indicateur à niveau batterie(aidez moi svp)
Je veux etudier un montage d'un indicateur à niveau batterie003 mais j'arrive pas à trouver les valeurs des résistances de ce montage car j'ai pas compris comment choisir les valeurs de vce,ic,ib....du transistor 2N2222.pcq il existe des diff valeurs dans datasheet.quelle est la valeur q il faut la choisir? mème pb pour la diode zener bzx55c10 quelle est la valeur de iz (5mA ou bien <à cette val) le sit de ce montage: sonelec-musique.com/electronique-realisation.SVP AIDEZ MOI
bonsoir
ou est ton schéma ?
A+
On vous a donné que peu de savoir ....PDD
bonjour
je ne vois pas ou est le pb ? car sur le schéma tout est indiqué:
R1=1,5 kilohms
R2= 330 kilohms
R3= 33 kilohms
R4= 510 ohms
DZ=BZX55C10 ... (10volts)
http://datasheet.abcelectronique.com...0-BZX55C10.pdf
A+
On vous a donné que peu de savoir ....PDD
BonjourEnvoyé par BLIDA MON AMOUR
Je suis aussi dubitatif sur la valeur des résistancs D'après ce que je comprend et sauf erreur de ma part le schéma ne fonctionne pas.
La tension de conduction base émetteur d'un transistor est une caractéristique physique du semi-conducteur (Silicium dans ce cas) elle est de 0.7 volts en première approximation (celle de la diode de jonction base émetteur). Donc une tension de 0.3 volts ne fait pas conduire le transistor. Lorsque la tension sur la base de Q1 est de 0.7 v alors Ib min est de (12-(10+0.7))/330 ko soit 4 micro amp environ. En regardant la datasheet tu peux espérer un gain (hfe) de 35min pour ic de 0.1 ma (Vce 10v) donc Ic de q1 = 35*4 = 140 µa La chute de tension dans R3 est donc de 33ko*140 µa = 4.6 volts donc la tension Vce du transistor sera de 12 - 4.6 volts soit 7.4 volts. Le transistor Q2 va conduire et allumer la led ce qui n'est pas l'effet désiré. A noter que le gain min est très pessimiste et un gain réel sera plus proche des 200 que des 35 donc le schéma fonctionnera dans 99,9% des cas
Donc en reprenant la circuit de charge de q1 on obtient Ic = 12/33 ko soit 0.3 ma. Avec un gain de 35 Ib est donc égale à 0.1 ma environ donc R2 = 1.6/0.1 soit 16 Ko
Si quelqu'un peut valider ces calculs ou pointer l'erreur ce serait sympa
A+
Dernière modification par bertrandbd ; 02/01/2009 à 09h52.
c'est vrai le montage indique ttes les val mes c'est à moi de trouver ces val (résistances)
mon pb c comment choisir le ib,le gain...etc..pour trouver les mèmes val que ce montage
Par contre pour R2, avec 4,7K, .... c'est mieux
J'aime pas le Grec
le vce tu le trouvera dans le datasheet du composant! fait vite la presantation de l'etude theorique du module de TAP eu dep.16 est dimanche ou mercredi
Bonsoir
le courant de la diode zener est donné dans la datasheet http://www.alldatasheet.com/view.jsp...C10&q=BZX55C10 soit Iz de 5 ma. Ce courant se décompose en un courant Ib et Ir1
Lorsque la pile est bonne, alors il faut que Vce de Q1 soit inférieur au seuil de conduction de la jonction base émetteur de Q2 soit par définition 0.7 volts. Le plus simple est donc de saturer le transistor cf datasheet http://www.alldatasheet.com/view.jsp...N2222&q=2N2222.
Pour calculer les résistances, il faut partir de la sortie. Une led c'est à peu près une tension de 2 volts pour un courant de 10 ma (http://www.ptitrain.com/electronique...ges/04led1.htm) comme le transistor fonctionne en mode saturé tu trouves dans la datasheet que Vcesat = 0.4 volts pour Ic= 10 ms donc R4 = (12-2.4)/10 ma soit 960 ohms.
Le concepteur du schéma a choisi de faire passer 20 ma dans sa diode http://etronics.free.fr/dossiers/ana...2/diodeled.htm donc il obtient une résistance R4 de 480 ohms . Il a pris la valeur normée la plus proche soit 510 ohms (serie E24)
Pour Ib de Q2 à partir de la datasheet le Hfe est de 50 pour Vce de 1 volt ce qui se rapproche de notre cas. Au pire tu peux choisir un hfe mini. Avec hfe = 50 on a Ib = ic/hfe soit 20/50 ma soit 0.4 ma. R3 est egale à 12 volts moins Vbe (0.7) - Vled (2v) soit 9.6 volts R3 = 9.6/Ib = 24 Ko. Le concepteur du montage a du prendre un Hfe égal à 75 donc Ib = 20/75 ma = 0.27 ma donc R3 = 9.6/0.27 ma = 35 Ko soit en 33ko en valeur normée. Le choix de Hfe = 75 est choisi dans la datasheet avec Ic=10 ma et Vce = 10 volts (à mon avis ce choix est discutable)
Quand Q1 sature la chute de tension sur R3 en 1ere approximation est de 12 volts donc Icsat = 12/33ko soit 0.36 ma Avec un gain hfe de 75(transistor saturé) tu obtiens Ib Q1 = 0.36/75 soit 4.8 micro ampères. La résistance d'entrée du transistor est donc de (12v -Vz)/4.8 µa soit 420 Kohms. Je ne comprend pas quelle hypothèse sur Hfe le concepteur pris dans la datasheet pour arriver à avoir R2 = 330 ko
A+
Dernière modification par bertrandbd ; 02/01/2009 à 18h42.
je vous remercie tous.thannnnnnnnnnnnnnnnnk you
il y a un autre problème pouquoi pour Vbatterie=10.3v le transistor Q1 se bloque?moi je trouve que ça se passe à partir de 10.7v pcq 10.7-10=0.7v donc VR2=0.7-0.7=0 d'ou ib=0 alors Q1 sera bloqué
et pour R1 ?? moi je pense que iR1=iz (ib négligeable) mais pour lui iz=1.33mA ( 2/1.5 ko =1.33 mA) par contre ds le datasheet on a iz=5mA .comment choisir la valeur de iz??
