Bonjour
J'ai fait un circuit à base de µC qui commande une charge résistive par une PWM. L'interface entre le µC et le mosfet est faite d'un photocoupleur et de quelques composants. Le problème est que si je relève la tension Vgs sur le mosfet, je vois comme des décharges de condensateurs. Pourtant la capacité d'entrée du mosfet devrais être négligeable avec les 22kohm de R11.
En PJ mon schéma et ce que je vois à l'oscillo
oscillog.PNGschéma.PNG
Merci
La capacité d'entrée d'un NMOS est de quelques nanofarads ...... et on n'a pas la fréquence de fonctionnement .
L'oscillogramme est sympa, mais sans échelle de temps, ni de tension.
Bon à la louche 22K et 1,8nF, il faut dans les 70µs pour redescendre en dessous de la tension de Threshold du MOS.
Excusez moi, c'est justement pour ça que je ne comprend pas ces résultats : la fréquence de fonctionnement est de 500Hz seulement.
La capa d'entrée du mosfet est de 1.66nF d'après la doc.
Donc entre 2 impulsion pwm tu as 2ms. C'est ce que tu veux dire.
As tu regardé combien de temps il faut à ton optocoupleur pour désaturer. Si tu le pilotes avec du 5V tu envois dans les 8mA dans la led.
D'après la datasheet, avec une charge de 22k et 5ma dans la led il met plus de 1ms à se bloquer.
Il faut ensuite ajouter le temps de décharge de la capa de gate et pas seulement celle ci. Tu as aussi à évacuer les charge de la capa Drain-Gate, et la le drain remonte de 340V ce qui augmente notablement sa valeur apparente.
Utilise un buffer NPN/PNP de ce genre
PS : évidemment sans l'ampiOP et consort !
Il faut faire attention avec ce genre de simplification: on voit que dans des conditions opérationnelles, la contribution de charge G-D est environ 4x plus grande que la G-S. Tu peux donc déjà multiplier tes 1.66nF par 5.Envoyé par AmigaOS
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
La capacité drain darin/gate apparente dépend de la tension appliquée sur le drain. En gros il faut multiplier sa valeur par le rapport qui existe entre la tension de drain et la tension de Threshold. A titre indicatif le datasheet donne les charges en coulomb pour une tension de drain donnée.
Et comme le dit Tropique, on est pas de l'équivalent de 5 fois Cgs au total. Donc les différentes capa du mos participent à environ 500 à 1000µs du temps de décharge, et l'optocoupleur doit participé à environ 1ms pour sont temps de désaturation. D'ailleurs si on regarde attentivement la décharge on aperçoit deux pentes qui doivent correspondre aux deux phénomènes.
J’ai maintenant rajouté un paquet de 10 résistances 100k, 1W sur celle qui y était déjà en adaptant les autres, et ça fonctionne à peu près correctement. Il me faudra juste un dissipateur un peu plus gros pour la légère pente qu’on voit encore un petit peu maintenant.
Sinon, merci pour les infos!
Oui on voyait des décharges en 2 pentes.D'ailleurs si on regarde attentivement la décharge on aperçoit deux pentes qui doivent correspondre aux deux phénomènes.
Tu as essayé le NPN/PNP de ma réponse #6 ?
Non, parce que je l'ai fait sur un circuit imprimé et il y avait donc plus de place. Je pouvais juste souder à peu près proprement mes résistances par dessus. Mais j'avais déjà utilisé ce circuit (sans l'AOP) pour commuter à 18kHz et là ça avait bien fonctionné.Tu as essayé le NPN/PNP de ma réponse #6 ?
Ben oui ... c'est la solution !
Bonjour
Même si ca fonctionne à peu près, j'ai continué à faire des tests et je me suis rendu compte que enfaite la tension sur la grille du mosfet est beaucoup plus carré que celle aux bornes de la charge. Est ce que cela pourrait venir d'un défaut du mosfet ? Je met en PJ les oscillogrammes. A gauche Vgs à droite Vcharge mais ils sont à des rapports cycliques différents, ça c'est normal.
CIMG1347.JPGCIMG1348.JPG
Pour pouvoir répondre, il faudrait le schéma complet, en particulier la charge du MOS: le comportement est peut-être tout à fait normal.
Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.
Un défaut de mos, tu peux oublier, ça marche ou ça casse. Donc le schéma et les points de mesure aideront à répondre à ta question.
Pour le schéma, c'est exactement celui que j'ai donné plus haut, il manque juste le µC qui commande le phototransistor.
Sinon aujourd'hui j'ai tester mon système sur différentes charges : Des ampoules à incandescences
J'ai tester avec 40W puis 100W puis 500W avec la PWM à 90% et ça chauffait presque pas. Mais quand j'ai voulu tester l'ampoule de 1500W le MOSFET (IPP60R160C6) à grillé instantanément. Donc il est devenu passant tout le temps. C'est ensuite que je me suis rendu compte que dans l'état éteint les ampoules à incandescences ont une résistance très faible! 36ohm pour la 100W, 2.5ohm pour la 1500W... C'est peut être ça qui a grillé le MOSFET. Qu'en pensez vous ?
La résistance d'un filament de lampe à incandescence varie dans un rapport de 1 à 15 avec la température.
Une lampe de 60W fait 60ohm à température ambiante et atteint 960ohm sous 240V.
Calcul le courant à commuter, et compare avec les spécifications de ton MOS.
Ah oui, dans la doc on parle de 70A en impulsion. Alors qu'on peut avoir jusqu'à (230*racine2)/2.5=130A au démarrage...
