Bonjour,
je cherche à commander un mosfet par un microcontroleur via un driver (TC4422).
le MOS (IRL3202) doit être saturé quand le signal délivré par le µC vaut 5V et bloqué quand ce signal vaut 0V.
j'ai mis le schéma en pièce jointe , les 7.2V c'est le max de voltage que je possède sur mon montage (et je n'ai pas l'intention d'ajouter un survolteur ).
Pouvez vous me dire est ce que mon montage fonctionnerait correctement ?
Je vous remercie d'avance.
Bonjour;
Ce qui ne peut marcher c'est le branchement de ton transistor.
Il s'aggit d'un MOSFET canal ou type N.
Tu a relié la Source au +12V
la Gate à la commande du micro
le Drain à la charge qui je présume doit être commandé par du 12V.
Ce schéma est faux, tu n'arrivera pas à commander ta charge en 12V avec une commande 0/7.2V sur la Gate du MOSFET, il faudrait une tension supérieur à 12V sur Gate pour que cela marche.
Tu devrais envisager de relier la Source à la masse, le Drain au - de la charge, et le + de la charge au +12V.
OU, changer de type de MOSFET en prenanrt un MOSFET canal P monté de cette façon.
Source à +12V
Drain à + Charge
Une resistance entre +12V et Gate
Gate à commande par le micro
ET changer tes niveaux de commande
0V sur Gate = TRANSISTOR PASSANT
12V sur Gate = TRANSISTOR BLOQUé
Le probléme est que tu ne dispose pas de 12V, il faut donc transformé le 7.2V en 12V ... avec un MOSFET type N cablé ainsi.
Drain MOSFET N (T1) sur Gate MOSFET P (T2)
Source MOSFET N à la masse
Gate MOSFET N commandé par sortie 0/7.2V
0V sur Gate T1 = T1 bloqué = 12V sur Gate T2 = T2 bloqué = 0V sur Drain T2
7.2V sur Gate T1 = T1 passant = 0V sur Gate T2 = T2 passant = 12V sur Drain T2
Je rajoute ce lien qui me semble interessant pour le cas particuilier qu'il developpe (l'échauffement des canal P) et la méthode pour n'utiliser que des canal N.
Mais je ne crois pas que tu sois concerné dans ton cas.
http://cncloisirs.com/Technique/MOSFET
Merci beaucoup pour cette explication bien détailléEnvoyé par Zig38
Dans mon cas je ne peux pas utiliser la première solution (c'est à dire relier la Source à la masse, le Drain au - de la charge, et le + de la charge au +12V) parce que mon mosfet réalise avec une inductance, une diode et une capacité de sortie un hacheur abaisseur.
La deuxième solution me semble la plus adéquate parce que je garderai mon code de µC (0V envoyé par µC donc MOS T2 type P bloqué, 5V T2 passant) tout en réalisant la fonction du convertisseur dévolteur.
Donc si j'ai bien compris mon schéma deviendra comme sur "pièce jointe"
Pour la résistance R c'est de l'ordre de 1k...?
Pour ce qui est de l'échauffement je compte utiliser un dissipateur thermique pour boitier TO220
Merci
Bonsoir;
Tu a mis T1 à l'envers, à part cela, c'est OK.
R = 10 K Ohms me semble convenable.
Tu peux aussi remplacer T1 MOSFET par T1 NPN avec le collecteur de T1 sur la Gate de T2, l'émetteur de T1 sur la masse (ou 0V), et entre la sortie du micro et la base, une résitance de 1 à 5K Ohms.
L'avantage des MOS sur les PNP ou NPN est qu'ils sont commandés en tension avec un courant quasi nul (ils ont une trés forte impédance d'entrée sur la Gate).
Ok Merci beaucoup
Je préfère les MOS parce qu'il consomment moins que les bipolaires.
