création d'un transistor à 4 bornes sous ORCAD

[invite09104ce0]

Bonjour,
j'aimerais savoir, est ce qu'il y a une méthode pour transformer un transistor Q2n2222 à un transistor qui a les mêmes caractéristiques mais avec 4 bornes ?
et j'aimerais que vous m'indiquer cette démarche, si c'est possible.
Merci
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[inviteede7e2b6]

mais quelle est la quatrième patte ???

[f6bes]

Bonjour à toi,
Les caractéristiques de ton bestiau , tu t'en fout. Ce qui compte c'est l'ordre de REPARTITION des " broches" du transistors.
C'est à dire : émetteur , base, collecteur, masse .
De toute façon les broches étant à fil, peu importe un écart de qq millimétres.

Bonne soirée

[annjy]

............
C'est à dire : émetteur , base, collecteur, masse .
............

Bjr,

ça, c'était du temps des AF 116........

Cdlt,
JY

[A voir en vidéo sur Futura]

[inviteede7e2b6]

ça ne nous rajeunit pas.....

et l' AF118... qui servait de PA au émetteurs 27 pirates

[annjy]

Re,
pour les jeunes (PIXEL ?), un transistor à 4 pattes:

http://www.radiomuseum.org/images/tu...in/af116_2.jpg

cdlt,
JY

[annjy]

ça ne nous rajeunit pas.....

et l' AF118... qui servait de PA au émetteurs 27 pirates

Un peu faiblard.
QQE 06-40 !

Amicalement,
JY

[f6bes]

Remoi,
Un brochage TO33 et c'est bon...
Mais comme dit PIXEL , si 4 broches...c'est pas un 2N2222 ( TO-18)

Bonne soirée

[invite09104ce0]

Rebonjour,
un transistor à 4 bornes c'est à dire {Collecteur Base Émetteur Substrat}.
Lorsque on demande le "Model Editor" de Orcad il nous donne les valeur des BF, Is, Vbe...... du transistor. Donc j'aimerais au lieu d'utiliser le Q2n2222 qui a 3 bornes {C B E}, je crée un autre qui aura 4 bornes et je colle les caractéristiques du Q2n2222 dans les paramètres de ce nouveau transistor.

[inviteede7e2b6]

ça n'existe pas.... le "substrat" est en général , le collecteur, relié au boitier.

[azad]

Et n'oubliez pas, tout de même, l'existence de ces transistors FET à bi-grille, qui équipaient ( et qui équipent, peut-être encore) les étages HF de récepteurs OC de qualité. Et les deux grilles (gates) étaient actives, l'une permettait si je m'en souviens bien, l'application de la CAG pour éviter transmodulation ou autres sources de bruit. Et ils étaient livrés avec un anneau qui court-circuitait les quatre broches, et qu'on enlevait après câblage, tant ils craignaient les charges statiques.
Bien sûr ce n'étaient pas des 2N2222.

[jiherve]

Bonsoir,
à quatre vraies pattes et complétement vintage: 3N74.
Un chopper bi émetteur.
JR

[invite09104ce0]

Je ne sais pas si ce genre des transistors existent dans le marché ou non, mais je travaille sur une application en HF, et j'ai trouvé des articles qui discutent le cas de relier le substrat du transistor NPN avec la tension la plus basse pour arriver à des bandes passantes grandes.
Lorsque j'ai cherché sur le logiciel ORCAD j'ai trouvé une biblio nommée "breakout" qui contient ce genre de transistors, mais le problème est lorsque j'essaie d'enregistrer le composant dans un autre dossier je perd la 4eme borne.

[Tropique]

La connexion de substrat n'a d'existence et de sens que lorsque des transistors multiples sont présents sur un support monolithique commun: il faut des caissons d'isolation pour que chaque transistor soit raisonnablement indépendant, et le commun des diodes têtes bêches qui en résultent est le substrat, qu'il vaut mieux polariser en inverse à la valeur maximale possible pour augmenter la barrière de potentiel, réduire la capa de jonction, etc.
Un exemple typique est le CA3127, qui possède une connection de substrat séparée, contrairement à beaucoup d'autres où elle est retournée à un des émetteurs que l'on présuppose être le plus négatif.
http://www.intersil.com/content/dam/...a31/ca3127.pdf

Forcer une connexion de substrat sur un transistor qui n'en n'a pas besoin semble à priori un non-sens: on ne va pas savoir réduire plus des capacités qui sont au départ technologiquement non-existantes.
En seconde analyse, il peut cependant y avoir des effets de champs: le substrat va agir comme le gate d'un FET fantôme, et va réduire la conductance des autres canaux s'il est polarisé négativement, mais si le transistor n'en est pas pourvu au départ, je ne vois pas comment on peut faire coller cela à la réalité.

Il vaudrait mieux se baser sur des composants réels, comme le CA3127 précédemment cité, ou éventuellement des MPQ2222 qui sont 4 2N2222 dans un même boîtier, mais j'ignore si ce sont 4 dices réunies dans un boîtier commun, ou un quadruple transistor monolithique. Où se trouve la connection éventuelle de substrat est tout aussi brumeux, mais si des modèles spice existent (de Motorola), cela doit être inclus de manière explicite
www.centralsemi.com/leadedpdf/mpq2222.pdf

En tous cas, des modèles avec substrat du CA3127 existent, mais il est très différent du 2N2222

[azad]

Parce que quand on utilise le substrat c'est que l'on veut bénéficier d'artifices tels que diminution des capacités parasites ou amélioration du temps de récupération par exemple, mais sauf erreur, il n'y a toujours que trois bornes actives. Reste les cas cités par jiherve de transistors bipolaires multi-emeteurs que l'on trouve souvent dans la logique TTL, mais alors c'est pour obtenir de façon économique des portes et encore, je doute qu'ils soient commercialisés. Les seuls que je connaisse sont les mosfet à deux gates, que les nostalgiques du tube, s'étaient d'ailleurs empressés de nommer (un peu hâtivement) transistors tétrodes.
Un lien sur ces bêtes, lien trouvé d'ailleurs ici même