transistor montage amplificateur émetteur commun
Bonsoir tout le monde,
le montage que j’étudie:
es qu’on peux remplacer le transistor par son modèle petit signaux quand on étudie la polarisation ? (je suis sure que c'est pas possible mais qui sais)
comment peux on déduire h11, en sachant qu'on a R1, R2 ,Rc ,R4 en supposant que les condensateurs sont en court circuit en régime dynamique ?
Merci d'avance pour votre aide.
Bjr à toi,
Heu ; comme on ne sais strictement rien de ton transistor (petits signaux, grands signaux.....autres)
Sur quoi te bases tu en terme comparaison ??
Faudrait d'ABORD commencer par là !Pour le " h11 " , je passe la main.
Bon WE
Bonjour,
Non, quand tu étudies la polarisation, il ne faut pas utiliser le modèle petits signaux ( la polarisation n'est pas un petit signal, elle permet de définir les tensions sur les borne du transistor)
Pour la polarisation, voici comment on fait en pratique:
1- tu définies quelle tension Ve tu acceptes de perdre dans la résistance d'émetteur. Sachant que plus tu en prends, moins il restera pour le transistor) Souvent, on prend environ 1 ou 2 Volts.
2- tu définies le courant émetteur désiré Ie ( qui est en pratique égal au courant collecteur)
3- tu calcules la resistance d'émetteur R4 = Ve/ Ie
4- tu calcules la tension base Vb = Ve +0,6 volts ( transistor silicium)
5 - tu évalues le courant base Ib = Ie /beta
5 - tu calcules le pont de base R1 et R2 de façon à avoir la tension Vb calculée ci-dessus sur la base ....et aussi de façon que le courant qui passe dans ce pont soit très supérieur ( au moins dix fois plus) au courant Ib calculé ci-dessus. De cette façon ,la polarisation ne dépendra pas du beta du transistor.
6 - pour avoir RC: tu calcules ce qui reste de l'alimentation après avoir enlevé Ve , et tu en prends la moitié . donc V = ( Vcc - Ve)/2 et Rc = V/Ic en se rappelant que en pratique Ic est égal à Ie déjà calculé.
Pour calculer h11 :
Si tu supposes que la capa emetteur est très grande, alors l'impédance dynamique d'entrée est r = Ut/Ib = 26 mV /Ib
Il faut rajouter en parallèle sur cette impédance les deux résistances du pont de base.
Enfin, si le gain est grand et si le transistor fonctionne à des fréquences assez élevées, il faut vérifier si l'effet Miller joue. Pour ça, tu multiplies le gain en tension du transistor par sa capacité base collecteur. cette capa fictive calculée est à considérer en parallèle sur l'entrée.
Bonjour à tous,
Je suis d'accord qu'il faut que les polarisations du transistor ne dépendent pas du béta, qui peut varier dans de grandes proportions !
Donc j''aime bien cette méthode . Elle mérite même un exemple :
alimentation 9 V
Je veux 3 mA dans le transistor
je sacrifie 1,6V dans la résistance d'émetteur ( donc il y a 1,6 V sur l'émetteur)
ça donne :
Résistance d'émetteur : Re = 1,6 v / 3mA = 530 ohms ( j'arrondis à 560)
tension base : Vb = 1,6 V + 0,6 V = 2,2 V
Pour obtenir 2,2 V sur la base, à partir de 9 V d'alimentation, je peux par exemple prendre le pont de base R1 = 6,8 K ( vers le +) et R2 = 2,2 K ( vers la masse)
il reste pour le transistor et pour la résistance collecteur : 9V - 1,6 V = 7,4 V j'en prends la moitié pour la résistance collecteur Rc , d'où Rc = 3,4 V / 3mA = 1,2 Kohm
Je vérifie que le courant de base Ib est très inférieur au courant dans le pont de base:
courant dans le pont de base: Ip = 9V / ( 6,8K + 2,2 K) = 1 mA
Si le beta est de 100, le couranr base sera 3mA /100 = 30 µA
30 µA est très inférieur à 1 mA --> OK
Très bien, maintenant ma question : Gw gidaz donne l'impédance d'entrée en "émetteur commun" pour l'audiofréquence et pour des fréquences "assez" élevées .
Mais comment calculer l'impédance d'entrée aux fréquences "très élevées" ( centaines de MHz ) ?
