Bonsoir à tous,
j'ai des problèmes de simulation sous Proteus (ISIS) et je viens donc vers vous pour trouver de l'aide.
J'essaye de simuler le comportement d'un MOSFET pour commander un moteur de 12V déclenché par la sortie d'un micro-contrôleur de 5V mais le logiciel ne veut rien entendre...
J'ai essayé deux montages et j'ai toujours des problèmes, pourriez-vous m'indiquez ce que je fais mal s'il-vous-plaît ? Comment faire pour que cela fonctionne ?
Merci d'avance et amicalement,
Dj1312.
bonjour
il faut prendre le schema 2; la diode ne sert a rien. Le rail "power ' est bien regle a +12V (par defaut il est a +5) ?
A+
Bonjour,
Pourquoi ne pas mettre une résistance 10K entre le gate du MOSFET et la masse.(resistance pull-down)?
Ainsi, la tension VGS sera soit +Vin soit 0V (la de tension flottante).
(C'est juste une idée, à rectifier si c'est une ânerie)
Bonjour,
comme déjà signalé :
- utiliser le second montage ;
- ajouter une résistance entre la gate du MOSFET et la masse ;
- retirer la diode.
Par ailleurs :
- ajouter une diode de roue-libre en parallèle du moteur ;
- ton microcontroleur va sortir du 0/5V, ce qui n'est pas suffisant pour saturer le MOSFET : il faut au moins du 0/10V. A quelle fréquence commutes-tu le MOSFET ?
Enfin : tes schémas son sales : il ne devrait pas y avoir de points verts au milieu des fils. Ces points représentent des jonstions entre les fils.
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
Et ton 2N6782, c'est un mauvais choix ! 0,6 ohm pour Vgs=10V ...... il va chauffer dur ...dur !
prend un NMOS "TTL" ou "logic" !
Fait ton choix :
NMOS_TTL.txt
Deux questions (sans doute bêtes mais je préfère ça que rester dans l'ignorance ...):
1) Sachant que VthresoldGS=4V max (d'après la datasheet) , si ce MOSFET est commandé par du +5V, le MOSFET fonctionnera t-il en régime linéaire?
2) Le courant Ids sera t'il égal à (12V-VDSon)/RDSon?
Vgs>Vgs_th impose seulement que le MOS Sera partiellement passant. à quel point partiellement ? On ne sait pas, on ne peut pas savoir et ça ce n'est pas constant dans le temps.Envoyé par TheWill
RDSon est définie lorsque le mos est bien saturé, c'est à dire @Vgs>10V.2) Le courant Ids sera t'il égal à (12V-VDSon)/RDSon?
VDS_on n'a a priori pas de sens : même lorsque le transistor est saturé (donc @Rds_on=cste), Vds dépend de Id.
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
La valeur de VthresoldGS ne présente aucun intérêt ....
C'est la valeur de Rdson pour Vgs= XX qui est à regarder !
Merci à vous deux.
Donc tant que Vgs>Vgsth, si Vgs augmente, Rds diminue donc Id augmente (pour Valim=cte) (=>régime linéaire), jusqu'à un point où Rds ne peut plus diminuer (Rdson) et Id sera cte pour Valim=cte.(=>régime saturé).
Ceci étant donné pour Valim=cte.Bien sur, si Valim varie, Id varie ds le même sens.
Et bien sur: Vds=Id*Rds
C tout bon.
Désolé d'avoir embêter Daudet78 et Antoane avec des questions un peu trop basiques.
Yep.
Pas de mal, bien au contraire.Désolé d'avoir embêter Daudet78 et Antoane avec des questions un peu trop basiques.
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
Merci, ça marche enfin !
Mais je comprend pas vraiment pourquoi il faut rajouter une résistance de 10k ?
C'est le prinicpe de la résistance pull-down.
Il n'est pas bon de laisser une broche de commande à un état"flou" (tension qui varie selon les champs électriques parasites aux alentours). On fixe donc la broche à un potentiel fixe.
Si la tension de commande=0V, alors la tension à la résistance=0V (donc Vgs=0V).
Si ta commande vaut 10V, alors la tension à la resistance=10V donc Vgs=10V.
Tout ça pour de la propreté de commande!!
Cela vaut aussi pour un µC: les pattes qui ne servent pas devraient être reliées à la masse.
Dans ce cas si la tension est flou, la tension de la résistance est flou, donc Vgs=flou , Nan ?
bonsoir
non car la résistance permet de tirer ta tension flou à la masse.
Sans en demander trop, vous pourriez me l'expliquer mathématiquement ?
Je ne comprend pas pourquoi la résistance ne "mange" pas tout ce qu'elle reçoit lors qu'il y a un 1L (5V).
Je comprend l'utilisation mais je comprend pourquou on obtient ça...
Par exemple, pourquoi quand il y a 5V la resistane ne prend pas tout ?!
Parce que la résistance est d'une valeur assez importante (10K) pour ne pas faire s'effondrer la tension à ses bornes.
En tout cas, si maintenant ça marche ...
