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caractéristique d'un transistor mos




  1. #1
    myr11

    caractéristique d'un transistor mos

    Bonjour,

    après avoir vu et essayé plusieurs type de polarisations d'un transistor bipolaire , j'essaie maintenant les polarisations d'un transistor mos le BF246B , caractéristique dispo ici

    mais contrairement au bipolaire , la mise en pratique est un peu plus délicate à cause de l'étalement des valeurs par exemple

    VGSoff gate-source cut-off voltage min = −0.6V , max = -14.5 V pour le BF246B


    avec le bipolaire il y avait moyen de connaitre le coefficient b de gain en courant ( Ic=b*Ib) , en le mesurant au multimètre ce qui permettait de calculer avant essai pratique les différentes tensions et intensités sans trop me tromper , mais un mos je ne vois pas comment obtenir facilement IDo , vgs cutoff . Pour l'instant tout ce que je calcule avant je ne le retrouve pas dans les mesures .

    une idée de comment obtenir simplement les caractéristiques d'un composant mos qui sera utilisé ?

    merci .

    -----


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  3. #2
    DAUDET78

    Re : caractéristique d'un transistor mos

    Citation Envoyé par myr11 Voir le message
    une idée de comment obtenir simplement les caractéristiques d'un composant mos qui sera utilisé ?
    dans quel montage ?
    Le BF246 est un NMOS à déplétion qui n'est plus tellement utilisé. Si tu veux comprendre le NMOS , regarde plutôt le BS170 dont le fonctionnement est plus proche des NMOS habituellement utilisés maintenant
    L'age n'est pas un handicap .... Encore faut-il arriver jusque là pour le constater !

  4. #3
    myr11

    Re : caractéristique d'un transistor mos

    je me suis trompé , c'est un simple jfet , et non mos . sinon concernant le montage , c'est pour calculer et tester différent types de polarisations , "polarisation automatique " , " polarisation par pont " , " polarisation par pont entre drain et masse " etc

    donc je dois calculer avant puis après je teste et mesure sur une platine pour voir si j'obtiens ce que j'ai calculé . et là c'est un peu difficile . J'ai reussi tout mes calculs et montage avec un bipolaire (BC547B , b=220) , mais pour ce jfet sans valeur bien précise je ne peux pas avancer .


  5. #4
    DAUDET78

    Re : caractéristique d'un transistor mos

    Citation Envoyé par myr11 Voir le message
    mais pour ce jfet sans valeur bien précise je ne peux pas avancer .
    Ben oui ....
    Tu veux l'utiliser pour quoi faire ? Un schéma ?
    PS : je crois que plus personne (sauf toi !) n'utilise ce genre de transistor .
    Dernière modification par DAUDET78 ; 08/01/2018 à 14h47.
    L'age n'est pas un handicap .... Encore faut-il arriver jusque là pour le constater !

  6. #5
    myr11

    Re : caractéristique d'un transistor mos

    C'est uniquement pour faire des exercices de polarisation . "polarisation automatique " , " polarisation par pont " , " polarisation par pont entre drain et masse "

    les calculs proposés en exercice dans le livre sont basés sur des jfet qui aurait comme valeurs vp=-2.5 V et IDO = 10 mA , pas de problème coté calcul .Mais je suis obligé de m'adapter à ce que j'ai comme composant sous le coude pour tester sur platine , faudrait que je refasse tous les calculs avec des caractéristiques propres au BF246B que j'ai à ma disposition .

  7. A voir en vidéo sur Futura
  8. #6
    DAUDET78

    Re : caractéristique d'un transistor mos

    Citation Envoyé par myr11 Voir le message
    les calculs proposés en exercice dans le livre sont basés sur des jfet qui aurait comme valeurs vp=-2.5 V et IDO = 10 mA ,
    Ton livre date de quand ? 1975 ?
    laisse tomber, c'est complétement obsolète en 2018 ..... tu n'apprendras rien d'utile .
    L'age n'est pas un handicap .... Encore faut-il arriver jusque là pour le constater !

  9. #7
    myr11

    Re : caractéristique d'un transistor mos

    j'ai trouvé id0 de mon jfet , c'est tout bête avec montage très simple . Une résistance de 100 ohm du drain au + . La grille et la source connectée par un fil ( VGS=0 ) . et je fais varier la tension au borne du montage jusqu'à ID reste constant .J'ai obtenu 60 mA . j'ai Id=ID0 ( 1+vgs/vp)^2 . pour vp même logique Vdscoude = vp pour vgs =0 je modifie la tension pour trouver la limite de saturation . ( j'ai trouvé autour de 10 V)
    Dernière modification par myr11 ; 08/01/2018 à 19h40.

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  11. #8
    myr11

    Re : caractéristique d'un transistor mos

    Citation Envoyé par myr11 Voir le message
    ( j'ai trouvé autour de 10 V)
    oups erreur de ma part , fallait que je deplace mes pinces au bornes pour mesurer VDS . et j'ai pour VP environ de 2.5 V pour rentrer dans le regime de saturation avec vgs=0 .

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