Bonjour à tous,
Je rencontre actuellement des difficultés pour comprendre le fonctionnement interne d'une diode de protection ESD.
Je ne peux pas faire de schémas explicatifs, je vais essayer de vous la décrire en quelques mots.
Il s'agit d'une structure verticale avec dans l'ordre : un substrat N++ (l'Anode), une épitaxie N-, une buried layer P+, une épitaxie P- et une base N+ (la Kathode). Toutes ces couches (excepté le substrat) sont encadrés par des tranchées d'oxyde de silicium et sont donc délimités de la même manière latéralement.
La caractéristique I(V) montre un comportement quasi-similaire à une diode mais présente un effet de retournement (snap-back) en inverse que l'on retrouve assez souvent dans ce type de protection. C'est principalement cet effet que je n'arrive pas à expliquer "avec les mains" et au niveau des équations... Si quelqu'un peut m'éclairer sur ce point, se serait super ! Je reste à votre disposition si vous avez des questions.
Merci d'avance pour votre aide !
PS : j'ai hésité entre Physique et électronique pour le post, j'espère être dans la bonne section...
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