Un peu de physique des semiconducteurs

[Antoane]

Bonjour,

J'aurai quelques question concernant diodes, jonctions, tous ces petites choses follement excitantes qui se cachent dans nos placards :


Bande de conduction, bande de valence : j'ai du mal à imaginer "des niveau d'énergie" différents pour trous et e- libres alors qu'ils sont sur la dernière couche électronique (M pour le silicium) ?
à moins que se ne soit une histoire de sous-couches ?


Le jeu des 7 erreurs (voir plus si affinités) :
La recombinaison : au sein de la jonction, dans la zone de charge d'espace, un électron va dans un trou, perd de l'énergie (le trous est à un niveau d'énergie plus bas que l'électron) en émettant un photon : c'est une Led. Si tous les trous et électrons se recombinaient, la LED aurait un rendement de 1 (au courant de polarisation -dû aux porteurs minoritaires- près).

Amusant, isn't it ?
Si tu es arrivé jusqu'ici, tu as le droit à un bonus, avec toujours les mêmes règles :
Quand on mesure un courant, on mesure un flux d'électrons, or, avec une telle led, aucun électron n'arrive au Vcc (ils sont tous recombinés), alors qu'il en part du GND. Le courant n'est donc pas le même en tout point d'un circuit série.
CQFD
Est-ce ma définition du "courant" qui est fausse ?
ou bien : "un déplacement de trous, c'est aussi un déplacement d'e-" (faut bien qu'il y en ai un pour prendre la place du trous partis) ?


Lorsqu'une jonction PN est en court-circuit, est-ce que les trous dans le silicium dopé p ont plus d'énergie que les trous dans le Si dopés n ? Ça me parait étrange, et pourtant, c'est ce qui semble montré ici par exemple : http://jas.eng.buffalo.edu/education...dPN/index.html ?


Merci d'avance à qui recombinera suffisamment de trous et d'électrons pour me permettre d'y voir clair


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[maximilien]

Bonjour,
je te conseil un livre :
http://ecx.images-amazon.com/images/...500_AA240_.jpg

je l'ai, il est très très complet (presque trop!)

Plutôt adapté à un niveau master/ doctorat.

C'est la 4eme édition. Il y a la 6 chez Dunod.

[Tropique]

Ce ne sont pas des notions simples, et elles font appel à la physique quantique, ce qui ne rend pas leur abord très intuitif. Et la terminologie, pas toujours très adaptée, tend à entretenir des confusions. Par exemple, quand on dit qu'un porteur est dans la bande valence, ça ne décrit pas une localisation physique, mais un état quantique.
D'autre part, les e-, à T° ordinaire, n'ont pas tous une énergie identique mais ont une distribution, qui dépend de la T° et du niveau de Fermi pour ce matériau.

Et bien sûr, recombinaison ou pas, courant ou pas, un matériau reste toujours globalement neutre. L'invention des trous n'est qu'un artifice intellectuel créé par les humains pour mieux appréhender ce qui se passe dans un semiconducteur, mais les courants sont toujours composés d'électrons, même les courants de trous: si dans un liquide, un certain nombre de bulles se déplacent de gauche à droite, c'est qu'en fait du liquide s'est déplacé de droite à gauche. Mais c'est plus intuitif et plus visuel de dire que ce sont les bulles qui se déplacent.
Et c'est valable dans tous les cas: dans un semiconducteur P, il y a des trous qui se baladent dans le réseau cristallin, mais cela ne signifie pas que ce semiconducteur a une charge positive: il y a toujours les ions des impuretés qui ne participent dynamiquement à rien, mais rétablissent l'équilibre statique.

Enfin, trous et électrons ont des propriétés différentes en tant que porteurs de charge, ce qui est compréhensible: une goutte de liquide et une bulle dans ce liquide sont deux choses différentes.

