En fait, l'erreur vient du fait que tu as oublié que l'on travaille en régime linéaire! Effectivement, en commutation donc en régime saturé, un MOS chauffe généralement moins qu'un bipolaire, car le Vds du MOS sera souvent inférieur au Vce du bipolaire à leur courant nominal.
Mais ici, le Vce/Vds, il n'est pas imposé par le transistor mais par le reste du montage! En fait, c'est là le principe de fonctionnement du régulateur! Dans la branche "puissance", tu as donc une charge, le Vce du transistor, et la résistance de mesure Rshunt. La tension sur Rshunt, elle est fixée par ce que tu ramènes sur l'entrée "+" de l'AOP. La tension sur la charge, elle dépend de la charge elle-même: pour une diode elle sera quasi-constante quel que soit le courant, pour une résistance, elle sera proportionnelle à celui-ci.
Prenons un exemple: l'AOP est "réglé" pour recopier 1V sur une résistance de 1 Ohm, il circulera donc 1A dans la puissance. L'alimentation est faite en 24V. Comme charge, on met une résistance de 10 Ohms: elle aura donc à ses bornes 10R*1A = 10V. On a donc 24V d'alimentation, moins 10 sur la charge, moins 1 sur le shunt. Où passe le reste? Sur le transistor ballast! Là, on aura 13V à ses bornes. Avec, comme une charge, une diode Zener 5V, on aurait 18V sur le ballast. Tu vois que ça ne dépend pas de celui-ci!
Là où ça pourrait changer, c'est que si tu as un triple Darlington (trois bipolaires en cascade), tu as un Vcemin de 2V environ. Donc en dessous de cette tension "réservée" au transistor, ça ne fonctionnera plus correctement! Avec un MOSFET, on peut éventuellement descendre un peu plus bas... Mais dans tous les cas, ce n'est pas souhaité, on évite de s'approcher des "bornes" de fonctionnement!
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