Vbesat min pour transistor

[invite17dac002]

Bonjour,

je réalise un projet électronique pour lequel je voudrais m'assurer qu'un transistor a un Vbesat minimum. En effet, il faut qu'en dessous d'un certain niveau de signal en entrée, le signal de sortie de la carte soit coupé.

Le transistor est un 2N3440. On voit dans son datasheet qu'il n'y a pas de min pour le Vbe, contrairement par exemple au transistor 2N2222A.

D'où ma question : de quoi dépend le Vbesat? pourquoi pour certains transistors, le vbesat min est spécifié et pour d'autres non?
(Il me semble que si c'est le même matériau (silicium par exemple), le seuil devrait être identique).

Merci de votre aide.
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[florangers]

Salut,
Si je ne me trompe pas, ton transistor est saturé via une intensité minimale, et non une tension minimale.
Donc ce que tu dois chercher dans ta datasheet, c'est un iBsat.
Voila voila!

[curieuxdenature]

En effet, il faut qu'en dessous d'un certain niveau de signal en entrée, le signal de sortie de la carte soit coupé.

Bonsoir hugum

est-ce que ton projet impose le 2N3440 ?
Si oui tu devras te tourner vers le trigger de Schmitt, il fonctionne pour une fenêtre de tension en entrée bien précise.

http://subaru2.univ-lemans.fr/enseig...lec/commut.pdf

au paragraphe 4-

[Tropique]

Ce genre de chose n'est pas spécifié, parce que ça n'a pas vraiment de sens. Ce qui aurait éventuellement du sens , ce serait de spécifier une tension Vbe maximum pour ne pas dépasser un certain courant de collecteur (ou qu'une spec de courant de fuite reste valable).
Pour les thyristors, cela se fait: il y a le "gate current (or voltage) that will trigger all devices", mais aussi le gate current (or voltage) that will not trigger any device".
Pour les transistors, à ma connaissance, ça ne se fait pas.
De toutes manières, la méthode la plus sûre pour bloquer un transistor est de mettre la tension de base à 0, ou très près, de préférence activement, càd avec une faible résistance entre B et E. Si on commence à chipoter et à flirter avec des centaines de mV, on risque des problèmes, surtout à haute T°.

[A voir en vidéo sur Futura]

[gienas]

Bonsoir hugum et tout le groupe

Je n'ai rien compris au sens (caché) de ta question, ni ce que tu cherches à faire.

Le Vbesat n'a aucune signification précise dans ce dernier.

Il dépend:

1- du Ib

2- du transistor

3- du Ic du transistor

4- de la température de la jonction

A toi de "jouer"

[louloute/Qc]

Le 2N3440 est un transistor ‘particularly suited as drivers in
high-voltage low current inverters, switching and
series regulators.’ (conçu et adapté comme contrôleur du final dans des applications de convertisseurs faible courant, haute tension à découpage ou régulateur série).
http://www.datasheetcatalog.org/data...onics/4080.pdf

Quand tu fais du découpage, la qualité et rapidité du blocage et de la saturation est primordiale,

Un autre problème des alims à découpage est qu’il est difficile de maintenir la régulation à vide (i.e. avec une charge de relativement haute résistance / bas courant il fait alors que le contrôleur de PWM continue à fonctionner avec un rapport cyclique très bas mais encore faut-il connaître le comportement du/des transistor(s) de puissance. Le fabricant du 2N3440 te garantie qu’avec un rapport cyclique très bas 1,5%, si tu fournis 1,3V et 4mA dans la base, le 2N3440 sucera 50mA de Ic.

Il faut noter que le gain est alors minable (de l’ordre de 12 alors que le Xtor a un HFE de 25 minimalement).

Il ne faut pas paniquer sur une tension si élevée, le 0,65V de Vbe enseigné à l’école reste exact, mais quand on veut pousser un semicon dans ses derniers retranchements, il faut lui fournir du jus, je me souviens avoir commandé des diodes laser 1,3μm avec un 2N2222 quelques 30 ηs avec un taux de répétition de 1ms (soit un rapport cyclique de 0,003%) en envoyant un solide 5V à la base, la diode se trouvant entre émetteur et masse. La tension base-émetteur du 2N2222 faisant alors de l’ordre de 2V, le courant quelques ampères. Bien au-delà de toutes les specs.