[Antoane]

Bonjour, merci pour vos réponses, qui m'aident à y voir plus clair.
Le livre que tu proposes, Maximilien, doit en effet être très complet, mais je doute d'avoir le niveau "mastère-doctorat"

Tropique, tu dis que :

quand on dit qu'un porteur est dans la bande valence, ça ne décrit pas une localisation physique, mais un état quantique

or, ici : http://rouxphi3.perso.cegetel.net/, est dit que :

Les électrons d'un atome gravitant autour du noyau sont assujettis à occuper des niveaux d'énergie discrets définissant chacun une couche électronique. Plus le niveau est élevé, plus la couche qui lui correspond est éloignée du noyau

Un trous libre est situé dans la bande de valence , tandis qu'un e- libre est dans la bande de conduction ? Donc un atome de phosphore, par exemple, qui possède un trous ds b.c. (qui est ionisé) n'as pas ce trou de libre ?

La tension de seuil d'une diode, c'est bien la "barrière de potentiel" de la jonction ? si oui, puisque augmenter Na et Nd fait diminuer la barrière de potentiel, pourquoi ne pas le faire ? de plus, augmenter le dopage diminue la résistance série, alors... ?

Une jonction PN plus fine entraine une Rs plus faible ? mais une tension d'avalanche plus faible également (puisque la ZCE s'élargie ac augmentation de Vinv) ; l'épaisseur de la jonction est donc un compromis. C'est ça ?

Merci.

[A voir en vidéo sur Futura]

[Tropique]

Bonjour, merci pour vos réponses, qui m'aident à y voir plus clair.
Le livre que tu proposes, Maximilien, doit en effet être très complet, mais je doute d'avoir le niveau "mastère-doctorat"

Tropique, tu dis que :
or, ici : http://rouxphi3.perso.cegetel.net/, est dit que :

La plupart des descriptions simplifient un ou plusieurs aspects du problème, en fonction du contexte. Et souvent, la physique quantique autorise plusieurs interprétations également valables. Mais certaines sont plus pertinentes que d'autres dans certains cas.
La vue de couches électroniques bien définies et limitées, liées à des états d'énergie précis est adaptée par exemple à l'étude d'un atome de gaz isolé, dont on étudie les états d'excitation. Les électrons peuvent être étudiés quasiment en isolation, et la T° est considérée comme négligeable.
Dans un semiconducteur, à une T° différente de zéro absolu, les porteurs de charges ont toute une gamme d'énergies, qui correspondent à des états quantiques, mais ne se traduisent pas dans la position dans les couches électroniques. Et quand un électron a une énergie suffisante pour dépasser le bandgap, il est automatiquement délocalisé, à cause des autres atomes qui forment un réseau cristallin.
Il vaut mieux ne pas non plus se faire une image mentale trop précise de ce qu'est un électron: pour un économiste ou un biologiste étudiant le sujet superficiellement, l'image d'une petite boule bleue avec un signe (-) imprimé dessus est suffisante, mais si on veut approfondir le sujet, il vaut mieux le considérer comme un opérateur, ayant certaines propriétés et obéissant à certaines équations. Il n'y a probablement pas de représentation qui soit à la fois humainement accessible et valable, et il est donc préférable de s'en passer totalement.

Un trous libre est situé dans la bande de valence , tandis qu'un e- libre est dans la bande de conduction ? Donc un atome de phosphore, par exemple, qui possède un trous ds b.c. (qui est ionisé) n'as pas ce trou de libre ?

C'est la différence entre semiconducteur intrinsèque et extrinsèque: ce dernier ne produit qu'un seul type de porteurs.

La tension de seuil d'une diode, c'est bien la "barrière de potentiel" de la jonction ? si oui, puisque augmenter Na et Nd fait diminuer la barrière de potentiel, pourquoi ne pas le faire ? de plus, augmenter le dopage diminue la résistance série, alors... ?

