Salut à tous
j'aimerai savoir si le fait de surdimensionner un transistor affecte le fonctionnement
je m'explique je dois remplacer 4 IRF540N sur un convertisseur 24v cc -230 v ac, je possede chez moi des IRF740, ils ont des caracteristique de courant et de tension superieur aux IRF540N
je voulais donc savoir si le fonctionnement serait affecté par le surdimensionnement de ces transistors
Merci
A+
il est préférable que le Rds_on soit plus faible
La tension des 740 est supérieure, mais par contre le courant ne l'est pas, et la Rdson est plus forte.
Cela ne convient donc pas. Et même si ça tient le coup, ça va chauffer plus.
De manière générale, prendre des MOS ayant un paramètre inutilement surdimensionné peut causer d'autres soucis, au niveau de la commande: les capacités parasites seront plus élevées, et le driver, s'il n'est pas prévu pour, risque d'avoir des temps de transition ralentis, ce qui augmentera les pertes en commutation.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Ok merci pour toutes ces infos, en effet je n'avais pas la Rdson.
donc la commutation peut etre perturbé par ce surdimensionnement.
Est-ce que ce raisonnement s'applique aussi à des diodes de puissance? (changer des 1N5405 par des 1N5408?) meme si là seul la tension est differente?
Bonjour,
une tension de claquage plus élevée implique que la diode est plus lente, et présente un Vf plus élevé.
Donc plus de perte et surtention transitoires à la commutation (et en continu pour les pertes).
"si je ne m'abuse".
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
Cette situation n'est pas comparable à celle des IRF540/740: les 1N5405 et 5408 ont des dice identiques, le N° de type résulte (en principe) d'une sélection après la fabrication.Envoyé par francis38120
Même dans ce cas, la remarque d'Antoane reste(rait) valable: les diodes qui ont une tension de claquage plus élevée ont un silicium de résistivité plus élevée, .... en principe du moins, parce que depuis 40 ans que le process existe, il est suffisamment mature pour ne produire que des 5408, mais tenant les caractéristiques de Vf et autres des 5401. Le marquage est fait uniquement en fonction de la demande commerciale de l'un ou l'autre type.
Pour les IRF par contre, ce sont des transistors différents, le 740 a une surface plus importante.
Si on voulait faire une comparaison pertinente, il faudrait prendre des diodes fondamentalement différentes; et là, on constate que le temps de recouvrement augmente énormément pour des diodes haute tension.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Ok Tropique merci pour tes explications, merci à Antoane aussi
Donc en theorie c'est pas bon mais d'apres toi ma 1N5408 peut bien remplacer une 1N5405 ou HER305 sans que ma diode soit plus lente?
du coup sur quels parametres je peux me fier sur les datasheet quand je cherche un equivalent? pour un transistor par exemple j'ai un cas... est ce qu'un A733p peux etre remplacer par un BC556?
est ce qu'il existe un truc infaillible pour ne pas se tromper?
A+
Du bon sens, de l'expérience, et aussi garder à l'esprit qu'il n'existe jamais de truc infaillible en technique: c'est une notion qui n'a cours que dans les contes de fée.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
