Frontiere regime lineaire/saturé transistor npn

[inviteb6ddb86f]

Bonjour !
J'aurais quelques questions d'ordre general par rapport aux transistors npn en montage à emetteur commun .
Je n'arrive décidement pas à comprendre a quel moment se situe la frontiere entre domaine saturé et domaine linéaire. Je sais qu'il faut une valeur suffisante de ib pour saturer (ibSat=ic/BETAmin) mais je ne comprends pas cette formule du tout !!
Qu'est-ce qui explique qu'à partir d'un certain Ib on passe en saturé et comment connaitre ce Ib, ou comment expliquer la formule que j'ai ecrite !
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[inviteede7e2b6]

très simple :

un transo est saturé quand une augmentation de Ib ne permet pas une augmentation de Ic car le point de fonctionnement est en butée sur la droite de charge. Vce = 0 (à la tension de déchet prés , bien sur !)

exemple chiffré:

alim de 10 volts , résistance de collecteur 1K ohms béta du transo 100

donc pour Ib = 0,1 mA le point de fonctionnement est à béta Ib : 100 x 0.1 = 10 miliampéres.

soit le courant maximum que permet la résistance de charge : 10V/ 1000 = 10 milliampères

si tu augmente alors Ib , Ic n'augmente plus : le transistor est saturé !

[inviteb6ddb86f]

Merci pour cette reponse claire et precise !

[invitee05a3fcc]

Une explication animée http://subaru2.univ-lemans.fr/enseig.../transiec.html

[A voir en vidéo sur Futura]

[inviteb6ddb86f]

ah oui encore mieux que celle que j'avais dejà trouvé, merci !!

[invitee05a3fcc]

Si tu veux te culturer ... il y a des tas de trucs pédagogiques sur ce site