Bonjour,
après avoir vu et essayé plusieurs type de polarisations d'un transistor bipolaire , j'essaie maintenant les polarisations d'un transistor mos le BF246B , caractéristique dispo ici
mais contrairement au bipolaire , la mise en pratique est un peu plus délicate à cause de l'étalement des valeurs par exemple
VGSoff gate-source cut-off voltage min = −0.6V , max = -14.5 V pour le BF246B
avec le bipolaire il y avait moyen de connaitre le coefficient b de gain en courant ( Ic=b*Ib) , en le mesurant au multimètre ce qui permettait de calculer avant essai pratique les différentes tensions et intensités sans trop me tromper , mais un mos je ne vois pas comment obtenir facilement IDo , vgs cutoff . Pour l'instant tout ce que je calcule avant je ne le retrouve pas dans les mesures .
une idée de comment obtenir simplement les caractéristiques d'un composant mos qui sera utilisé ?
merci .
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