Polarisation des armatures de la capa d'une cellule DRAM
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Polarisation des armatures de la capa d'une cellule DRAM



  1. #1
    invite4fc1689e

    Polarisation des armatures de la capa d'une cellule DRAM


    ------

    Bonjour à tous,

    J'ai une petite question pour les technologues du forum

    J'ai lu plusieurs papiers qui traitent du fonctionnement d'une cellule DRAM (1 Transistor / 1 Capa).
    Le transistor d'accès est commandé par la WordLine, et il relie la capa à une BitLine.
    J'ai pu lire que l'armature de la capa qui sert de noeud de stockage de l'info est polarisée à un point de potentiel fixe (Vcc/2) pour les technos récentes.
    Or, physiquement, cette armature se trouve dans le substrat (qui n'est pas polarisé).

    Auriez-vous un document qui traite du sujet, ou qui prouve que l'armature en question se trouve dans un puit polarisé à Vcc/2?

    Merci à tous.

    -----

  2. #2
    jiherve

    Re : Polarisation des armatures de la capa d'une cellule DRAM

    Bonjour,
    farfouilles là dedans :http://www.micron.com/search?q=dram%20architecture
    JR
    l'électronique c'est pas du vaudou!

  3. #3
    invite4fc1689e

    Re : Polarisation des armatures de la capa d'une cellule DRAM

    Bonjour jiherve,

    Merci pour ta réponse. Effectivement il y a pas mal de documents intéressants sur le site de Micron.
    Néanmoins, je n'ai pas réussi à répondre à ma question qui concerne la polarisation de l'armature de la capa.
    Si quelqu'un a la réponse je suis preneur.

    Merci

  4. #4
    jiherve

    Re : Polarisation des armatures de la capa d'une cellule DRAM

    Bonjour
    Le souvenir que j'en ai est que la moitié des capa est connectée au VCC et l'autre au VSS ce qui fait qu'a la mise sous tension (apres un certain temps de coupure) le contenu est 10101..., avec des DRAM utilisées en graphique c'est le costume de bagnard.
    JR
    l'électronique c'est pas du vaudou!

  5. A voir en vidéo sur Futura
  6. #5
    invite4fc1689e

    Re : Polarisation des armatures de la capa d'une cellule DRAM

    Bonjour,

    Avec des schémas ce sera plus parlant.
    Ici une armature est représentée comme étant reliée à la masse :
    dram_gnd.png

    Et ici à Vcc/2 :
    dram_vref.png

    J'ai pu lire que, d'après le deuxième schéma, la techno utilisée s'appelle HSPC (Half-Vcc sheath-plate capacitor).
    On peut trouver ça sur de vieilles publis. Mais je n'arrive pas à déterminer si c'est encore d'actualité.

    En tout cas merci de l'intérêt que tu portes à mon topic

  7. #6
    jiherve

    Re : Polarisation des armatures de la capa d'une cellule DRAM

    Re
    cela ne serait il pas plutot Half-Vcc stealth-plate capacitor car la cela donne bien ex:http://cdn.intechopen.com/pdfs-wm/9855.pdf.
    JR
    l'électronique c'est pas du vaudou!

  8. #7
    invite4fc1689e

    Re : Polarisation des armatures de la capa d'une cellule DRAM

    Bonjour,

    J'avais eu l'occasion de lire ce papier. Si je comprend bien, une des armature est reliée à un puit n+ polarisé à Vcc/2 ?
    Cette techno a été proposé en 1988. Ça commence a daté. Je ne sais pas si c'est encore d'actualité. Il n'y pas beaucoup de documents qui décrivent les technos actuelles.

  9. #8
    invite4fc1689e

    Re : Polarisation des armatures de la capa d'une cellule DRAM

    Bonjour,

    A priori, ça dépendrait de la techno. Si c'est une dram avec capa "trench", le substrat sert de référence. On représente dont la capa reliée à la masse. Si c'est une capa empilée, elle est généralement reliée à un potentiel de référence Vcc/2.
    Quelqu'un pourrait confirmer?

    Merci

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