Bonsoir à tous,
J'ai une question en rapport avec la caractéristique courant-tension.
Est-ce que quelqu'un pourrait me dire s'il y a plus d'avantages (rendement, efficacité ou qui casserait moins vite ou encore autre chose) avec une diode qui a une tension de seuil de 0,7V ou avec une diode qui a une tension seuil de 0,3V ?
Est-ce qu'il vaut mieux une tension de seuil la plus petite possible ou la plus grande possible ? Quels avantages ?
Merci d'avance pour tous les renseignements !
Bonjour
Tout dépend de l'utilisation......
En science " Toute proposition est approximativement vraie " ( Pascal Engel)
Bonjour,
Tout dépend de ce que tu cherches, mais garde en tête que les pertes Joules sont fonction du carré de l'intensité. Donc si tu vises l'efficience, une tension plus élevée (et donc un intensité plus basse) semble une bonne idée.
Mais il nous faudrait plus de détails concernant l'usage.
Et bien, en fait, j'aimerais simplement comprendre les points suivants que j'ai lus dans ma documentation sur les diodes :
1) les diodes en Ge (càd celles qui ont une tension seuil de 0,3V) sont plus utiles pour des applications à bas voltage ;
--> ça doit être lié à l'épaisseur de la zone de déplétion qui est plus petite pour les diodes en Ge que celle des diodes en Si. Mais pourquoi ?
2) la diode en Si est le seul choix possible pour des hauts voltages;
-->ça doit être lié au fait que la tension inverse n'est que de qlqs volts pour la diode en Ge mais de 100V pour la diode en Si. Pourrait-on m'expliquer ? Car je ne suis pas sûre en fait ...
3) j'ai lu que la diode en Ge était assez sensible aux grandes variations de températures (mauvaise stabilité aux températures élevées (et pour ce qui est de très basses températures ? Je ne sais pas ...). J'ai lu que ça pouvait soit être un problème (ça je comprends pourquoi) mais que dans certains cas, ça pouvait s'avérer utile une diode avec une mauvaise stabilité aux température mais je ne vois pas en quoi ?
4) Le fait que la capacité (capacitance) de la jonction en Ge soit très basse est très utile pour des usages très fréquents de la diode. Pourquoi cela ?
Par ailleurs, il est précisé que la diode en Si qui a une capacité faible est également disponible (puisqu'elle fonctionne) mais que sa capacité est toujours plus élevée que le "point contact type". Je ne sais pas traduire "point contact type" car je ne sais même pas ce que cela signifie ... Quelqu'un a-t-il une idée ?
J'aimerais vraiment comprendre ces points théoriques. Quelqu'un pourrait-il m'y aider, si'l vous plaît ?
Merci.
J'ai oublié une question en plus dans mon message précédent :
Quand tu dis : "garde en tête que les pertes Joules sont fonction du carré de l'intensité. Donc si tu vises l'efficience, une tension plus élevée (et donc un intensité plus basse) semble une bonne idée."
--> quand tu écris "pertes Joules sont fonction du carré de l'intensité", c'est bien l'intensité du courant ? (C'est ce que je penses mais histoire d'être sûre ...).
--> quand tu fais référence à "une tension plus élevée", tu parles bien de la tension de seuil ?
Merci d'avance pour ton aide
Personne ne sait m'aider, ne serait que pour un de ces points ci-dessus ?
J'ai déjà évidemment effectué des recherches sur internet avant de poster mes messages sur le forum mais je n'ai pas trouvé de réponses à mes questions malheureusement ...
Je suis preneuse de tous les éclaircissements, renseignements que l'on voudra bien me donner.
Bonjour.
1 - Les diodes au Si ne commencent à donner des courants utiles que vers 0,5-0,6 V. Donc, si vous voulez redresser une tension de 0,4 V, vous n'obtiendrez rien. Alors que les diodes au Ge, commencent un peu plus tôt.
2 - Il est vrai qu'on ne fabrique pas des diodes au Ge pour des tensions élevées. Mais cela n'est pas lié aux propriétés intrinsèques du matériau. On pourrait faire des diodes haute tension en Ge. Mais le Ge est plus cher à fabriquer avec fiabilité. Il faut passiver les surfaces avec... de l'oxyde de SI.
3 - Le "gap" (la "bande interdite") du Ge est plus faible (0,3 eV) que celle du Si (1,1 eV). Cela rend la concentration des porteurs minoritaires plus sensibles à la température. Mais pour l'expliquer il faut rentrer plus dans les détails (distribution de Fermi).
4 - Encore une idiotie. La capacité de la diode dépend du profil du dopage. Le fait que ce soit su Ge ou du Si, ne change rien. C'est la fabrication qui décide. De plus cette capacité est une naissance sauf pour une utilisation: la diode varicap.
Ce que vous avez lu est un ramassis d'idées reçues.
Par contre la seule vrai avantage du Ge par rapport au Si, et qui n'est pas mentionné dans votre cours, est la mobilité des porteurs plus élevée dans le Ge, ce qui fait que, potentiellement, on peut fabriquer des transistors plus rapides en Ge qu'en Si.
Au revoir.
Et bien, merci !
Je ne m'attendais pas du tout à cela comme réponse ... Car en fait c'est un prof qui nous a donné une petite documentation supplémentaire sur le sujet et en lisant je m'étais donc posée quelques questions comme vous le savez.
C'est un bon prof pourtant. Mais peut-être était-il un peu pressé lorsqu'il nous a donné cette documentation (on est en fin d'année académique).
En tout cas, encore merci pour ces précieuses infos
En relisant votre réponse, je me suis rendue compte que je ne comprenais pas vraiment votre explication par rapport au point 4). Pourriez-vous un peu plus expliciter votre réponse, s'il vous plaît ?Envoyé par LPFR
Pourquoi est-ce la fabrication qui décide ? Que voulez-vous dire par "cette capacité est une naissance sauf pour une utilisation: la diode varicap" ?
Une naissance ?
Pour les autres points 1) à 3) plus votre complément d'infos, je vous remercie. C'est vraiment sympa ! Ca m'aide
Bonjour.
Désolé. C'est une faute de frappe. Il faut lire "nuisance" et non naissance.
Au revoir.
