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Transistor npn



  1. #1
    manou1401

    Transistor npn


    ------

    bonjour, j'aurai aimé savoir pourquoi on dit qu'il faut que ip=10*ib. J'ai vu sur un site que c'est pour que la tension qui apparait aux bornes du pont de base soit stable quelque soit le courant consommé par la jonction base emmeteur mais je ne comprend pas bien.
    Merci de votre aide

    -----

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  3. #2
    predigny

    Re : transistor npn

    Si la base est polarisée par un pont diviseur la tension au point milieu de ce pont va dépendre du courant qui va être consommé par la base, autrement dit c'est un générateur de tension avec une forte résistance interne. Plus les résistances du pont auront une faible valeur, moins un courant de base donné perturbera la tension définie par ce pont (mais plus on va consommer de courant dans le pont). La règle empirique du ip=10*ib permet d'avoir un courant dans le pont assez important, sans l'être trop, mais suffisant pour que la tension définie par le pont ne soit pas trop perturbée par les variations du courant de base (qui est souvent mal défini, puisque dépendant du gain du transistor qui peut varier de 40 à 200).

  4. #3
    LPFR

    Re : Transistor npn

    Bonjour.
    Oui, je suis d'accord avec Predigny. La règle du courant de pont égale à Ic/10 est la règle utilisée il y a entre 40 et 50 ans. Elle "marchote". C'est à dire qu'en croissant les doigts, on n'aura pas de problèmes.

    Mais on peut calculer le pont de polarisation correctement en utilisant les valeurs extrêmes acceptées pour Ic et les valeurs extrêmes de Vbe et du bêta.
    Il suffit d'écrire les deux équations pour les cas extrêmes et on déduit la résistance et la tension de Thévenin du pont.
    Au revoir.

  5. #4
    predigny

    Re : Transistor npn

    Citation Envoyé par LPFR Voir le message
    ... La règle du courant de pont égale à Ic/10 est la règle utilisée il y a entre 40 et 50 ans ...
    Bonsoir,
    Faut dire qu'à cette époque, le gain des transistors était beaucoup plus mal défini que maintenant et il fallait souvent "choisir" les transistors des endroits critiques. Dans les labos, on gardait précieusement des transistors aux caractéristiques extrêmes (B très faible ou très élevé) pour valider un schéma dans les "cas pires".

  6. A voir en vidéo sur Futura
  7. #5
    curieuxdenature

    Re : Transistor npn

    Citation Envoyé par manou1401 Voir le message
    bonjour, j'aurai aimé savoir pourquoi on dit qu'il faut que ip=10*ib. J'ai vu sur un site que c'est pour que la tension qui apparait aux bornes du pont de base soit stable quelque soit le courant consommé par la jonction base emmeteur mais je ne comprend pas bien.
    Merci de votre aide
    Bonjour

    cette méthode était en effet beaucoup utilisée dans les 'vieux' montages de ma jeunesse, c'est surtout utile avec des transistors au germanium.
    On l'appelle "compensation en température par contre-réaction série d'intensité". Cela permettait surement aux fabricants de postes radio de vendre leur marchandise sans craindre qu'elle s'emballe en été et qu'elle soit hors norme en hiver. (sans rire, cela permet aussi de s'affranchir du béta des transistors)

    Avec des transistors au silicium on peut pratiquer la polarisation par resistance unique, c'est plus simple mais plus sensible à la dispersion des gains des composants.
    L'electronique, c'est fantastique.

  8. #6
    LPFR

    Re : Transistor npn

    Citation Envoyé par curieuxdenature Voir le message
    Avec des transistors au silicium on peut pratiquer la polarisation par resistance unique, c'est plus simple mais plus sensible à la dispersion des gains des composants.
    Re.
    Non, vraiment pas!
    La dispersion des valeurs du bêta est beaucoup trop grande pour cela. De plus la dépendance de bêta avec la température est un mystère que je n'ai jamais réussi à élucider et qui est passé sous silence même dans le Sze.
    Mais il varie (et de beaucoup) avec la température. J'ai fait des mesures.
    A+

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  10. #7
    curieuxdenature

    Re : Transistor npn

    Citation Envoyé par LPFR Voir le message
    Re.
    Non, vraiment pas!
    La dispersion des valeurs du bêta est beaucoup trop grande pour cela. De plus la dépendance de bêta avec la température est un mystère que je n'ai jamais réussi à élucider et qui est passé sous silence même dans le Sze.
    Mais il varie (et de beaucoup) avec la température. J'ai fait des mesures.
    A+
    Bonjour LPFR

    il y a des simulateurs qui permettent de modéliser ce problème avec beaucoup de précision, j'ai fais le constat de leur fiabilité.
    Sinon pour la dispersion des bétas pour un montage à resistance unique, ce n'est pas aussi dramatique que tu le penses, j'ai dépanné des postes radios de marque japonaise qui ne s'encombrent pas de ce détail. Avec deux résistances et un condo économisés pour chaque étage à transistors il n'y a pas photo, ils peuvent se permettre de trier leurs lots de Transistors qui sont d'ailleurs déjà prétriés de nos jours...
    L'electronique, c'est fantastique.

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