteur de tension de seuil supérieure à la tension réfléchie, sans quoi il va écrêter la tension de sortie.

[inviteb5a95b47]

Merci pour ces infos,

la tension réfléchie à t'elle un niveau habituel ? C'est à dire au au dessus de ce niveau ca induit ca au dessous ca induit ca

J'ai l'impression que ma tension de réfléchie est trop haute

[inviteb5a95b47]

Je ne suis pas certain d'avoir compris votre message antoane pouvez vous l'expliquer d'avantage ?

[Antoane]

Supposons un transfo de rapport n=20:1, supposé fournir Vo=10V.

Si ton écrêteur coupe à 100V, la tension max disponible au primaire du transfo pendant la phase de roue-libre (temps-off) vaudra... 100V. La tension au secondaire sera alors de 100/n=100/20=5V, soit moins que désiré. Il faut donc un érecteur coupant à au moins Vo*n=200V.

Comme tu veux minimiser la dissipation dans l'écreteur, en accord avec la formule donnée dans le lien de ranarama (je t'encourage à la démontrer, ou au moins à comprendre d'où sort ce facteur Vclamp/(Vclamp-Vor)) :

tu vas vouloir choisir Vclamp aussi grand que possible.

la tension réfléchie à t'elle un niveau habituel ? C'est à dire au au dessus de ce niveau ca induit ca au dessous ca induit ca

J'ai l'impression que ma tension de réfléchie est trop haute

Comme indiqué post 13, je ne m'explique effectivement pas que tu trouves une tension aussi élevée. Tu peux essayer de vérifier que ton transfo a le bon rapport de transformation...

PS : on peut se tutoyer

[inviteb5a95b47]

Merci pour la réponse en effet c'est logique