Bonjour,
Je suis un peu coincé dans la compréhention d'un circuit de Schmitt (voir schéma).
Je connais la technologie des transistors et le rapport (W/L) de M1 ainsi que la tension d'inversion de I1,I2: Vdd/2.
On recherche une tension de transition de niveau haut à bas de Vl (connue). Je dois donc trouver la relation d'aspect (W/L) de M2...
Je ne vois pas comment faire...
merci
M1 et M2 forment un diviseur de tension...
D'accord, mais alors je vois toujours pas comment relationner VL et (W/L)1 à (W/L)2...
{ Yi (Vi-V) = 0
qqe çà veut dire W, L ... ??
- Yi (Vi-V) = 0 ? répéter pas compris
- relation d'aspect du transistor, L=longitude du canal, W=largeur
Bonjour
J'avoue que je ne comprend pas ce que sait W/L mais voilà le raisonnement que je te propose :
- Il te manque une caractèristique de M2, c'est pour cela que tu n'arrive pas à calculer les seuils de commuatations, c'est bien cela?
- Je vais considérer que M1 est une résitance RD1 et M2 est une résistance RD2 (RD2 qu'on connait pas).
Par thoreme de superposition je tire la tension Vx
Vx=RD1/(RD1+RD2)*V0 + RD2/(RD1+RD2)Vi
je pose Vx> Vdd/2 alors V0=Vcc
RD1/(RD1+RD2)*Vcc + RD2/(RD1+RD2)Vibh = Vcc/2 (1)
(j'ai mis Vx=Vdd/2 cad à la limite de commutation
vers haut)
avec Vibh : tension Vi de commutaion du bas vers haut
je pose Vx< Vdd/2 alors V0=0
RD2/(RD1+RD2)Vihb = Vcc/2 (2)
(j'ai mis Vx=Vdd/2 cad à la limite de commutation
vers bas)
avec Vihb : tension Vi de commutaion du haut vers bas
à partir de (1) tu peu tirer RD2 en fct de RD1 et Vibh.
à partir de (2) tu peu tirer RD2 en fct de RD1 et Vihb.
Si on te donne Vibh tu trouve RD2
àprés tu trouve Vihb à partir de (2)
Sans Vibh je ne vois pas comment tu fera!! est ce que on te le donne??
Maintenant adapte mon calcul à ton W/L car je pense qu'il y a une realtion qcq, non??
Vérfie, j'espere que je me suis pas trompé.
Merci, ta réponse est très claire.
Effectivement, on me donne Vihb.
Et la relation qui permet de faire le lien est:
ReqN=RD1=(2*(L/W))/(Kn'*(Vdd-Vtn)), où W/L est le rapport qui définit les dimensions du transistor.
Attention je crois qu'il y a quelque chose qui ne joue dans ce que tu as écrits.
N'as tu pas inversé Vibh et Vihb?
Parce que si Vibh>Vdd/2>Vihb, alors la 2) équation donne:
(Vdd/2)*Rd1=Rd2*(Vihb-Vdd/2)
et dans ce cas le 2e terme est négatif; ce qui n'est pas possible...
je rencontres encore un problème pour savoir où sont le Drain et le Substrat de chaque transistor.
Je pense que le Drain de M1 est à Vx et le substrat à Vi et que le Drain de M2 est à Vx et le substrat à Vo
quelqu'un peut me donner son avis?
Par exemple dans quelle zone de fonctionnement sont M1 et M2 juste avant que la sortie passe de bas à haut avec Vx=Vdd/2? ohm et cut?
bonjour
Ah oui! je les ai inversé, désolé
Voilà la correction j'espere qu'elle est juste cette fois
Par thoreme de superposition je tire la tension Vx
Vx=RD1/(RD1+RD2)*V0 + RD2/(RD1+RD2)Vi
quand Vx passe de >Vdd/2 à <Vdd/2 alors V0=Vcc
(cad avant la commutation V0 =Vcc)
RD1/(RD1+RD2)*Vcc + RD2/(RD1+RD2)Vihb = Vcc/2 (1)
(j'ai mis Vx=Vdd/2 cad à la limite de commutation
vers bas)
avec Vihb : tension Vi de commutaion du haut vers bas
quand Vx passe de <Vdd/2 à >Vdd/2 alors V0=0
(cad avant la commuatiton V0 =0)
RD2/(RD1+RD2)Vibh = Vcc/2 (2)
(j'ai mis Vx=Vdd/2 cad à la limite de commutation
vers bas)
avec Vibh : tension Vi de commutaion du bas vers haut
à partir de (1) tu peu tirer RD2 en fct de RD1 et Vihb.
à partir de (2) tu peu tirer RD2 en fct de RD1 et Vibh.
Si on te donne Vibh tu trouve RD2
àprés tu trouve Vihb à partir de (1)
Pour t'a deuxième question je suis tenté de dire que le drain de M1 est à Vi et celui de M2 à Vo.
Mais j'en suis pas sure (J'ai des progrés à faire en Effet de champ!).
Je sais pas si la tension de drain doit être superieure à la tension de source, si c'est le cas.
Vi> Vx alors Drain de M1 à Vi
V0> Vx alors Drain de M2 à V0
Encore une fois ce n'est qu'une suposition!! Vérifie!