Donc :
-Quand on a un OL (0V) :
I est casi nulle, donc U=R*I=10.000*I
La tension est totalement prise par la résistance
-Quand on a un 1L (5V) :
I a n'importe quelle valeur, notre N-MOS aura son intensité nécessaire à laisser passer Vds et sa tension de commande de 5V.
J'ai tout bon ?
Plutôt bon.
C'est pas trop une question d'intensité dans la résistance.
Le courant arrivant dans la grille est très faible, c'est pour ça que les circuit de type CMOS consomment très peu (comparés aux TTL).
Quand on a 0L(0V), la tension est "tirée" vers 0V.
Quand on a 1L(5V), la tension est de 5V.
Tu verras ça souvent sous proteus, si tu ne mets pas de résisatnce pull-down aux brochées d'entrées ou de sortie, tu te retrouveras dans un état indéfini (ni LOW ni HIGH) , je crois que ça ressemble à un carré jaune à côté de la broche correspondante.
Bonjour,
Je tente une autre approche :
met ton voltmètre sur le calibre millivolt, écarte les pointes de touche de manière à ce qu'elles ne touchent rien.
Tu devrais mesurer 0V, mais tu mesures des mV, parce que les fils allant au voltmètre font office d'antenne qui vont capter tout le bruit éléctro magnétique ambiant.
Ce bruit EM peut être modélisé par une source de tension Vb en série avec une résistance Ri de très forte valeur (>>1M). Comme ton voltmètre à une très grande impédance d'entrée (~Ri), la tension mesurée est ~Vb.
Refais l'expérience en mettant une résistance R<<Ri entre les deux pointes de touche du voltmètre : tu mesures effectivement Vb*R/(R+Ri)~0mV (pont diviseur).
L'entrée d'un MOSFET peut être modélisée par une résistance de ~10^12ohm entre la gate et la source. Laissée "en l'air", la gate va donc capter tout le bruit EM ambiant, ce qui risque de conduire :
- à un fonctionnement erratique ;
- à une destruction du composant.
D'où l'ajout de la résistance de 10k.
La résistance voit effectivement à ses bornes 5V, est donc traversée par un courant de 500µA, mais ce n'est pas un problème : tant que le µC peut maintenir sa sortie à 5V tout en fournissant 500µA, la tension sur la gate demeure à 5V. Si le µC en est capable c'est parce qu'à la différence de notre source de bruit, son impédance de sortie est faible.Je ne comprend pas pourquoi la résistance ne "mange" pas tout ce qu'elle reçoit lors qu'il y a un 1L (5V).
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
Bonne approche.
Cependant, la tension mesurée ne serait elle pas Vb/2? (V=Ri/(Ri+Ri)*Vb ).
Peu être que je chipote pour Vb~qqes mV mais pour le principe (à mon avis , je me trompe.)
C'est bien ça, mais c'est toi qui voulais des maths
Ca peut-être bien plus que des mV, qui ne seraient pas gênants.
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
Des maths, des maths, oui mais des panzani! (je crois que c'est heure de déjeuner non?)
Merci pour ton explication Antoane, je viens enfin de comprendre !
Mais pourquoi est-ce que l'on prend 10K et pas moins ou plus ?Bonjour,
Je tente une autre approche :
met ton voltmètre sur le calibre millivolt, écarte les pointes de touche de manière à ce qu'elles ne touchent rien.
Tu devrais mesurer 0V, mais tu mesures des mV, parce que les fils allant au voltmètre font office d'antenne qui vont capter tout le bruit éléctro magnétique ambiant.
Ce bruit EM peut être modélisé par une source de tension Vb en série avec une résistance Ri de très forte valeur (>>1M). Comme ton voltmètre à une très grande impédance d'entrée (~Ri), la tension mesurée est ~Vb.
Refais l'expérience en mettant une résistance R<<Ri entre les deux pointes de touche du voltmètre : tu mesures effectivement Vb*R/(R+Ri)~0mV (pont diviseur).
L'entrée d'un MOSFET peut être modélisée par une résistance de ~10^12ohm entre la gate et la source. Laissée "en l'air", la gate va donc capter tout le bruit EM ambiant, ce qui risque de conduire :
- à un fonctionnement erratique ;
- à une destruction du composant.
D'où l'ajout de la résistance de 10k.
La résistance voit effectivement à ses bornes 5V, est donc traversée par un courant de 500µA, mais ce n'est pas un problème : tant que le µC peut maintenir sa sortie à 5V tout en fournissant 500µA, la tension sur la gate demeure à 5V. Si le µC en est capable c'est parce qu'à la différence de notre source de bruit, son impédance de sortie est faible.
On peut prendre plus, on peut prendre moins.
Il faut cependant prendre <<Ri et >> l'impédance de sortie du µC.
Voir aussi que tout le courant qui passe dans cette résistance est perdu, on a donc tout intéret à la prendre aussi grande que possible.
10k, c'est un bon compromis et c'est une valeur ronde et très courante.
Deux pattes c'est une diode, trois pattes c'est un transistor, quatre pattes c'est une vache.
bonjour je cherche des information sur l'editeurs de programme dans proteus car je n'arrive pas a visualiser mon programme
