bonjour je sais si l'endroit le mieux placé pour posser une question , mais la poser, c'est a propose de la conception de couches mince avec epitaxie par jets moléculaire,c'est que si on prend du silicium comme substrat et du FeSi comme couche mince a dépose, ce qui me pose probleme c'est comment savoir si l'epitaxue sera avec un accolement direct ou indirect
Bonjour.
Oui. C’est le bon endroit.
L’épitaxie n’est pas mon fort, et je ne sais avec certitude ce qu’est un accolement direct ou indirect. J’imagine qu’on a un accolement direct si les paramètres de maille de la surface du silicium correspondent aux paramètres de maille du FeSi. Mais attention, le FeSi, peut pousser dans l’orientation avec laquelle les paramètres de maille s’accordent le mieux avec ceux de la surface du Si. Donc, pas nécessairement le même plan cristallin.
Peut-être que des travaux comme celui-ci peuvent vous inspirer :
https://www.google.fr/url?sa=t&rct=j...,d.d2s&cad=rja
Au revoir.
je vous remerci
