bonjour tout le monde,
Nous avons le composant électronique qui permet d'amplifier un courant qui est le transistor. J'ai vu qu'il existe deux types de transistors qui sont le type NPN et le type PNP. On a la relation suivanteet par la loi des noeuds on a
Merci d'avance.
Bon dimanche
BonjourIl ne s'agit de phénomènes, mais de deux types de montages de base («de base» devant être ici compris comme «basique», et n'a pas de rapport avec l'électrode «base» des transistors).Envoyé par bolltt
Le montage «émetteur commun» fixe la tension de l'émetteur du transistor et s'en sert comme potentiel de référence pour l'entrée (sur la base) et pour la sortie (sur le collecteur). Ce montage peut servir à amplifier le courant ou la tension.
Le montage «collecteur commun» (encore appelé «suiveur») fixe la tension du collecteur du transistor et s'en sert comme potentiel de référence pour l'entrée (sur la base) et pour la sortie (sur l'émetteur). La tension base-émetteur VBE étant pratiquement constante, la tension de sortie est pratiquement la même que la tension d'entrée. Ce montage sert le plus souvent à amplifier un courant avec un gain en tension unitaire.
Il existe un autre montage dit «base commune», avec le potentiel de référence sur la base, l'entrée sur l'émetteur, la sortie sur le collecteur.
Voici des schémas pouvant illustrer les trois types de montage de base.
Bonsoir,
C'est vraiment très gentil à vous d'avoir pris le temps de m'avoir expliqué. Maintenant je comprends mieux quand on nous parle de V_ce V_be ceci désigne la tension collecteur émetteur et la tension base émetteur. Avez vous un exercice pour que je puisse mettre ces derniers notions en applications s'il vous plaît?
Bien a vous.
Bonsoir tout le monde,
Je viens de voir une question :"Quelle doit être la valeur minimale de E_0 pour la non saturation du transistor?" Comment je dois faire pour y arriver s'il vous plaît? Merci
Bonjour,
Si tu rappelles le contexte de la question, ce serait plus simple pour répondre. (en tout cas pour moi)
Je trouve ça fort, même mes profs n'expliquaient pas si clairement. Chapeau !
Bonjour,
En fait je voulais savoir comment peut on saturer un transistor? Quelles sont les paramètres qui jouent? Merci
Bonjour,
par définition, un transistor est saturé lorsqu'une augmentation du courant de base ne permet plus d'augmenter le courant de collecteur. Le transistor n'est plus en, régime "linéaire" mais bloqué/saturé <=> il laisse complètement passer le courant, ou pas du tout.
On prend souvent dans ce cas :
Dernière modification par Antoane ; 31/12/2009 à 10h32.
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
Saturer un transistor revient à le faire fonctionner quasiment comme un interrupteur fermé, et donc à réduire au minimum sa tension collecteur-émetteur VCE, jusqu'à une valeur notée VCEsat (bien souvent située aux alentours de 0,2V).
Pour obtenir la saturation, on injecte dans la base un courant IB important, supérieur à ce qui est nécessaire à l'obtention du courant collecteur IC requis (dont la valeur est fixée par le montage). Bien souvent, on sature le transistor en appliquant un courant :
¨¨¨ IB = IC/10
En pratique, si le transistor présente un gain en courant important, on peut obtenir la saturation avec un courant de base plus faible. Mais cette formule a le mérite d'être simple et de garantir le résultat. C'est d'ailleurs celle qui est généralement retenue par les constructeurs dans leur documentation.
Le critère à retenir est donc le courant collecteur IC à faire passer dans le transistor saturé (i.e. fonctionnant en interrupteur fermé), ce qui permet de déduire le courant de base IB nécessaire à l'aide de la formule donnée ci-dessus.
Les courbes caractéristiques données par le constructeur permettent ensuite de déterminer les valeurs de VBEsat et VCEsat correspondantes, et de calculer notamment la puissance dissipée par le transistor dans cette configuration :
¨¨¨ Psat = VCEsat.IC + VBEsat.IB
Bonjour tout le monde,
Merci vraiment pour votre explication. En gros le transistor sera si saturé si le courant de base I_b est 10 fois plus grand que I_c?
Bien cordialement, Bonne année.
B.Ib > Ic
Non, comme le suggère gcortex, ce n'est pas ça.
Si le courant de base IB est dix fois plus faible (et pas "plus grand") que le courant de collecteur IC, alors le transistor est assurément saturé.
Mais l'inverse n'est pas vrai. Comme je l'ai déjà indiqué, on peut très bien arriver à saturer un transistor avec un courant de base IB beaucoup plus faible que IC/10.
Il suffit d'avoir un courant de base IB supérieur à ce qui est nécessaire pour laisser passer le courant de collecteur IC. Donc, comme l'écrit gcortex, la condition à réaliser pour saturer le transistor est :
IB > IC/β
Malheureusement, le gain en courant β est assez difficile à évaluer avec précision. C'est la raison pour laquelle on prend carrément un courant de base IB nettement plus important que ce qui est nécessaire.
Comme généralement β>10, on prend IB=IC/10.
.
Dernière modification par PA5CAL ; 02/01/2010 à 15h37.
La valeur de 10 pour Ic/Ib est tout à fait arbitraire. C'est une valeur ronde qui convient à beaucoup de transistors courants, mais ce serait une erreur de la généraliser.
En fait, il vaut mieux voir chaque cas comme un cas particulier et décider selon ses spécificités. C'est comme les limitations de vitesse: sur une route limitée à 90km/h, 45 peut être largement excessif en cas d'intempéries, mais d'un autre côté, ce n'est pas parce que tu roules à 180 que tu vas automatiquement faire un accident.
De façon similaire, tu trouves des transistors dont le gain linéaire est déjà bien inférieur à 10 dans certaines conditions:
http://www.audiolabga.com/pdf/2SC5716.pdf
Et d'autres qui saturent allègrement avec un gain forcé de 200:
http://www.diodes.com/zetex/_pdfs/3.0/pdf/ZXT690BK.pdf
Conclusion:
Il faut décider de chaque cas en fonction de ses mérites: si tu prends à chaque fois 10 les yeux fermés, il y aura des cas où ce sera largement à côté.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Il est sûr qu'il vaut toujours mieux faire dans les règles.
Mais je crains que pour débuter, cette manière d'exposer les choses manque quelque peu de pédagogie. Je préfère commencer par parler des pratiques les plus générales (et les présenter comme telles, et non pas comme une règle absolue) plutôt que de faire d'emblée référence aux exceptions pathologiques (cas du 2SC5716) où aux cas de figure les plus favorables (en apparence d'ailleurs, car même les transistors avec un hFE typique de 200 voient leur gain dégringoler dans certaines conditions).
