Resistance Transistor MOSFET

[invitec20da42e]

Bonjour,

Je suis nouveau sur le forum et dans l'électronique enfin presque. J'ai fait pas mal d'électronique pendant mes études et décide de m'y remettre doucement.

Je commence donc par une petite question simple:

J'ai l'intention de contrôler un (et bientôt plusieurs) moteur électrique via une carte Arduino. Pour effectuer ce contrôle je pense passer par un MOSFET. J'ai trouvé un RFP14N05L à pas trop cher (0.425€/u). Le moteur à contrôler n'est pas bien puissant (9V pour quelques Ampères grand max). C'est un moteur 9V Lego (ancienne génération). Je pense que mon MOSFET Est bien dimensionné. Ai-je raison ?

Autre chose. Je ne me souvient plus comment calculer la résistance à mettre entre la sortie arduino (5V) et le MOSFET (entre 1 et 2V il me semble ?). Quelqu'un peut-il m'éclairer ?

Merci pour la lecture
-----

[invitee05a3fcc]

Bonjour maheox et bienvenue sur FUTURA
Ton Aduino est alimenté en quelle tension ? autrement dit, il sort du 0/5V ou du 0/3,3V ?

[invitec20da42e]

Bonjour et merci de ton accueil.

Ma carte est alimentée en 9.6V. Le choix de l'alim du moteur se fera entre la pin Vin de l'arduino ou d'une autre batterie similaire. Le moteur n'est vraiment pas puissant (les 5V sous une 40aine de mA permettent de le faire tourner).

Les sorties de la carte quant à elles fonctionnent en TOR et envoient bien du 0/5V sous une 40aine de mA max d'après se que j'ai pu lire.

J'ai oublier de préciser que je vais gérer la vitesse du moteur en PWD.

Cordialement.

[jojo150393]

Dans la datasheet il dise bien que tu peux le commander en logic donc pas besoin de résistance. Tu connectes la grille à ton arduino, la source à la masse et le drain à une des deux broches du moteur et l'autre broche à 9v. Quand tu mets un 1 (5v) sur la grille le mosfet est passant ton moteur tourne et un 0 (0v) le mos est ouvert et ton moteur s'arrêtes.

[A voir en vidéo sur Futura]

[invitec20da42e]

Merci Jojo

Suite à ta réponse, je me demande donc à quoi correspond la plage 1 - 2V de la doc du transistor. (p6-136 2eme ligne du tableau) :

Gate Threshold Voltage VGS(TH) VGS = VDS, ID = 250mA, Figure12 1 - 2 V

Autre petite question qui me vient à l'esprit à l'instant même (j'avoue n'avoir fait aucune recherche à ce sujet )? Quelles sont les conséquences d'un "sur"dimensionnement d'un MOSFET ? du genre prendre un 600V/50A pour une led ? L'impédance dépends t-elle de ses caractéristiques ? La tension Vsd (donc les pertes si j'ai bien compris ?) augmente t-elle en fonction de ce dimensionnement ?

Mes questions paraissent peut-être illogiques et mon raisonnement n'est peut-être pas le bon mais je préfère bien comprendre le fonctionnement de se que j’entreprends.

[invite6a6d92c7]

Un MOSFET à l'état passant se comporte comme une résistance, et pour le polariser, il faut appliquer une tension entre la grille et la source. Sous très haute impédance, donc ça ne tire aucun courant, et pas besoin de résistance puisqu'elle est déjà dedans et qu'elle fait plus d'un mégohm...

Tu peux utiliser un MOSFET très costaud pour une microcharge, mais tu risques d'avoir une R_DSon plus grande qu'avec un transistor adapté, donc plus de pertes, sans compter qu'il devient difficile de les commander avec 3,3V ou 5V (c'est plutôt de l'ordre de la dizaine de volts). Sinon, en 600V/50A, on utilise plus trop de MOS mais plutôt des IGBT! Pas pour le courant (j'ai des IRFZ44N en stock qui passent une cinquantaine d'ampères et qui sont en boitier TO220, comme des régulateurs intégrés!) mais pour les 600V, les MOS aiment pas trop les fortes tensions... Et on a inventé l'IGBT, alors pourquoi s'en priver!

[invite6a6d92c7]

Ah, et le Vdson, c'est celui d'une résistance: U=RI, donc Vdson = Rdson * Id! Et pour les pertes, c'est pareil: dans une résistance P=RI², dans un MOSFET P = Rdson * Id². Elle est pas belle, la vie?

[invitec20da42e]

U=RI, donc Vdson = Rdson * Id

oO U=RI ? je maîtrise pas tout là

Plus sérieusement, je pense que je vais aller me coucher Un peu honteux de ne pas avoir raisonné comme ça. Après ma logique n'était pas toute fausse

Merci pour ces précisions. Bonne soirée.

Edit: Il y a un système de tag [Résolu] sur le forum ? Merci

[jojo150393]

J'avais fait la proposition mais malheureusement pas de TAG résolu sur le forum ils ne veulent pas ...

[invitec20da42e]

Merci Jojo

Suite à ta réponse, je me demande donc à quoi correspond la plage 1 - 2V de la doc du transistor. (p6-136 2eme ligne du tableau) :


Autre petite question qui me vient à l'esprit à l'instant même (j'avoue n'avoir fait aucune recherche à ce sujet )? Quelles sont les conséquences d'un "sur"dimensionnement d'un MOSFET ? du genre prendre un 600V/50A pour une led ? L'impédance dépends t-elle de ses caractéristiques ? La tension Vsd (donc les pertes si j'ai bien compris ?) augmente t-elle en fonction de ce dimensionnement ?

Mes questions paraissent peut-être illogiques et mon raisonnement n'est peut-être pas le bon mais je préfère bien comprendre le fonctionnement de se que j’entreprends.

Je me questionne quand même toujours sur cette plage de 1 - 2V.

[invitee05a3fcc]

Je me questionne quand même toujours sur cette plage de 1 - 2V.

Le Gate Threshold Voltage VGS(TH) sert à rien. Cela veut dire que si tu mets moins de 1V sur la grille, tu es sûr que le NMOS est bloqué. Ce qui est le cas de toutes les sorties de driver ou de circuit logique.
Surdimensionné un MOS ne pose guère de problème sauf :
- Plus le courant Max est élevé, plus la capacité d'entrée est grande ( influence si tu commutes à fréquence élevée)
- Plus la tension Max est élevée, plus le Rds(on) est grand ( pertes en position "ON' plus élevées)

[invite6a6d92c7]

Un peu honteux de ne pas avoir raisonné comme ça.

Il n'y a aucune honte à se tromper, au contraire: c'est tout à ton honneur d'avoir cherché à confirmer ou à infirmer ce que tu pensais, sans te baser sur tes acquis!