les niveaux d'energie dans un semiconducteur

[inviteea75116c]

Salut !
est ce que quelqu'un peut il m'aidé comment on peut détermine les niveaux d'energie introduit par un defaut dans un semi conducteur par la mesure du capacité de ce dernier ?
Merci d'avance
-----

[invite6dffde4c]

Bonjour.
Je n'ai jamais entendu rien dans ces eaux.
De plus, la capacité d'un semi-conducteur? Ce n'est vraiment pas clair.
D'où viennent vos informations?
Au revoir.

[invite7ce6aa19]

Salut !
est ce que quelqu'un peut il m'aidé comment on peut détermine les niveaux d'energie introduit par un defaut dans un semi conducteur par la mesure du capacité de ce dernier ?
Merci d'avance

Bonjour,

Je pense que tu fais allusion aux techniques de la famille DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy). Non?

[inviteea75116c]

Bonjour,

Je pense que tu fais allusion aux techniques de la famille DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy). Non?

Salut et merci beaucoup pour vous
oui je parle exactement de ça, mais en plus il ya une autre methode s'appel "Methode de la capacité thermostimulée"

[A voir en vidéo sur Futura]

[invite7ce6aa19]

Salut et merci beaucoup pour vous
oui je parle exactement de ça, mais en plus il ya une autre methode s'appel "Methode de la capacité thermostimulée"

Effectivement et c'est même une méthode que j'ai beaucoup critiquée. Paradoxalement c'est parcequ'elle est beaucoup trop sensible. Quand tu vois en DLTS 3 niveaux tu en trouves 15 en thermostimulée. Du coup tu ne peux rien conclure sinon qu'il y a 15 niveaux. En fait si tu avais une technique encore plus sensible tu trouverais 250 niveaux. Le gap est remplit de niveux profonds. La question est de connaitre leurs concentrations et leur rôle. En sachant qu'un niveau de faible concentration peut avoir un effet physique beaucoup plus important qu'un niveau de forte concentration. C'est le cas notamment des niveaux au milieu du gap qui sont les plus efficaces (centres de recombinaisons) pour diminuer la durée de vie des porteurs.

Sinon en général il s'agit dans ces techniques de faire une jonction (par exemple une jonction P++N ou une diode Shtokky) pour fabrique une zone de charges d'espace dans laquelle se situent les niveaux profonds et de jouer sur 2 paramètres: Le controle des niveaux occupés par le potentiel extérieur appliqué et la température pour controler l'émission des électrons localisés sur les niveaux profonds. Tout cela dans une ambiance traitement du signal permet de faire une spectroscopie de nivaux localisés.