Quel Transistor pour 6A

[inviteeddea82a]

Salut

Je recherche un transistor capable de supporter un ICsat de 6A mais en revanche un VCEsat inferieur a 1V le tout en NPN

Le but est de faire un PWM donc un biolaire suffira je pense

QQ a une ref a me proposer



Merci
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[invite5637435c]

Pourquoi pas un Mos?

En choisissant un Rds(on) faible tu auras un V(ds) aussi faible que tu le souhaites.
En plus ta commande sera simplifiée et de type tension.

Pour te proposer un modèle qu'il soit bipolaire ou Mos il faudrait que tu nous indique la tension de service de ta charge.

[inviteeddea82a]

Pourquoi pas un Mos?

En choisissant un Rds(on) faible tu auras un V(ds) aussi faible que tu le souhaites.
En plus ta commande sera simplifiée et de type tension.

Pour te proposer un modèle qu'il soit bipolaire ou Mos il faudrait que tu nous indique la tension de service de ta charge.

oui en effet bonne idée , la charge marche en 12V

[invite5637435c]

Tu peux prendre par exemple l'IRF3205 Rds(on)=0.008 Ohm soit dans ton cas un V(ds)=48mV et une puissance dissipée de 0.288W max pour un rapport cyclique de 100%
Donc pas besoin de dissipateur et si tu prends le modèle IRF3205S (D²PAK) tu peux le souder à plat sur ton PCB.

[A voir en vidéo sur Futura]

[inviteeddea82a]

Tu peux prendre par exemple l'IRF3205 Rds(on)=0.008 Ohm soit dans ton cas un V(ds)=48mV et une puissance dissipée de 0.288W max pour un rapport cyclique de 100%
Donc pas besoin de dissipateur et si tu prends le modèle IRF3205S (D²PAK) tu peux le souder à plat sur ton PCB.

Merci ce ta reponse mais d'ou tu sors le 0.288W ??
et temps qu'on y est ya til besoin d'une resistance de Grill ? si oui comment la polariser

[invite5637435c]

P=Rds(on)*Id²=0.008*6²=0.288W

[invite5637435c]

La résistance de Gate permet de ralentir la vitesse de commutation du Mos en créant un RC avec la capacité d'entrée, si tu travaille à faible fréquence tu peux mettre une valeur de 1K~10K.
Si tu utilises un µC ayant une sortie à drain ouvert, il faudra penser à mettre une résistance de pull-up pour que la Gate ne se retrouve pas en l'air sinon tu risques des commutations erratiques ou pire de faire travailler le Mos dans sa zone ohmique.
@+