JFET en commutateur

[invite396eff55]

Bonjour à tous,

En pièce jointe, le schéma source de mes interrogations de débutant en la matière : si Vcmde =+ 10 V (avec VE tension continue variant de 0 à - 5V), la diode est-elle bien bloquée ?
Si on considère le courant de grille nul, quel est la valeur de Vgs ?

Merci
Zuccone
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[invite396eff55]

Y a t-il quelqu'un pour me débloquer la-dessus ?
Je suis à la ramasse

[DAUDET78]

Je vois pas trop ton probléme, la diode est bloquée et la tension grille est égale à VE

[invite396eff55]

Merci.
Et dans le cas ou Vcmde = -10 V, a t-on un état différent du transistor pour VE = 0 V et VE= - 5V, la diode est bien passante dans les 2 cas ? Et Vgs ?

[A voir en vidéo sur Futura]

[DAUDET78]

De quel coté est le drain de ton transistor ?

[invite396eff55]

Le drain est côté RD et la source à droite

[invite396eff55]

Je vois pas trop ton probléme, la diode est bloquée et la tension grille est égale à VE

Si la diode est bloquée, je ne vois pas comment VG peut être égale à VE, c'est peut être une bêtise mais j'aurais dit VG = VE - URD (URD : tension aux bornes de la résistance RD) ...

Dans le cas où Vcmde = - 10 V et VE = 0V, je trouve VG = -9,3 V, quelle conclusion puis-je faire sur la tension VGS et sur l'état du transistor ?
Merci beaucoup pour votre aide.

Zuccone

[DAUDET78]

1/ C'est quoi la référence du MOS?
2/ C'est un exercice de cours ou une réalisation réelle? Popour faire un switch analogique, il y a des circuits Ad Hoc

[invite396eff55]

Je n'ai pas la référence du MOS.
C'est un exercice et non une réalisation personnelle : je n'ai pas d'autres données sur le circuit ... en tout je me prends bien la tête dessus

[DAUDET78]

Vcmde =+10
La diode est bloqué
Si VE = +5V, VG = 5 V Le courant dans RD est nul, donc VG=VE Donc le transistor est saturé et VS=VE (en supposant le MOS parfait Ron=0 ohm)
Si VE = 0V, VG = 0 V donc le transistor est saturé
Si VE = -5V, VG = -5 V mais le transistor est polarisé en inverse (Tension drain plus petit que tension source) et ça dépend du transistor (d'où ma demande de spécification).
NB: Dans les trois cas le raisonnement est valable si VS à une charge reliée au 0V.


Vcmde = - 10 V
Si VE = +5V, VG = -9,4 V La tension grille-source est négative donc le transistor est bloqué
Si VE = 0V, VG = -9,4 V La tension grille-source est négative donc le transistor est bloqué
Si VE = -5V, VG = -9,4 V La tension grille-source est négative mais le transistor est polarisé en inverse (Tension drain plus petit que tension source) et ça dépend du transistor (d'ou ma demande de spécification).
NB: Dans les trois cas le raisonnement est valable si VS à une charge reliée au 0V.

[invite396eff55]

Merci pour cette réponse.

[U]
Si VE = -5V, VG = -9,4 V La tension grille-source est négative mais le transistor est polarisé en inverse (Tension drain plus petit que tension source) et ça dépend du transistor (d'ou ma demande de spécification).
NB: Dans les trois cas le raisonnement est valable si VS à une charge reliée au 0V.

"Tension drain plus petit que tension source" : on connaît la tension source ?

[invite396eff55]

Merci pour cette réponse.




"Tension drain plus petit que tension source" : on connaît la tension source ?

Désolé, je viens de me rendre compte de la stupidité de cette question, ne pas en tenir compte.
Merci