résistance base émetteur transistor
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résistance base émetteur transistor



  1. #1
    inviteb133c57f

    résistance base émetteur transistor


    ------

    Bonjour,

    je suis actuellement entrain de lire mon cours sur les transistor, et là je tombe sur cette phrase lors de mes recherches sur le net:

    I
    "Lorsque l'émetteur est directement lié à la masse, l'impédance vue entre la base et la masse est l'impédance de la jonction B-E. Cette impédance est d'une valeur faible d'où la nécessité de la polarisation de la base en courant." je ne comprends pas pourquoi une polarisation en courant s'impose qu'en serait-il dans le cas contraire?

    et aussi "Donc l'introduction de Re entre l'émetteur et la masse augmente considérablement l'impédance entre la base et la masse, elle passe de l'ordre de 1 k à 10 k . Ceci explique pourquoi il n'est pas nécessaire de polariser la base en courant, un diviseur de tension (R1,R2) est donc suffisant"

    et pourtant dans une polarisation par contre réaction de l'émetteur on a polarisé la base en courant alors qu'une polarisation en tension est suffisante cela ce que dit ce message? (Re j'ai compris que son role est de stabiliseer thermiquement le transitor).... j'arrive pas comprendre ces deux passages. Si je peux avoir votre aide?

    Merci

    -----

  2. #2
    invitee05a3fcc

    Re : résistance base émetteur transistor

    Bonjour kyller21 et bienvenue sur FUTURA
    Tes citations sont curieuses ..... car sans doute retirées de leurs contextes. Tu peux donner un lien WEB sur le texte intégral ?

  3. #3
    inviteb133c57f

    Re : résistance base émetteur transistor

    Merci d'avoir répondu,

    le lien

    http://fr.scribd.com/doc/48486608/62...eur-de-tension (page 55)

  4. #4
    invitee05a3fcc

    Re : résistance base émetteur transistor

    Citation Envoyé par kyller21 Voir le message
    "Lorsque l'émetteur est directement lié à la masse, l'impédance vue entre la base et la masse est l'impédance de la jonction B-E. Cette impédance est d'une valeur faible d'où la nécessité de la polarisation de la base en courant."
    L'entrée du transistor se comporte comme une diode (impédance dynamique très faible). Donc il faut injecter un courant base (égal à Ic/béta) pour fixer le point de fonctionnement. D'ou le terme "polarisation en courant"
    Donc l'introduction de Re entre l'émetteur et la masse augmente considérablement l'impédance entre la base et la masse, elle passe de l'ordre de 1 k à 10 k . Ceci explique pourquoi il n'est pas nécessaire de polariser la base en courant, un diviseur de tension (R1,R2) est donc suffisant
    la résistance d'entrée, c'est (grosso modo) Re*beta donc de l'ordre de 10K . Donc, pour fixer le point de fonctionnement, il faut placer une tension sur la base. Le courant collecteur est quasiment égal au courant émetteur qui lui est égal à (Vb-0,6)/Re

    Donc on fixe cette tension base par un pont diviseur (et généralement, on fait passer dans le pont diviseur un courant 10 fois plus grand que le courant base)

  5. A voir en vidéo sur Futura
  6. #5
    inviteb133c57f

    Re : résistance base émetteur transistor

    Merci, je vois un peu...
    Donc en gros il y'a deux types de polarisation du transistor : en courant (ex via une resistance de base) et en tension (ex par l'intermédiaire d'un pont diviseur).
    J'ai une autre question pourquoi dans le cas d'une polarisation par pont diviseur, pour ajuster le point de fonctionnement on agit plutôt sur R2 au lieu de R1 voir RE?

  7. #6
    invitee05a3fcc

    Re : résistance base émetteur transistor

    les 3 résistances jouent sur le pont de fonctionnement. Par contre, on ajuste pas, on calcule .

  8. #7
    inviteb133c57f

    Re : résistance base émetteur transistor

    Pt être j'ai utilisé le mauvais mot... j'ai lu que pour déplacer le point de fonctionnement on modifie la de la resistance R2 et moi pourquoi pas celle de R1 ou RE?

  9. #8
    invitee05a3fcc

    Re : résistance base émetteur transistor

    RE, c'est embêtant . Le gain est donné par RC/RE . Donc on fixe RC et RE
    Ensuite, jouer sur R1 ou R2, c'est kif kif
    Sauf que R2 est toujours plus petit que R1 (la résistance du haut du pont diviseur)
    Sauf que R2, c'est la valeur qui joue le plus sur l'impédance d'entrée du montage R1*R2/(R1+R2) en négligeant RE*Bêta

    Donc, je préfère jouer sur R1

  10. #9
    inviteb133c57f

    Re : résistance base émetteur transistor

    Merci beaucoup! je pense avoir l'ensemble des éléments pour pouvoir continuer mes reflexions au moins jusqu'à 1h!

    Bonne soirée à vous.

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