question sur l'attaque d'un mosfet entre grille et source

[invite23e9ad8d]

bonsoir...
je m'excuser de polluer ce forum de sujets aussi basique, mais.... malgré mes recherches sur le net (et mêmes dans des livres) je n'ai pas réussi à trouver la réponse à cette question, j'espère que vous oui....
je dois faire un court "exposé" représentant l'attaque entre la grille et la source pour un mofset en régime de commutation... cependant, je ne trouve rien à ce sujet! j'ai juste trouvé qu'un V-Mofset avait une attaque non isotrope en sillicium mais sinon rien du tout..... donc si vous pouviez m'aider je vous serai extrêmement reconnaissant.

je vous souhaite une bonne soirée
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[Tropique]

Hello,

Tu as du faire une recherche très sélective, parce que pour arriver à éviter le sujet, il faut vraiment être très performant... Soit.
En gros, l'impédance d'entrée est dominée par les capacités: celles purement statiques et physiques, qui ne sont pas les plus gênantes, et la capacité synthétique qui résulte de l'effet Miller: lorsqu'on commande le MOS, on change sa tension drain-source (sinon, ça ne servirait pas à grand chose, sauf en cascode), ce qui multiplie la capacité drain-gate de façon non linéaire, et constitue la principale difficulté de la commande.
Je crois qu'avec ça, tu as assez de mots-clé pour approfondir un sujet qui est déjà traité de façon extensive.