salut
s'il vous plait j'ai une question
pour doper un échantillon de silicium, on peut utiliser des composés tels que le phosphore ou bien encore le bore
si on a un dopage au phosphore seulement ou un dopage au bore seulment je savais determiner les
concentrations des électrons et des trous
mais si on a co-dopage au phosphore à 10^16 cm^-3 et au bore à 10 ^15 cm-3
ni=10^10 cm^-3
comment je vais faire ?
et merci
Bonjour.
Si les deux impuretés sont ionisées (à la température ambiante), alors chaque donneur (P) ajoutera un électron et chaque accepteur (B) ajoutera un trou.
Le silicium deviendra N ou P suivant le dopant majoritaire.
C'est comme cela que les transistors par diffusion sont faits: on prend un substrat N on diffuse des accepteurs pour créer la base P puis on diffuse des donneurs pour retransformer une partie de la base en N à nouveau pour faire l'émetteur.
Au revoir.
