Bonjour à tous,
J'ai une petite question pour les technologues du forum
J'ai lu plusieurs papiers qui traitent du fonctionnement d'une cellule DRAM (1 Transistor / 1 Capa).
Le transistor d'accès est commandé par la WordLine, et il relie la capa à une BitLine.
J'ai pu lire que l'armature de la capa qui sert de noeud de stockage de l'info est polarisée à un point de potentiel fixe (Vcc/2) pour les technos récentes.
Or, physiquement, cette armature se trouve dans le substrat (qui n'est pas polarisé).
Auriez-vous un document qui traite du sujet, ou qui prouve que l'armature en question se trouve dans un puit polarisé à Vcc/2?
Merci à tous.
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