Bonjour,
J'aimerais savoir si quelqu'un a deja entendu parler des "potentiels de deformation hydrostatiques" (en anglais "hydrostatic deformation potential"). Quelqu'un peut-il m'expliquer de quoi il s'agit??(je crois que cela concerne la deformation de la structure de bande dans les semiconducteurs)
Merci!
Salut,
La théorie du potentiel de déformation permet, connaissant le tenseur des efforts (ou tenseur des contraintes) d'une structure cristalline de prédire l'effet d'un effort sur la structure du cristal. C'est une théorie ne considérant que les perturbation au premier ordre.
On défini une matrice (opérateur de déformation) composée des potentiels de déformation.
De là on peut former l'hamiltonien de contrainte comme la somme des produits de l'opérateur de déformation mutilplié par les éléments du tenseur des efforts.
Les éléments de l'opérateur de déformation sont obtenus expérimentalement (et non calculés ab initio). La symétrie du cristal permet de diminuer le nombre d'éléments indépendants.
Parmis les méthodes utilisées pour mesurer ces coef il y a des mesures hydrostatiques (compression des échantillons plongés généralement dans un liquide) et on peut correler ces potentiels dit de déformation hydrostatique à ceux précédement définis.
Ciao
Re : Une quantite physique bien mysterieuse
Merci pour cette reponse tres detaillee! J'ai trouve des valeurs de ces potentiels dans des publis donc ce probleme est regle.
J'en profite pour te demander (Urga ou quelqu'un d'autre cale en semiconducteurs) si tu as deja entendu parle du gap excitonique dans un semiconducteur (en fait "excitonic band gap" en anglais). En effet, il semblerait que ce soit un (ou des) niveau d'energie situe au milieu ou en dehors du gap et cree par des excitons, permettant ainsi a des electrons de la bande de valence de passer plus facilement dans la bande de conduction. Je connais les energies des excitons (de type -R/n2, comme pour l'atome d'hydrogene) mais je ne sais pas quoi prendre comme origine des energies pour definir ce gap excitonique.
Puis-je ecrire E(gap excitonique)=Egap-R/n2 ou quelque chose dans ce genreJe ne parviens pas a trouver de renseignements au sujet de ce gap...
C'est exactement ça.Envoyé par tche
Puis-je ecrire E(gap excitonique)=Egap-R/n2 ou quelque chose dans ce genre
Dans un semi-conducteur le premiers niveaux excités ne sont pas les les paires électrons-trous mais les paires électrons-trous liés que l'on appele excitons.
Les bandes d'énérgies representent les excitations a 1 particule. On ne peut donc pas représenter les excitations a 2 particules dans un schéma de bandes.
En fait j'essaie d'obtenir des valeurs quantitatives de ce qui est appele le gap excitonique dans les publis.
Le probleme c'est que les valeurs que je trouve en utilisant la relation E(gap excitonique)=Egap-R/n2 ne collent pas du tout avec les valeurs experimentales. En effet une publi me donne par exemple pour GaAs, Egap=1,42eV et E(excitonique)=2,17eV ! Le gap excitonique semble donc plus grand! C'est pour cela que je doute de la formule ci-dessus, je ne vois pourtant pas ou est le probleme, peut-etre cela vient de la definition du gap excitonique.
Voici la meilleure definition que j'ai pu touver (dans une publication), mais je ne la comprend pas bien: "the temperature coefficient of the peak of energy in reflectivity is called the excitonic band gap".
Tu as bien saisi ce qu'est le gap excitonique (même si cette expression est peu utilisée car on préfére parler de gap seulement quand on a affaire à un continuum d'états - bande de conduction et de valence).
Le gap "excitonique" c'est le gap du matériau moins l'énergie de liaison des excitons. L'exciton représente une paire électron-trou en interaction coulombienne dans le cristal pouvant se déplacer dans le cristal.(Rq dans le Rydberg tu dois tenir compte de la masse réduite de la paire).
Lors de l'absorption d'un photon d'énergie supérieure au gap excitonique on peut avoir formation d'un exciton ce qui vaut dire un électron se déplaçcant à distance respectable d'un trou sans pouvoir s'échapper spontanément.
On observe lors d'expérience d'absorption des raies excitoniques juste en dessous du gap du matériaux. Il faut savoir que pour les matériaux massif Si, GaAs et autres la différence reste faible entre gap et gap excitonique; mais que pour des strucure confinées genre puits quantiques ou superréseaux on peut trés fortement modifier le premier niveau d'absorption.
Pour compléter dans les cristaux moléculaires genre anthracite les liaisons covalentes entre les atomes sont très forte comparées aux liaisons entre les molécules et les absorptions se font environ à mi-gap.
Ouf!
D'accord je crois que j'ai compris. Reste a savoir pourquoi j'ai plusieurs publications qui m'indiquent un gap excitonic beacoup plus grand que le gap dans GaAs et autres InP.
Urga, serait-il possible que je t'envoie la publi en question (fichier PDF) pour que tu y jettes un oeil? Merci beaucoup
Ok bien sûr.
Peut tu m'envoyer ton adresse e-mail ds ce cas , pour que je t'envoie la publi? (Car je ne peux y acceder d'ici). Voici mon adresse:
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Merci!
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