La tension de seuil est avant tout dépendante du bandgap du matériau, ainsi que du courant de saturation, de la T° absolue et de la densité de courant. Elle dépend aussi secondairement de facteurs comme les dopages, etc.
Mais les profils de dopage sont imposés par ce que l'on veut que la jonction fasse (diode simple, varicap, jonction de transistor, etc)

Une jonction PN plus fine entraine une Rs plus faible ? mais une tension d'avalanche plus faible également (puisque la ZCE s'élargie ac augmentation de Vinv) ; l'épaisseur de la jonction est donc un compromis. C'est ça ?

Eh oui, dans ce domaine comme dans beaucoup d'autres, tout est affaire de compromis: on peut facilement faire une diode ayant une faible capacité et une haute tension, mais en contrepartie, ce sera un veau point de vue vitesse.

[Antoane]

Et moi qui pensait que la physique quantique se limitait à un chat dans une boite, à un ascenseur et à une toupie qui tourne vers la droite et la gauche en même temps....


Le transistor "bipolaire" est donc bipolaire car les porteurs de charges majoritaires le traversant sont des trous et des électrons. Dans un mos canal N, par exemple, seuls les e- "transportent le courant" (pas de jonction à traverser, juste une zone dopée N), ils sont donc unipolaires.


A propos de la recombinaison, où a-t-elle lieu ? dans la ZCE uniquement ? dans tout le semi-conducteur ? aussi dans les autres composants, les fils... ?
J'ai encore du mal avec trous et électrons. Si il y a recombinaison : une charge + et une charge - donne zéro, la matière reste neutre, Ok. Mais, dans ce cas, on a "perdu" 2 porteurs de charges, qui n'arriverons jamais au pôle opposé de l'alimentation. A moins que, comme tu l'as déjà souligné, un trou c'est un courant d'électrons, et donc, pour acheminer ce trou jusqu'au lieu de la recombinaison, il a fallu acheminer un électron jusqu'au pôle positif. Mais, dans ce cas, les e- qui quittent le pôle négatif de l'alimentation sont dans la b.c., tandis que les e- qui arrivent au + sont dans la b.v. (comme tout bon trou libre qui se respecte). Ils ont donc perdu de l'énergie, sous forme de chaleur ou d'un photon. C'est pas clair...


La tension de seuil est avant tout dépendante du bandgap du matériau,
car E=q*V, E en eV, q en C et V en V ; donc plus le bandgap est grand, plus il faut donner d'énergie aux électrons pour passer de la b.v. à la b.c., donc plus le champs électrique dans la jonction doit être élevé ?
ainsi que du courant de saturation,
Là... Je vois pas pourquoi
la T° absolue
d'elle dépend le nombre de paire trou/électron créé au sein de la puce, donc le courant de saturation ?
la densité de courant.
elle fait varier la tension perdue dans la Rs.
Pour la diminuer, on augmente la surface de la jonction, ce qui rend la diode plus lente et lui confère une plus grand capacité - ou on diminue If.

Merci beaucoup pour toutes tes explications !!!

[Tropique]

Et moi qui pensait que la physique quantique se limitait à un chat dans une boite, à un ascenseur et à une toupie qui tourne vers la droite et la gauche en même temps....


Le transistor "bipolaire" est donc bipolaire car les porteurs de charges majoritaires le traversant sont des trous et des électrons. Dans un mos canal N, par exemple, seuls les e- "transportent le courant" (pas de jonction à traverser, juste une zone dopée N), ils sont donc unipolaires.

Le "bi" de bipolaire se réfère aux deux jonctions; pas aux porteurs. Un transistor unipolaire est donc un FET, un unijonction, et par extension, un MOS, parce qu'une jonction est formée par construction lors de la fabrication (et est indiquée dans le symbole par une flèche).
Le bipolaire a son fonctionnemment essentiellement basé sur des porteurs minoritaires, générés par la jonction B-E, et capturés par la jonction B-C, où ils viennent accroitre le courant de fuite.

