salut
mon problème est : on considère un semi-conducteur dans lequel on a introduit N centres donneurs tri-polaires par unité de volume. chaque centre donneur a 3 états ++,+ et 0 .un e- de BC peut être capture par un centre donneur ++ pour donner un centre + de gD façon possibles.l'electron ainsi capturé se trouve sur le niveau d’énergie ED2 de degré de dégénérescence gD2.un e- de BC peut etre aussi capturé par un centre donneur + il donnera un centre neutre de gD1 façon possibles: l'electron ainsi capturé se trouve sur un niveau d'energie ED1 de degré de dégénérescence gD1.
calculer le peuplement des niveaux des divers états de charge en utilisant le principe du bilan détaillé.