parametres en h du transistor pnp

[invite84e0ea9b]

bonjour,

ma question est un peu d'ordre global !!!
habituellement on decrit les transistors comme etant un quadripole
avec 2 variables d'entree et 2 variables de sortie
et le reseau de carracteristiques(entree, transfert, sortie ) determine la relation entre ces variables

dans le cas du transistor bipoaire(bjt)on a choisit decrire la relation
entre ces differents variables par des parametres hybrides (en H)

est ce que quelqu'un peut m'expliquer l'utilite de ce choix et ses avantages ??

merci d'avance
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[invite6dffde4c]

Bonjour.
Les paramètres hybrides correspondent au modèle physique du transistor et on peut les prédire à partir des caractéristique mécaniques et électroniques des parties du transistor.
h11 est bien la résistance d'entrée que l'on peut calculer (si on connait bêta h21) à partir du courant d'émetteur. h22 est l'inverse de la résistance du collecteur qui provient de la modulation de la largeur de la zone de charge d'espace de la jonction collecteur-base. h12 n'a plus d'utilité avec les transistors récents (de moins de un demi-siècle) un peu comme h22.
Et ce modèle peut être généralisé en alternatif avec des résistances de base et les capacités base-émetteur et base collecteur.
Les autres modèles pi, Y, S, sont des modèles mathématiques (boite noire) qui décrivent le fonctionnement d'un quadripôle sans s'occuper de ce qu'il y a dedans.
Au revoir.