Bonjour
s'il vous plait, comment je peut déterminer la position de l’énergie de Fermi dans un semi conducteur GaAs d'une énergie de gap = 1.43 ev dopé par 2 *10^21 donneurs/m^3 a 300 k a savoir, que j'ai déjà calculer l’énergie de Fermi pour le GaAs intrinsèque j'ai trouvé ni= 1.82*10^12/m^3. merci d'avance
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