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Transistor FET hors service en court-circuit ou en circuit ouvert ? Pourquoi ?



  1. #1
    electrochipis

    Transistor FET hors service en court-circuit ou en circuit ouvert ? Pourquoi ?


    ------

    Bonjour,

    Quel est le mécanisme (niveau semi-conducteur) qui explique qu'un FET hors service puisse se mettre en court-circuit ou en circuit ouvert ? (j'aurais plutôt pensé à un circuit ouvert en cas de destruction mais il semble que bien souvent ce soit l'inverse...)

    D'ailleurs, pourriez-vous estimer le pourcentage de cas "court-circuit" versus cas "circuit ouvert" ?


    Merci beaucoup !

    -----

  2. #2
    gcortex

    Re : Transistor FET hors service en court-circuit ou en circuit ouvert ? Pourquoi ?

    JFET ou MOSFET ?

    les JFET, tu as une diode entre grille et source.
    les MOS, tu as une diode entre drain et source.
    Dernière modification par gcortex ; 23/07/2013 à 15h09.

  3. #3
    electrochipis

    Re : Transistor FET hors service en court-circuit ou en circuit ouvert ? Pourquoi ?

    Peu importe, disons MOS-FET, c'est juste pour comprendre le mécanisme !

    Merci

  4. #4
    Tropique

    Re : Transistor FET hors service en court-circuit ou en circuit ouvert ? Pourquoi ?

    Lorsque la cause de la destruction est électrique, les semiconducteurs commencent universellement par se court-circuiter: l'état isolant n'est qu'un fragile équilibre maintenu dans l'état solide, et en cas de surcharge, tout fond, tout se mélange, et même si température de fusion n'est pas atteinte, les phénomènes de diffusion augmentent exponentiellement en vitesse, et l'encapsulant, le substrat migrent dans les jonctions et les contaminent.

    Après, si l'énergie est suffisante, il peut se produire une fracturation ou une volatilisation du composant qui fait fusible et s'ouvre, mais ce n'est généralement pas le cas, et c'est une deuxième étape.
    Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.

  5. A voir en vidéo sur Futura
  6. #5
    electrochipis

    Re : Transistor FET hors service en court-circuit ou en circuit ouvert ? Pourquoi ?

    Bonjour,

    Pour aller plus loin svp :

    "tout fond, tout se mélange" -> cela signifie-t-il que les atomes dopants type P et type N changent de zone de manière à ce qu'il n'y ait homogénéité des zones de drain, source et canal (une sorte de barreau de silicium dopé P+N).

    Si c'est cela, comment expliquer que l'ohmmètre détecte un court-circuit et pas une résistance (si faible soit-elle) ? Car la zone "mixée" dopée P+N créée reste quand même bien moins conductrice qu'un conducteur n'est-ce pas ?

    A moins que ce soit l'ohmmètre qui, lorsqu'il fait sa mesure, vienne apporter l'énergie nécessaire pour sortir les électrons des pièges nouvellement créés dans la bande interdite pour les amener dans la bande de conduction... nous donnant l'illusion d'un "bon" conducteur...


    Ou alors ce sont les éléments des prises de contact (les pattes) qui viennent migrer dans (polluer) le semi-conducteur ???


    Merci à vous

  7. #6
    gcortex

    Re : Transistor FET hors service en court-circuit ou en circuit ouvert ? Pourquoi ?

    Un ohm-mètre n'est pas fait pour mesurer les faibles résistances car il
    n'injecte que 10 mA alors qu'avec 1A, on aurait 100x plus de précision.
    Dernière modification par gcortex ; 24/07/2013 à 11h31.

  8. #7
    gcortex

    Re : Transistor FET hors service en court-circuit ou en circuit ouvert ? Pourquoi ?

    Il existe même des appareils avec 4 fils, pour que la résistance des fils qui envoient le courant ne compte pas dans la mesure.
    Dernière modification par gcortex ; 24/07/2013 à 11h35.

  9. #8
    Tropique

    Re : Transistor FET hors service en court-circuit ou en circuit ouvert ? Pourquoi ?

    Citation Envoyé par electrochipis Voir le message
    Bonjour,

    Pour aller plus loin svp :

    "tout fond, tout se mélange" -> cela signifie-t-il que les atomes dopants type P et type N changent de zone de manière à ce qu'il n'y ait homogénéité des zones de drain, source et canal (une sorte de barreau de silicium dopé P+N).
    Entre autres, mais pas seulement: les métallisations, l'eutectique de fixation passent en solution

    Si c'est cela, comment expliquer que l'ohmmètre détecte un court-circuit et pas une résistance (si faible soit-elle) ? Car la zone "mixée" dopée P+N créée reste quand même bien moins conductrice qu'un conducteur n'est-ce pas ?
    Tu ne dois pas avoir beaucoup d'expérience pratique du domaine: en fait, on trouve de tout, depuis 0.2 0.3 ohm, la résolution de l'ohmmètre, jusqu'à quelques kohms, voire plus dans certains cas.
    A moins que ce soit l'ohmmètre qui, lorsqu'il fait sa mesure, vienne apporter l'énergie nécessaire pour sortir les électrons des pièges nouvellement créés dans la bande interdite pour les amener dans la bande de conduction... nous donnant l'illusion d'un "bon" conducteur...
    Non, il ne faut pas partir sur genre d'idée....
    Pas de complexes: je suis comme toi. Juste mieux.

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