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Transistors et simulation ISIS



  1. #1
    Arka200

    Transistors et simulation ISIS


    ------

    Bonjour !

    Pour bien cerner le fonctionnement des transistors bipolaire (NPN PNP) j'ai voulu m'amuser avec le logiciel de simulation ISIS proteus.

    Le problème c'est que j'ai l'intime pressentiment que ce logiciel "n'aime pas" les transistors. En effet il se passe d'étranges phénomène pendant la simulation (tensions,...).

    Par conséquent pourriez vous me faire un petit topo sur le fonctionnement de ces "bébêtes" ?

    Merci de ne pas me renvoyer sur google, j'ai déjà regarder je ne comprends pas vraiment ces calculs, j'ai déjà fait trop de théorie maintenant je préfèrerai du concret...

    Vous m'avez compris j'en suis sûr.

    Merci par avance !
    @+

    -----

  2. Publicité
  3. #2
    gcortex

    Re : Transistors et simulation ISIS

    Dans une simul le gain est connu et les Vbe sont tous identiques. Ce qui n'est pas le cas de la réalité
    http://g-cortex.franceserv.fr/pdf/ut...onducteurs.pdf

  4. #3
    Arka200

    Re : Transistors et simulation ISIS

    heu ok merci gcortex mais du coup je suis perplexe.
    Si le gain est connu lors d'une simulation pourquoi il y a des résultats étranges ?

  5. #4
    gcortex

    Re : Transistors et simulation ISIS

    Donne un exemple en pièce jointe

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