Bonjour, j'aimerai savoir comment déterminer la résistance base-emetteur d'un transistor. J'ai l'impression que ce paramètre n'es pas indiqué dans les datasheets.
Par exemple, y'aurait-il quelqu'un capable de me donner la résistance base-emetteur du 2N2222 ?
Bonsoir Tobii et tout le groupe
Ce paramètre dont tu parles, n'existe pas, ou n'a pas d'existence réelle. Il n'a donc pas lieu d'être spécifié.Envoyé par Tobii
La jonction base émetteur, c'est ni plus ni moins, une diode, soit, très approximativement une source de tension dans le sens direct, en série avec une résistance dynamique. En inverse, c'est un circuit ouvert, ou une résistance infinie.
Si tu nous expliquais clairement le but de ta recherche, on éviterait de se disperser, en hypothèses.
Comme c'est curieux !
Le modèle petit signaux du transistor fait apparaître une telle résistance. Comment la calculer ?
Bonsoir,
Si mes souvenirs sont bons, cette modélisation corespond à la modélisation d'un montage ampli en emeteur commun.
Et si mes souvenirs ne sont pas encor trop mauvais, ce paramétre s'appelle h11 = Vb / ib (tension sur la bes / courant de base.
C'est pas écrits dans les datas boock car cela dépand de ce qui est monté autour du transistor.
bonsoir,
Je confirme ,
utilisé pour l'analyse de fonctionnement en petits signaux
avec les parametres H du transistor etudié , avec la transformé
en admittance parametres Y...
le fameux schema de giacoletto
valeurs typiques retrouvée dans un exercice (1968!)
h11e=2,8K
h12e=10-3
h21e=100 ( gain Beta)
h22e=5x10-3 mA/V
on retouve dans l'exemple ci-joint cette valeur exprimée de Rbe
Hello
Pour une jonction idéale, à 25°C amb., c'est la relation classique rd=26/ib (donne rd en ohms si ib est en mA).
Pour des courants plus élevés, il faut éventuellement ajouter la résistance intrinsèque d'émetteur, et avec des jonctions réelles, une relation plus exacte est 26.ib ^-0.8.
A+
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Merci pour ces précisions