à ces fréquences , d'autres données entrent en compte , comme la capacité "miller"
en 2017 on préfèrera étudier le transistor à partir de ses paramètres en "S"
[b]le bon sens est un fardeau, car il faut s'entendre avec ceux qui ne l'ont pas [/b]
Bonjour,
oui, l'effet miller a été déjà cité par gw gidaz.
en fait, je constate que l'impédance d'entrée des transistors ,en UHF par exemple, suit une loi assez mystérieuse.
OK, pour réaliser un ampli UHF, j'imagine qu'il suffit de faire une simulation en entrant les paramètres S.
la simulation est une démarche ....
mais rien ne vaut une bonne manip !
[b]le bon sens est un fardeau, car il faut s'entendre avec ceux qui ne l'ont pas [/b]
Hello. En étude polarisation, tu enlèves déjà tout les condos, tu y verras deja plus clair ^^
Si tu ne connais pas le h11 pour cette polarisation çi tu peux le trouver dans un logiciel de simu de type Spice, il le sort avec la commande .op (ou .dc ?) par contre je n'ai plus en tête son son nom exact : c pas noté h11 mais un autre surnom genre rpi ou rx ou non plutôt c la somme des deux .. arghh je crois mais j'en suis pas certain à 100% ...
Ensuite pose ic=ie (ib negligeable devant ic) et Vbe=0.7V et ensuite comme tu connais tes résistances tu as tout pour faire ton étude des tension / courant jusqu'au tracé de la droite de charge statique
Bonjour,
Oui, l'impédance d'entrée d'un transistor en émetteur commun , aux fréquences très élevées, suit des lois qui,peuvent paraître mystérieuses.
L’impédance d’entrée d’un transistor en émetteur commun et en UHF est en effet fonction de beaucoup de choses.
Tout d’abord, l’impédance entre base et émetteur est comparable à celle d’une diode en sens direct :
- Une diode parcourue par un courant i , a une impédance dynamique r = ut / i (où ut est égal à 26 mV pour le silicium.)
- Il faut rajouter en parallèle la capacité Cd dite de « diffusion » de la jonction .
Donc quand on injecte un courant Ib dans la base, une partie du courant va passer par la capacité Cd, et l’autre partie par la résistance dynamique rd . C’est cette dernière partie qui est multipliée par béta pour calculer le courant collecteur. Quand on monte beaucoup en fréquence, de plus en plus de courant passe par la capa, et de moins en moins par rd. Supposons un béta de 100 . A une certaine fréquence, il va passer 99% du courant base dans Cd, et 1% dans rd. Mais ce 1% de courant qui passe dans rd va donner 100 fois 1% dans le collecteur. Donc à cette fréquence Ft , le gain en courant du transistor est égal à 1.
Donc on pourrait penser qu’aux fréquences UHF, l’impédance d’entrée du transistor est une capa en parallèle avec la résistance rd….
Ce serait oublier qu’à ces fréquences, la connexion ( boîtier-puce) vers la base est un petite self en série. A une certaine fréquence, cette self va se combiner avec la capa Cd et on aura un circuit LC qui transforme la résistance rd ( en parallèle sur Cd ) en une résistance série , nettement plus faible. A cette fréquence, le transistor présente alors une impédance uniquement réelle, et faible, quelques dizaines d’ohms voire quelques ohms. Et au-delà, elle devient selfique ( + jX) )
Mais hélas ce n’est pas tout :
- La connexion base possède une résistance Rbb’ qui se trouve en série avec tout ça.
- La capacité Ct ( collecteur-base) du transistor ramène en parallèle sur la joncion une capa égale à Gv fois Ct. Mais cet effet Miller devient tordu, car si la charge collecteur n’est pas résistive, la phase du courant ramené par Ct va faire autre chose qu’un simple ajout de capa,( c’est pourquoi un amplificateur avec un circuit accordé dans le collecteur peut auto-osciller pour un certain réglage du circuit collecteur…)
- Et la connexion base -boîtier , donc base-masse ( émetteur commun) est selfique, ramène côté base une impédance en série… car on n’est plus dans la config émetteur commun, mais collecteur commun avec charge selfique dans l’émetteur. Et si enfin on veut bien faire en plaçant un condensateur de découplage pas trop grand dans l’émetteur, alors du fait du déphasage, on a un béta imaginaire, qui ramène une résistance négative sur la base…et un bel oscillateur.
Ouf….On comprend qu’ il vaut mieux faire une simulation, qui va calculer tout par les lois des circuits….( Giacoletto et autres) mais il vaut mieux savoir tout ça, pour ne pas être surpris par le comportement du circuit simulé : Dans une simulation, il faut savoir sur quoi agir pour atteindre un objectif…
Dernière modification par gwgidaz ; 17/12/2017 à 10h31.
