Bonjour,
Je travaille sur des simulations des circuits à base des transistors NPN et des sources de courant idéals. J’aimerais savoir, à partir des paramètres internes des transistors, qu’il est la grandeur du courant maximale qui peut supporter le transistor ainsi que la fréquence de transition ?
Merci beaucoup.
Bonsoir,
Ta question n'a pas vraiment de sens, mais je vais quand même essayer d'y répondre... Le courant de collecteur maximal vient des échauffements qu'il entraîne et donc de la capacité du transistor (et de son environnement) à évacuer les calories, la fréquence de transition vient des capacités parasites du transistor (entre autres celle de la jonction BC, h12 en modélisation hybride). Quand la fréquence grimpe, elle tend à "shunter" le montage et à relier le collecteur à la base. Donc forcément, si base et collecteurs sont reliés, tu n'as plus d'amplification (la fréquence de transition étant la fréquence à laquelle le montage n'amplifie plus).
La capacité base-émetteur crée des soucis aussi : toi, tu envoies un certain courant dans la base, mais h11 ne récupère pas tout : une partie est déviée dans la fameuse capacité de jonction. Celui qui rentre dans h11 (toujours en modélisation hybride), c'est celui qu'on va retrouver amplifié d'un facteur h21 (bêta) dans le collecteur. Globalement, h21 ne bouge pas trop avec la fréquence, mais plus elle est grande, moins la part de courant injectée à la base qui va se retrouver amplifiée est grande, donc Is/Ie diminue!
Imagine un h21 de 100, tu envoies 1mA dans la base. En "basse fréquence", la capa BE est inactive, ce mA est amplifié et 100mA circulent dans le collecteur. Mais si la fréquence augmente, prenons une fréquence à laquelle la capa BE présente une impédance égale en module à h11. Ton 1mA se répartit en 0,707mA dans h11, et 0,707mA dans la capa BE. Donc, avec un h21 constant et toujours égal à 100, tu ne retrouves que 70,7mA dans le collecteur... D'où un gain global Is/Ie, c'est-à-dire le courant récupéré sur la patte "C" divisé par le courant envoyé dans la patte "B" du transistor qui diminue... Jusqu'à atteindre 1 à la fréquence fT !
Merci beaucoup pour votre réponse.
J'ai compris de plus le fonctionnement des transistors.
J’aimerais savoir comment lire les paramètres internes des transistors (en dessous). Par exemple : Le paramètre « beta » est noté BF, le courant de saturation est Is, mais pour le courant maximal du collecteur ainsi que la fréquence de transition je n’arrive pas à les trouver parmi les paramètres technologiques des transistors.
« .MODEL NR100N NPN
+ IS=121E-018 BF=137.5 VAF=159.4 IKF=6.974E-3 ISE=36E-16
+ NE=1.713 BR=0.7258 VAR=10.73 IKR=2.198E-3 RE=1 RB=524.6 RBM=25 RC=50
+ CJE=0.214E-12 VJE=0.5 MJE=0.28 CJC=0.983E-13 VJC=0.5 MJC=0.3 XCJC=0.034
+ CJS=0.913E-12 VJS=0.64 MJS=0.4 FC=0.5 TF=0.425E-9 TR=0.425E-8 EG=1.206
+ XTB=1.538 XTI=2
»
