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Frontiere regime lineaire/saturé transistor npn



  1. #1
    ptifefe

    Frontiere regime lineaire/saturé transistor npn


    ------

    Bonjour !
    J'aurais quelques questions d'ordre general par rapport aux transistors npn en montage à emetteur commun .
    Je n'arrive décidement pas à comprendre a quel moment se situe la frontiere entre domaine saturé et domaine linéaire. Je sais qu'il faut une valeur suffisante de ib pour saturer (ibSat=ic/BETAmin) mais je ne comprends pas cette formule du tout !!
    Qu'est-ce qui explique qu'à partir d'un certain Ib on passe en saturé et comment connaitre ce Ib, ou comment expliquer la formule que j'ai ecrite !

    -----

  2. Publicité
  3. #2
    PIXEL

    Re : Frontiere regime lineaire/saturé transistor npn

    très simple :

    un transo est saturé quand une augmentation de Ib ne permet pas une augmentation de Ic car le point de fonctionnement est en butée sur la droite de charge. Vce = 0 (à la tension de déchet prés , bien sur !)

    exemple chiffré:

    alim de 10 volts , résistance de collecteur 1K ohms béta du transo 100

    donc pour Ib = 0,1 mA le point de fonctionnement est à béta Ib : 100 x 0.1 = 10 miliampéres.

    soit le courant maximum que permet la résistance de charge : 10V/ 1000 = 10 milliampères

    si tu augmente alors Ib , Ic n'augmente plus : le transistor est saturé !

  4. #3
    ptifefe

    Re : Frontiere regime lineaire/saturé transistor npn

    Merci pour cette reponse claire et precise !

  5. #4
    DAUDET78

    Re : Frontiere regime lineaire/saturé transistor npn

    J'aime pas le Grec

  6. A voir en vidéo sur Futura
  7. #5
    ptifefe

    Re : Frontiere regime lineaire/saturé transistor npn

    ah oui encore mieux que celle que j'avais dejà trouvé, merci !!

  8. #6
    DAUDET78

    Re : Frontiere regime lineaire/saturé transistor npn

    Si tu veux te culturer ... il y a des tas de trucs pédagogiques sur ce site
    J'aime pas le Grec

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