A propos de la recombinaison, où a-t-elle lieu ? dans la ZCE uniquement ? dans tout le semi-conducteur ? aussi dans les autres composants, les fils... ?
J'ai encore du mal avec trous et électrons. Si il y a recombinaison : une charge + et une charge - donne zéro, la matière reste neutre, Ok. Mais, dans ce cas, on a "perdu" 2 porteurs de charges, qui n'arriverons jamais au pôle opposé de l'alimentation. A moins que, comme tu l'as déjà souligné, un trou c'est un courant d'électrons, et donc, pour acheminer ce trou jusqu'au lieu de la recombinaison, il a fallu acheminer un électron jusqu'au pôle positif. Mais, dans ce cas, les e- qui quittent le pôle négatif de l'alimentation sont dans la b.c., tandis que les e- qui arrivent au + sont dans la b.v. (comme tout bon trou libre qui se respecte). Ils ont donc perdu de l'énergie, sous forme de chaleur ou d'un photon. C'est pas clair...

Quand du courant circule, cela veut dire que la polarisation est suffisante pour annuler la charge d'espace. Il n'y a plus que deux semiconducteurs de polarité différente en contact, avec le côté N qui injecte des e- vers le P, et celui-ci qui envoie des trous vers le N.
Ces porteurs ne durent pas longtemps: ils se recombinent presque aussitot avec un porteur majoritaire de la zone où ils ont atterri, en dégageant de l'énergie dans le processus, lumière ou chaleur selon le type de diode. La distance moyenne qu'ils arrivent à parcourir dans un semiconducteur de type opposé est la longueur de diffusion.

La tension de seuil est avant tout dépendante du bandgap du matériau,
car E=q*V, E en eV, q en C et V en V ; donc plus le bandgap est grand, plus il faut donner d'énergie aux électrons pour passer de la b.v. à la b.c., donc plus le champs électrique dans la jonction doit être élevé ?
ainsi que du courant de saturation,
Là... Je vois pas pourquoi
la T° absolue
d'elle dépend le nombre de paire trou/électron créé au sein de la puce, donc le courant de saturation ?
la densité de courant.

En fait, cela découle de l'équation de la tension; ce n'est pas une valeur unique, c'est une fonction. Mais comme elle est logarithmique, on a l'impression que c'est une constante. On ne voit pas souvent l'équation sous sa forme tension, c'est plutot le courant qui est donné dans les cours.
La tension Vd=(KT/q)ln(Id/Is)
Mais il y a un certain nombre de pièges, parce que T° intervient également dans Is. Is inclut des facteurs comme la surface de la jonction, le type de dopage, etc

elle fait varier la tension perdue dans la Rs.
Pour la diminuer, on augmente la surface de la jonction, ce qui rend la diode plus lente et lui confère une plus grand capacité - ou on diminue If.

Attention au fait que Rs représente les valeurs ohmiques parasites, qui viennent se mettre en série avec la tension du modèle logarithmique idéal, et dégradent la caractéristique à fort courant.
Et l'augmentation de la surface de jonction ne rend pas vraiment la diode plus lente, excepté si on considère la capacité inverse, qui est généralement d'un effet mineur.
La rapidité d'une diode est déterminée par la quantité de porteurs stockés, et leur durée de vie lorsqu'ils sont laissés à eux-mêmes.

[Antoane]

Merci infiniment pour tes explications qui me permettrons de jeter un autre regard sur toutes ces petites puces noires, et peut-être aussi de mieux les comprendre.
Bonne nuit.

[Antoane]

Bonjour,
Pourquoi porter un composant à trop haute température le détruit ? Quelque chose à voir avec la diffusion des impuretés (à 150°C, ça parait quand même peu probable...) ? Un semi-conducteur intrinsèque supporte-il donc de plus hautes températures ? Quid d'un semi-conducteur uniquement dopé N ou P ?
Comment tester une jonction qui a -peut-être- trop chauffée ? le simple multimètre en position diode suffit-il ?

