Bonjour à tous,
J'ai un souci avec cette question. Maintenant, j'étudie sur la photodiode et il y avait un problème pour ça. On connait la longueur d'onde coupure pour Silicium est environ 1.1 Micro mettre (pour les photons sont capable de générer des porteur libres et alors un courant de conduction). Mais comment on peut déterminer la longueur d'onde minimale d'absorption du Silicium. Je pense que ça dépend du rendement quantitique, interne, externe. Comme si on envoie un lumière avec un longueur d'onde très petit à la surface du silicium, l'énergie des photons sont très grand, le coefficient d'absorption est aussi grand mais tous les trous et les électrons vont se recombiner et on n'a plus le courant de conduction. Mais est_qu'il y a qq connait comment on peut calculer le seuil minimal et qu'est qui se passe pour les porteurs libres à l'intérieur de la jonction P-N de photodiode dans ce cas.
Merci bcp et bonne journée
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