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Courant du collecteur d'un transistor bipolaire



  1. #1
    Katchia

    Courant du collecteur d'un transistor bipolaire


    ------

    Bonjour , étant une débutante dans le domaine des transistors, je trouve des difficultés à lire les "datasheets" des transistors (bipolaires par exemple), plus précisément la valeur du courant de repos du collecteur . Parceque il y a plusieurs valeurs et je ne sais pas laquelle je choisi

    Aussi, Question de comprehension, Est ce que chaque transistor bipolaire est caractérisé par un courant de collecteur idéal pour un bon travail ? Comment le savoir/déterminer du datasheet ?
    Et après la determination de ce courant, comment on peux savoir le Beta ? (Est ce possible du datasheet?)

    Merci !

    -----

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  3. #2
    gwgidaz
    Animateur Électronique

    Re : Courant du collecteur d'un transistor bipolaire

    Bonjour,

    Le choix du courant de repos est relativement large, il peut être par exemple le dixième du courant maximum, mais on peut aussi avoir bien moins encore. Par exemple, le BC171 est donné pour un courant max de 100 mA, on l'utilise en général entre 1 et 20 mA.
    Les datas donnent en général le hfe fonction du courant collecteur choisi.

    Ne pas confondre le courant de "repos" utilisé avec le courant de fuite du transistor bloqué, qui lui est en nA.

  4. #3
    PIXEL

    Re : Courant du collecteur d'un transistor bipolaire

    que dire , sinon lis un cours sur le montage émetteur commun....

    http://xizard.chez.com/Cours/transis...lificateur.htm

  5. #4
    gwgidaz
    Animateur Électronique

    Re : Courant du collecteur d'un transistor bipolaire

    Citation Envoyé par PIXEL Voir le message
    que dire , sinon lis un cours sur le montage émetteur commun....

    http://xizard.chez.com/Cours/transis...lificateur.htm
    Bonjour,

    Dans le lien que tu donnes, pour polariser un transistor en émetteur commun, je trouve la méthode proposée un peu compliquée...Mais bon, c'est peut-être une question d'habitude? Le beta des transistors varie tellement d'un transistor à un autre qu'il est intéressant d'avoir une méthode qui le néglige...
    En ce qui me concerne, voici comment je fais :

    1) je me donne la tension émetteur VE : une petite fraction de la tension d'alimentation.
    Si par exemple l'alimentation est VA = 6 v, je prends VE = 1volt.
    ( Ce choix dépend de la stabilité qu'on veut, il ne faut pas descendre en dessous de 0,5 V si on ne veut pas que la polarisation bouge trop aux températures extrêmes)

    2) Je me donne le courant émetteur , qui va dépendre de l'utilisation du transistor.
    Par exemple IE = 1 mA. Pour moi, il est pratiquement égal à IC .....je déclare donc IC = IE

    3) j'en déduis la résistance émetteur RE = VE /IE = 1 Kohms


    4) j'en déduis la résistance collecteur, en considérant qu'elle doit prendre la moitié de la tension restant pour le transistor.
    Il reste au transistor : VA - VE = 6 V - 1V = 5 V
    Il faut donc environ 2,5 V de chute dans RC . Donc Rc = 2,5 V / IC = 2,5 Kohms ----> Je prends Rc = 2, 7 Kohms...

    5) je calcule la tension base VB = VE + 0,6 V ( pour un transistor silicium) : Ici, ça fait VB = 1 V + 0,6 V = 1,6V

    6) J'évalue le courant de base IB = IC/beta = 1mA / beta ...si beta = 100, alors IB = 1mA /100 = 10 µA
    Je prendrai à la fin un courant dans le pont de base au moins 20 fois supérieur, pour ne pas avoir à m'occuper de l'influence du beta et même négliger IB !

    7) Je cherche donc un pont de base R1 et R2 qui transforme la tension d'alimentation de VA = 6V en VB = 1,6 V :

    VA = 6V --->R1 + R2
    VB = 1,6 V ---> R2

    Produit en croix: 6 R2 = 1,6 ( R1 + R2) donc R2 = R1 / 2,75
    Je cherche dans les valeurs normalisées les résistances les plus proches. Par exemple , si je prends R1 = 15 K, alors R2 = 5,6 K .
    Je vérifie à postériori que le courant dans le pont est suffisant pour négliger IB . Ici, le courant dans le pont est 6 V / 20,6 K = 290 µA , donc trente fois supérieur à IB.

    Certes, c'est une méthode moins scolaire, mais on arrive à faire le calcul de tête avec un peu d'habitude.

  6. A voir en vidéo sur Futura
  7. #5
    bobflux

    Re : Courant du collecteur d'un transistor bipolaire

    Il doit y avoir une erreur de vocabulaire, les datasheets ne mentionnent pas le courant de repos, qui est une caractéristique du montage et pas du transistor en lui-même.

    Citation Envoyé par Katchia Voir le message
    Aussi, Question de comprehension, Est ce que chaque transistor bipolaire est caractérisé par un courant de collecteur idéal pour un bon travail ? Comment le savoir/déterminer du datasheet ?
    Et après la determination de ce courant, comment on peux savoir le Beta ? (Est ce possible du datasheet?)
    Le hFe (beta) est donné généralement à plusieurs courants, avec des valeurs min/max/typiques. Il varie assez largement et dépend du courant et de la température.

    Il y a aussi en général une courbe hFe (beta) versus Ic, sur laquelle tu vois que hFe décroît aux courants élevés. Suivant l'application, il peut être avantageux de choisir un transistor qui garde un hFe élevé à un certain courant, ou bien un hFe constant sur une plage de courants déterminée.

  8. #6
    Katchia

    Re : Courant du collecteur d'un transistor bipolaire

    Merci à vous tous ! Vos réponses ont réglé mon problème

  9. Publicité

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