merci,Bonjour,
Tu peux par exemple prendre un IRF520.
J'ai refais le schéma, avec le symbole de l'IRF520. G correspond à gate, D à drain et S à source. Pour le brochage du composant -savoir à quelle "patte" est relié le drain, la source et la gate-, voici la datasheet.
EDIT : le nom sur le schéma est celui de l'IRF540, mais ça revient au même, désolé.
et entre +12v et la masse c'est du courant continu?
Est-ce que le fait d'augmenter la fréquence fait augmenter la consommation?
merci!!!
Bonjour,
Edit mon schéma : j'ai oublié l'indispensable diode de roue-libre en parrallèles de la bobine (comme montrée post#8).
Oui, mais c'est un signal carré (le même que celui qui sort de ton 555) qui traverse la bobine.et entre +12v et la masse c'est du courant continu?
Je ne comprend pas très bien ta question ?Est-ce que le fait d'augmenter la fréquence fait augmenter la consommation?
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
ce que je veut dire pour la fréquence c'est:
Si on alimente en alternatif une bobine 12v 2A 10hz.
Et la meme bobine mais avec 2000 hz.
Est-ce que la consommation sera toujours de 24W?
merci
Non, la puissance sera de 24W, la consomation dépend, elle du temps durant lequel la bobine est alimentée (dans le cas d'un signal carré, c'est la moitier du temps).
Par exemple, si tu alimente le montage (555 + bobine) pendant 1/2heure, la bobine sera alimentée pendant 1/4 heure, la consomation sera donc de 24*0.25=6W.h
C'est simplifié, car j'ai assimilé la bobine à une résistance dans les calcul, ce qui n'est pas tout à fait exact. C'est pour cela que (tout ça pour si peut ) je ne sais pas si la consomation sera identique.
Désolé.
Demande peut-être par MP à quelqu'un de plus expérimenté de venir jetter un oeuil pour t'aider, si personne ne passe....
bon courage.
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
Bonjour
La puissance transmise à la bobine dépend d'une part du rapport cyclique (r) et de la fréquence (F) du signal de commande, et d'autre part de l'impédance de la bobine.
En effet, en première approximation la bobine peut être considérée comme la mise en parallèle d'une résistance R et d'un inductance L, qui se comportent comme un filtre passe-bas avec fréquence de coupure fc = R/(2.π.L).
À fréquence de fonctionnement F très faible devant fc, la puissance instantanée transmise à la bobine passe alternativement de P=U2/R (transistor saturé) à P=0 (transistor bloqué), et la puissance moyenne est proche dePm0 = r.U/RÀ fréquence de fonctionnement F élevée devant f0, le courant traversant la bobine est pratiquement constant et égal à i = r.U2/R . La puissance moyenne transmise à la bobine est alors proche dePm1 = R.i2 = r2.U2/RÀ une fréquence intermédiaire, la puissance moyenne est comprise entre Pm0 et Pm1 .
La puissance moyenne transmise à la bobine dépend donc de la fréquence et du rapport cyclique.
Un transistor n'est pas fait pour alimenter directement une charge en alternatif. Le courant circulant dans ce transistor est forcément polarisé.
Toutefois, on peut insérer le transistor dans un pont redresseur double alternance, mais cela présente un gros inconvénient puisque l'alimentation de la charge commandée et l'alimentation du circuit de commande doivent alors être isolées.
D'autre part, les transistors supportant les très hautes tensions (environ les 400V dans le cas présent) sont chers et ne courent pas les rues.
La fréquence de hachage imposé par le circuit de commande a des conséquences importante sur la puissance dissipée par le transistor.
En effet, lorsque le transistor passe de l'état saturé à l'état bloqué (et réciproquement), il passe par un état où la tension à ses bornes n'est pas nulle et où un courant continue à le traverser, pendant un temps court mais non négligeable. De ce fait il absorbe de la puissance électrique qu'il dissipe sous forme de chaleur. Ce sont les pertes en commutation.
Plus la fréquence est élevée, plus ces pertes sont importantes, et il faut prévoir un refroidissement du transistor en conséquence.
Le circuit de commande du transistor doit aussi être conçu de manière à réduire au maximum les temps de commutation (évacuation rapide des charges accumulées dans les capacités parasites du transistor).