Bonjour,
Dans le cas d'un semiconducteur homogène je lis que le courant d'électrons et de trous sont donnés par:
Jn = qnµnE
Jp = qpµpE
Pourtant, un trou dérive bien dans un sens opposé à l'électron? Ce qu'on retrouve dans un semicon non homogène pour la diffusion:
Jn = qnµnE - (-qDngrad(n))
Jp = qpµpE + (-qDpgrad(p))
Comment expliquer ces orientations?
Merci
@LPFR: Désolé, je n'ai pas eu le temps de tout lire et je n'ai pas trouvé la réponse en lisant en diagonal !
Dernière modification par Anduriel ; 05/06/2012 à 19h33.
Bonjour.
Oui, sous l'effet d'un champ électrique, les trous dérivent dans le sens opposé, mais leur charge est aussi opposée. Ce qui fait que le courant à la même direction que celle des électrons.
Mais quand il s'agit de dérive par la diffusion, celle-ci à la direction opposé au gradient. Donc il y a un signe '-' pour les trous (si la concentration augmente vers la droite, la dérive est vers la gauche).
Et pour les électrons il n'y a pas de signe '-' car si la concentration est plus forte à droite, la dérive est vers la gauche et le courant sera vers la droite à cause du signe des charges.
Au revoir.
Merci, c'est beaucoup plus clair
