Bonjour à tous,
Existe t-il une procédure particulière pour effectuer le contrôle de transistors MOSFET RF canal N ?
Je m'explique :
Je suis régulièrement amené à travailler sur des générateurs RF travaillant à 13.5 Mhz (puissance 3 kW), les pannes les plus fréquentes sur ce type de système se situent majoritairement au niveau de l'amplificateur RF (classe E).
Dans certains cas, le "dépannage" est extrêmement simple (transistor RF claqué, ou autre composant définitivement endommagé).
Cependant, je me suis souvent trouvé confronté à un fonctionnement "erratique" de certains générateurs (limitation de puissance, harmoniques ayant une amplitude trop élevée par rapport aux specifications constructeur, etc).
Dans ces cas particuliers, le remplacement des transistors RF résoud fréquemment le problème.
Ces transistors sont cependant OK lors d'un contrôle "classique" au METRIX (mise en conduction / blocage OK).
Je dispose également d'un outil prermettant de voir la courbe V/I des composants, malgré cela, je n'ai pas réussi à mettre en évidence un quelconque défaut entre ces transistors "défectueux" et d'autres neufs.
Je pense que ces tests en "statique" sont assez limite pour ce genre d'application ....
J'ai pensé effectuer un relevé de courbes sur un composant OK, puis comparer avec un autre défectueux afin de mettre en évidence une éventuelle anomalie, cependant, cela reste encore du test "statique".
Un avis éclairé sur la question ?
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