La "règle" de la "division pas 2 du temps de vie quand on diminue la température de fonctionnement de 10K (dans la limite du raisonnable)" est-elle empirique, ou calculable ?

La durée de vie d'un composant utilisé dans de bonnes conditions est-elle totalement probabiliste ? Une loi en exp décroissante (on aimait bien prendre cet exemple en cours, l'an passé ) ?
Merci d'avance.
Bon week-end.

[Tropique]

Bonjour,
Pourquoi porter un composant à trop haute température le détruit ? Quelque chose à voir avec la diffusion des impuretés (à 150°C, ça parait quand même peu probable...) ?

Ca peut être la diffusion, ça peut également être l'encapsulation qui réagit avec le semiconducteur, ou l'alliage eutectique de fixation qui évolue et finit par fatiguer.
Normalement, les chips actuels sont bien passivés, mais les vieux transistors étaient protégés par immersion dans un produit, généralement à base de silicones.
A 150°C, des phénomènes lents de diffusion peuvent se produire, leur importance dépend du semiconducteur et des impuretés.

Un semi-conducteur intrinsèque supporte-il donc de plus hautes températures ? Quid d'un semi-conducteur uniquement dopé N ou P ?
Comment tester une jonction qui a -peut-être- trop chauffée ? le simple multimètre en position diode suffit-il ?

En principe, si on ne regarde que l'aspect diffusion, un semiconducteur homogène doit être beaucoup plus résistant, il faudrait que la T° soit suffisante pour affecter la cristallographie.

Des tests rudimentaires ne permettront pas de détecter autre chose que des altérations énormes des propriétés. Si c'est plus réduit, ça se traduira par des effets plus subtils: augmentation du courant de fuite ou du Vbe, diminution du beta, réduction de Ft, de la tension d'avalanche, etc. Pas très détectable avec un multimètre.

La "règle" de la "division pas 2 du temps de vie quand on diminue la température de fonctionnement de 10K (dans la limite du raisonnable)" est-elle empirique, ou calculable ?

Dans l'ensemble, oui, la loi d'Arrenhius doit être applicable à ces phénomènes, moyennant peut-être certains aménagements.

La durée de vie d'un composant utilisé dans de bonnes conditions est-elle totalement probabiliste ? Une loi en exp décroissante (on aimait bien prendre cet exemple en cours, l'an passé ) ?

Je pense que oui, mais je n'en mettrais pas ta main au feu: vaudrait mieux trouver une "source sûre" pour confirmer (on n'est jamais trop prudent).

[Antoane]

J'aurai appris du vocabulaire ce soir - entre autre.
Merci beaucoup pour tes explications !

[Antoane]

Bonjour,
J'ai lu que la couleur de la lumière émise par une led dépend du gaz contenu dans la "cloche" de plastique. Ça m'étonne : je pensais que ce n'était fonction que du semi-conducteur - et à la rigueur du phosphore ajouté pour les led blanches, notamment. C'était dans un article du Monde.

Dans certains composants, dans le schéma interne, ils dessinent parfois des diodes, parfois des transistors dont la jonction BC est court-circuitée, et parfois les deux. Cela correspond-il à deux réalités physiques distinctes ?
Merci d'avance.

[maximilien]

J'ai lu que la couleur de la lumière émise par une led dépend du gaz contenu dans la "cloche" de plastique. Ça m'étonne : je pensais que ce n'était fonction que du semi-conducteur - et à la rigueur du phosphore ajouté pour les led blanches, notamment. C'était dans un article du Monde.

C'est fonction du semi conducteur effectivement.
Et plus précisément de sa valeur du gap.

Dans certains composants, dans le schéma interne, ils dessinent parfois des diodes, parfois des transistors dont la jonction BC est court-circuitée, et parfois les deux. Cela correspond-il à deux réalités physiques distinctes ?

