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Problème driver mos, étage de puissance mos,bootsrap



  1. #1
    nico327

    Problème driver mos, étage de puissance mos,bootsrap

    Bonjour à tous , un nouveau de plus sur ce site.Je suis étudiant en école d'ingénieur en électronique/majeur micro électronique,, et dans le cadre d'un étude je suis confronté a un gros problèmes pour moi .Il s'agit de driver un pont de transistors N mos de puissance .Pour celà j'utilise un driver de texas instrument TPS28225.Je travaille à des fréquences de commutation de 1.4MHZ(donc si j'ai bien compris un temps de commutation de#10ns) .En sortie du driver on retrouve un demis pont en H de transistors NMOS .Mon premier problème vient du fait du potentiel flottant du MOS du haut , high MOs .
    Si j'ai bien compris pour commander mes Mos supposon qu'il faut une tension Vgs #5V , le transistor du bas ne pose pas de problème puisse sa grille est piloté entièrement par le driver LGATE(n.b :source à la masse).Tandis que le mos du haut à sa source à un potentiel flottant.Il faut donc pour le mettre ON, lui appliquer une tension Vgs#5V à son tour.C'est la que ça se gate.J'ai cru comprendre que c'était le rôle de la capacité de bootstrap.
    J'ai donc fait une loi des mailles toutes bête, Vboot-UC = Vsource .En connaissant le courant de sortie de Vboot et la tension Vboot ainsi que la tension Vsource à obtenir pour avoir VGS=5V je peux donc déterminer la capacité de bootstrap.Mais la je bloque !!!!!! parce que si je suppose que quand le Mos est ON, on a VDS=RDSon*ID avec un VD=15V et un ID#2A et un RDSon de 36mohms , je me retrouve disons avec un VS #14-15V !!! OR jamais je ne pourrais avoir Vsource=Vboot-Uc = 14V!!!! puisque mon driver est alimenté en 8V!!!!! AIDEZ moi SVP, il y'a plein de chose qui m'ont échapper où je suis vraiment débile !! COMMent connaître cette valeur de capa de bootstrap , surtout que dans la doc technique , il ne donne aucun moyen de la calculé !!!! ,
    MERCI BEAUCOUP d'avance !!! ( je précise à ma charge que je n'ai pas étudié cette année le mos en commutation, mais seulement en saturation, lol , donc soyez gentill!!)
    P.s:j'ai encore d'autre question après celle la .

    -----


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  3. #2
    Zig38

    Re : Problème driver mos, étage de puissance mos,bootsrap

    Bonsoir,

    Monsieur le futur ingénieur, (je plaisante9, sache que les techniciens aiment bien discuter le bout de gras AVEC un schéma, c'est plus simple à avaler que de la prose.

    Tu n'aurais pas un chti schéma à nous montrer?

    Merci.

  4. #3
    nico327

    Re : Problème driver mos, étage de puissance mos,bootsrap

    si j'en ai une , merci enfin un début de réponse peut être ( ça m'arrangerait, j'ai bien envie de savoir avant de dormir, lol,)
    il s'agit du schéma en page 2 de cette data sheet : (schéma typical application ) http://focus.ti.com/lit/ds/symlink/tps28225.pdf
    P.S :ne pas prendre en compte la bobine au niveau de vout dans mons cas.

  5. #4
    vincent66

    Re : Problème driver mos, étage de puissance mos,bootsrap

    Hello !
    Pour ma première réalisation de driver de NMOS high-side, j'ai utilisé un convertisseur DC/DC à séparation galvanique, qui alimentait un optocoupleur... et comme un bon élève, j'ai branché la masse de la tension de sortie à la source du MOSFET, et n'ai jamais pu observer la moindre entrée en conduction du transistor.
    Après moultes recherches, je suis tombé sur un article de Motorola dans lequel ils préconisaient d'appliquer à la gate une tension de VCC+VGS... je n'ai pas eu le temps de vérifier ceci, mais je pense que c'est à prendre en compte...

    Vincent

  6. #5
    nico327

    Re : Problème driver mos, étage de puissance mos,bootsrap

    merci pour cette aide.Mais dans mon cas, je ne vois pas comment appliquer cette tension vCC+ vgs et je ne vois pas pourqoi , et j'ai oublié de préciser je suis contraint pour l'instant à utiliser ce driver de texas et cette configuration( imposé par le chef tout puissant, lol)

  7. A voir en vidéo sur Futura
  8. #6
    HULK28

    Re : Problème driver mos, étage de puissance mos,bootsrap

    Bonjour,

    Hum, ça a bien changé dans les écoles d'ingé...

    Tu as surement appris qu'un N-Mos conduit dès l'instant que Vgs est supérieur à Vgs(th).
    Si tu as un bras de pont, le mos du haut devra recevoir sur sa gate: V(source)+Vgs(th) pour conduire.
    C'est ce qu'on appelle un montage en High-side (coté haut).

    Pour cela il faut utiliser des circuits de commandes adaptées à la situation (voir chez Harris ou IR), famille des circuits de commandes demi-pont (half-bridge) ou pont complet(full-bridge).
    @+
    Tout est bien qui finit.

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  10. #7
    HULK28

    Re : Problème driver mos, étage de puissance mos,bootsrap

    Le circuit Texas que tu indiques est tout à fait adapté à la situation, il suffit de lire la doc.
    Tout est bien qui finit.

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