Avantage de SiO2 pour les électrodes et la résistance intrinsèque du Silicium
Bonjour,
J'aurais 2 question à poser :
Première : Pourquoi on doit mettre une couche SiO2 autour des électrodes métalliques (Kathode, Anodes...) des composants de puissance comme des transistors, mosfet...
Deuxième: On a une dopage non dopé du silicium avec la concentration ni~1010/cm-3. Quelle est l'équation pour calculer la résistance intrinsèque en fonction de ni, la longueur l, et la surface S?
Pourriez vous m'aider, s'il vous plaît?
Merci beaucoup pour vos réponses et bonne journée.
Je ne peux pas trouver des solutions pour ces deux questions.
Pourriez vous m'aider, c'est urgent.
Je serais heureux de recevoir vos réponses.
Merci.
Bonjour.
Le SiO2 est un bon isolant électrique et physique. Il protège le Si et les métaux contre l'oxydation. Le seul intérêt que je vois pour recouvrir les électrodes est d'éviter leur oxydation (s'ils ne sont pas en or), et éventuellement d'éviter leur électro-migration.
La concentration des porteurs ne suffit pas. Il faut que vous trouviez la mobilité des deux (électrons et trous). C'est à dire, leur vitesse en fonction du champ électrique.
Au revoir.
Merci beaucoup monsieur LPFR,
Vos réponses sont très raisonnable. C'est parfait pour la première question.
Pour la deuxième question, on a des donnés d’un échantillon de silicium intrinsèque (non dopé intentionnellement)
ni (300 K)=10E10 cm− 3
µe =1350 cm^2 .V− 1 .s− 1
µp =450 cm^2 .V− 1 .s− 1
Cordiallement
Re.
Imaginez que vous appliquez un champ E (en volts par cm, puisque on utilise encore des unités idiotes).
La vitesse sera v = µE (en cm/s).
Le courant qui traverse une surface S sera: qvnS
(charge de l'électron, vitesse, densité des porteurs, surface)
Et la densité de courant J = qvn = qµnE
Et la résistivité sera ρ = E/J = 1/(qµn)
Comme vous avez deux types des porteurs, la résistivité sera l'inverse de la somme des inverses des résistivités pour chacun (comme les résistances en parallèle).
A+