Non c'est la même chose.
Lorsque l'on fait de l'intégration on dessine que des transistors. Si celui ci à sa base et son collecteur reliés alors il se comporte comme une diode.

A noté que pour les résistances c'est aussi des transistors dont on gère le dopage...
pour qu'ils se comportent comme résistances.

Je laisse Tropique faire une bien plus belle explication que moi!!
Et il confirmera/infirmera ce que j'ai dis.

[Tropique]

Bonjour,
J'ai lu que la couleur de la lumière émise par une led dépend du gaz contenu dans la "cloche" de plastique. Ça m'étonne : je pensais que ce n'était fonction que du semi-conducteur - et à la rigueur du phosphore ajouté pour les led blanches, notamment. C'était dans un article du Monde.

C'est un grand journal, sérieux et traditionnel. Probablement que depuis le XIXème siècle, personne ne leur a expliqué qu'on a trouvé mieux que le gaz d'éclairage....

Dans certains composants, dans le schéma interne, ils dessinent parfois des diodes, parfois des transistors dont la jonction BC est court-circuitée, et parfois les deux. Cela correspond-il à deux réalités physiques distinctes ?
Merci d'avance.

Ca dépend. En général, le process standard des ICs de base à 5 à 8 masques est destiné à produire des jonctions de transistors, et pas grand chose d'autre. Les diodes sont donc préférentiellement ces jonctions, et en fonction de l'usage qu'on en fait, on utilise soit l'une soit l'autre, ou éventuellement un transistor connecté en diode, ce qui permet de multiplier le niveau d'idéalité de la diode par le beta du transistor.
Il est parfaitement possible de produire des vraies diodes à part entière, distinctes, et ça s'emploie p.ex. dans les circuits télécom ayant un pont de diodes, ou des circuits d'alimentation, mais quand il n'y a pas d'impératif absolu, c'est évité: c'est comme la visserie en mécanique: on peut toujours employer de l'usiné, plus beau, plus cher, plus précis, mais à chaque fois que c'est possible, c'est du roulé, matricé, estampé, etc. C'est toujours le coût qui est déterminant.

[Antoane]

Merci beaucoup !

[Antoane]

Bonjour,
est-il raisonable d'espérer pouvoir imaginer se procurer des "fiches techniques" - concernant la géométrie, le dopage... bref des informations précises sur la puce - de diodes ?
Ca doit sans doute tenir du `secret industriel` ?
Alors, peut-être de composants obsolètes ? ou hyper-démocratisés (1N400X par exemple) ?
Sinon, si oui, comment s'en procurer ? Je doute que LT n'accepte de croire que je suis étudiant et ne compte pas revendre les info à d'autres sociétés...

Merci d'avance.
Bon week-end.

[Tropique]

Pour un très grand nombre de composants standards, ces infos n'ont rien de confidentiel, mais elles ne sont pas particulièrement accessibles non plus: elles sont intégrées dans les bases de données de systèmes de design, de chez Mentor ou autres, et ne sont extraites et traduites en langage humain que pour discuter de points précis, ou pour des raisons pédagogiques.
Les cours universitaires sur la technologie des semiconducteurs contiennent des exemples. Il est possible de glâner des infos à gauche et à droite, ici p.ex.:
http://www.siliconfareast.com/
Dans les brevets également, tu peux trouver des infos sur des techniques qui sont depuis longtemps entrées dans le domaine public.
Les diodes standard n'intéressent plus personne: tu pourrais presque en faire dans ta cuisine si tu disposais d'une plaquette de silicium ultra-pur.

