Bonsoir,
J'ai fais dernièrement des exercices sur l'étude de montages en régime continu comportant une diode ou un transistor bipolaire et je pense avoir bien compris.
J'ai appris que en régime sinusoïdal, il faut toujours transposé le schéma du montage dans un schéma complexe correspondant, faisant donc intervenir les impédances. N'ayant eu aucun exercices de montages comportant une diode ou un transistor dans ce régime, je me demandais si c'était aussi ce qu'il fallait faire (transposé le schéma en schéma complexe).

Je me permets de vous donner un exemple :
IMG_20230219_195050__01.jpg

Je pense pas me tromper en trouvant u(t) de la sorte :
Capture d’écran 2023-02-19 195001.png

Maintenant imaginer qu'entre le générateur de tension et le condensateur, on y place une diode ayant un seuil de 0.7V. Comment devrais-je procéder pour déterminer la tension u(t) aux bornes de la résistance R?
Je sais déjà que la diode est dite passante lorsque e(t) > 0.7V et dont la tension à ses bornes est de 0.7V; ainsi qu'elle est bloquée (comportement équivalent à un circuit ouvert) lorsque e(t) < 0.7V.
Devrais-je transformer le schéma dans sa représentation complexe?

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Comme je l'ai dit plus tôt j'ai étudié le transistor bipolaire en régime continu puis je l'ai étudié dans un régime dit dynamique. Je pensais que ça serait une autre manière de nommer le régime sinusoïdal mais la résolution des exercices ne m'a jamais emmené à transposer les schéma dans un schéma complexe avec des grandes complexes mais plutôt dans un schéma dit "équivalent dynamique" (SED). Transformant le schéma en quadripôle pour terminer le gain en tension, le gain en courant, l'impédance d'entrée et l'impédance de sortie.
Qu'en est-il alors du transistor dans un montage en régime sinusoïdal?