[Antoane]

Bonjour,
Je ne sais pas s'il aurait fallu ouvrir une nouvelle discution, mais comme on reste dans le thème... libre à vous d'ouvrir ou de me dire d'ouvrir si c'est mieux.
Concernant les diodes de clamp : sont-elles parasites ou sciemment ajoutées par le constructeur ? Selon moi, celle qui est au Vss est toujours présente puisque le substrat est lui-même relié au Vss. Ceci signifierait que ces diodes sont présentes sur toutes le broches, entrées, sorties et alim ; est-ce le cas ?
Si elles sont là par choix, pourquoi ? c'est une capacité parasite qu'il va falloir remplir !

Pourquoi ne trouve-t-on pas de MOSFET à 4 broches : drain, source, grille et substrat, se serait plus simple pour commander en high-side.

Comment est décidée l'affection des broches : pourquoi avoir autant éloigné les broches /RESET et VCC, les broches TRIGGER et DISCHARGE du 555 ? ya t-il la moindre considération technique ?
Merci !

PS : c'est amusant de se relire deux ans plus tard

[Tropique]

Bonjour,
Je ne sais pas s'il aurait fallu ouvrir une nouvelle discution, mais comme on reste dans le thème... libre à vous d'ouvrir ou de me dire d'ouvrir si c'est mieux.
Concernant les diodes de clamp : sont-elles parasites ou sciemment ajoutées par le constructeur ? Selon moi, celle qui est au Vss est toujours présente puisque le substrat est lui-même relié au Vss. Ceci signifierait que ces diodes sont présentes sur toutes le broches, entrées, sorties et alim ; est-ce le cas ?

C'est généralement le cas, tu peux le vérifier sur un IC quelconque avec un multimètre en position diode.
C'est même d'ailleurs une méthode pour faire du "reverse engineering", pour retrouver le brochage d'un IC inconnu: la broche vers où convergent toutes les cathodes des jonctions repérées est le Vcc (ou Vdd), et celle où convergent les anodes, le Vee (ou Vss).

Ce n'est pas absolument indispensable, mais c'est la technique la moins chère de fabrication, si necéssaire des broches peuvent faire exception; c'est le cas par exemple pour les CD4049/50, qui n'ont pas de diode entre entrée et Vdd.

Pourquoi ne trouve-t-on pas de MOSFET à 4 broches : drain, source, grille et substrat, se serait plus simple pour commander en high-side.

On en trouve: mais ce serait une erreur de croire que cela résout le problème du high-side.
Sujet discuté ici:
http://forums.futura-sciences.com/el...-4-pattes.html

Comment est décidée l'affection des broches : pourquoi avoir autant éloigné les broches /RESET et VCC, les broches TRIGGER et DISCHARGE du 555

C'est un peu comme un circuit imprimé: en l'absence de contrainte, c'est un peu "comme ça vient", en sachant que les pads doivent être sur le bord du die, et que les fils de bonding ne peuvent pas se croiser.
Lorsqu'il y a des contraintes absolues, comme respecter des brochages-types pour des circuits logiques ou des AOP, les designers doivent se torturer les méninges, et quand il n'y a pas d'autre issue, recourir à un niveau de métallisation additionnel.

PS
Si tu t'intéresses au 555, son créateur a écrit un bouquin sur le design des ICs, et il a aussi quelque part retracé l'histoire du 555, tu peux facilement la retrouver avec son nom:
http://www.designinganalogchips.com/

[Antoane]

Ok, merci.
Je pensais que c'est Vgs, avec s=substrat, qui contrôlait l'état du mos, d'où l'erreur.

Un transistor à double collecteur est équivalent à deux transistors bien identiques dont les bases et les émetteurs sont reliés ?

http://www.emesystems.com/pdfs/parts/LM10.pdf, page 19, quelle est la particularité de Q73 et Q58 ?

[Tropique]

Il me semble que ce sont des superbeta, mais je n'en suis pas sûr, et en plus je ne vois pas de raison pour en mettre à ces endroits.

Si tu as la patience de chercher, je crois qu'il y a des documents de National qui détaillent l'analyse du LM10.